-
公开(公告)号：CN102007610B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201080001394.2
申请日：2010-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。其中，氮化物系半导体发光元件(100)，具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)之上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Zn层(32)、和形成在Zn层(32)之上的Ag层(34)，Zn层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
-
公开(公告)号：CN102696122A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201180004173.5
申请日：2011-03-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/02609 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L24/14 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0016 , H01S5/0425 , H01S5/32341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的氮化物系半导体元件，具备：具有表面(12)从m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型半导体区域的半导体层叠构造(20)；和设置于p型半导体区域上的电极(30)。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)层(26)形成。电极(30)包含Zn层(32)，Zn层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
-
公开(公告)号：CN102511086A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201180003898.2
申请日：2011-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/40
CPC classification number: H01L33/405 , H01L21/28575 , H01L24/14 , H01L29/045 , H01L29/452 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。本发明的氮化物系半导体元件具备：半导体叠层构造(20)，其具有表面(12)相对于m面倾斜了1°以上5°以下角度的p型半导体区域；和电极(30)，其设置在p型半导体区域上。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)层(26)形成。电极(30)包含Zn层(32)和形成在Zn层(32)上的Ag层(34)，Zn层(32)与半导体叠层构造(20)中的p型半导体区域的表面(12)接触。
-
公开(公告)号：CN102007611A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201080001393.8
申请日：2010-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。其中，氮化物系半导体发光元件(100)，具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)之上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Zn层(32)和形成在Zn层(32)之上的金属层(34)，Zn层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
-
公开(公告)号：CN102007611B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201080001393.8
申请日：2010-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。其中，氮化物系半导体发光元件(100)，具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)之上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Zn层(32)和形成在Zn层(32)之上的金属层(34)，Zn层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102598320A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201180004465.9
申请日：2011-03-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体元件及其制造方法，其包括具有表面(12)相对于m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型半导体区域的氮化物类的半导体叠层构造(20)；和在p型半导体区域上设置的电极(30)。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)层(26)形成。电极(30)包括Mg层(32)、和在Mg层(32)上形成的Ag层(34)，Mg层(32)与半导体叠层构造(20)中的p型半导体区域的表面(12)接触。
-
公开(公告)号：CN102007610A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201080001394.2
申请日：2010-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。其中，氮化物系半导体发光元件(100)，具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)之上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Zn层(32)、和形成在Zn层(32)之上的Ag层(34)，Zn层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
-
公开(公告)号：CN103003963A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180035160.4
申请日：2011-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明的半导体发光元件包括：n型氮化物半导体层(21)；p型氮化物半导体层(23)；具有m面氮化物半导体层，且被夹在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间的活性层区域(22)；与n型氮化物半导体层电连接的n型电极(30)；与p型氮化物半导体层电连接的p型电极(40)；将在活性层区域产生的偏振光提取到外部的射出面；以及在射出面设置的条状结构(50)，该条状结构(50)具有向与m面氮化物半导体层的a轴方向成5°以上80°以下、或-80°以上-5°以下的角度的方向延伸的多个凸部。
-
公开(公告)号：CN102007576B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201080001395.7
申请日：2010-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法。氮化物系半导体发光元件(100)包括：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)上形成的电极(30)。电极(30)包含Mg层(32)、和形成在Mg层(32)上的Ag层(34)，Mg层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
-
公开(公告)号：CN102007576A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201080001395.7
申请日：2010-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法。氮化物系半导体发光元件(100)包括：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)上形成的电极(30)。电极(30)包含Mg层(32)、和形成在Mg层(32)上的Ag层(34)，Mg层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.027 seconds)
