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公开(公告)号：CN102282674B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN200980154771.3
申请日：2009-12-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/265
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/266 , H01L27/14609 , H01L27/14689
Abstract: 阵列状排列的像素部(10)具备光电变换部(11)、将电荷传输到浮动扩散层(12)的传输晶体管(13)、以及将传输的电荷输出到输出线的放大晶体管(14)，相邻的光电变换部(11)间、以及光电变换部(11)和放大晶体管(14)之间通过绝缘隔离部(22)进行隔离。绝缘隔离部(22)具有在光电变换部(11)间未配置有放大晶体管(14)的第1区域(A)、和在光电变换部(11)间配置有放大晶体管(14)的第2区域(B)，在绝缘隔离部(22)的下方，形成有第1隔离扩散层(23)和第2隔离扩散层(24)，在的第1区域(A)，第2隔离扩散层(24)的宽度比第1隔离扩散层(23)的宽度宽。
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公开(公告)号：CN100593241C
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200610006244.6
申请日：2006-01-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/532 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L31/02164
Abstract: 在使用铜布线的金属氧化半导体(MOS)型等的固体摄像装置及其制造方法中，实现了暗电流和白斑数的降低和感度的提高。本发明的半导体装置，包括衬底(101)；形成在衬底(101)上，具有光电转换部(103)的光电转换单元呈阵列状排列的摄像区域；形成在衬底(101)上，进行摄像区域的控制和来自摄像区域的信号的输出的周围电路区域；形成在衬底(101)上且由含铜材料形成的含铜布线层(132、134、138)，且，作为为防止铜扩散的扩散防止层，在光电转换部(103)上形成第一扩散防止层(121)的同时，还按顺序形成了含铜布线层(132、134、138)上的扩散防止层(122、123、124)。
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公开(公告)号：CN102893400B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201180023800.X
申请日：2011-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L31/02325 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L31/18
Abstract: 一种固体摄像装置（10），多个像素被排列成二维状，该固体摄像装置具备硅层（101）；多个光电二极管（111），在硅层（101）内与多个像素对应地形成，通过将入射的光进行光电变换而生成信号电荷；以及多个滤色器（122a～122c），在硅层（101）的上方与多个像素对应地形成；多个滤色器（122a～122c）分别在作为相邻的滤色器之间的区域、并且是硅层（101）侧的区域的区域中，形成有折射率比滤色器（122a～122c）低的凸部（121），多个滤色器（122a～122c）分别在凸部（121）的上方与相邻的滤色器接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103477186A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201280015564.1
申请日：2012-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04N13/239 , G01C11/06 , G01S7/4914 , G01S17/023 , G01S17/89 , H04N13/254 , H04N13/257 , H04N13/271
Abstract: 立体摄像装置(100)具备：第一摄像机(C1)，生成用于计算表示被摄体的立体形状的第一距离图像的基准图像；第二摄像机(C2)，生成用于计算第一距离图像的参考图像；立体匹配部(3)，搜索基准图像与参考图像之间的对应像素，根据该对应像素计算视差，生成第一距离图像；以及光源(1)，向被摄体照射强度调制后的红外光，第一摄像机(C1)，将由被摄体反射的、强度调制后的红外光的反射光，与该强度调制同步来接受，从而还生成包含距被摄体的反射点的距离信息的第二距离图像。
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公开(公告)号：CN102893400A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180023800.X
申请日：2011-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L31/02325 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L31/18
Abstract: 一种固体摄像装置（10），多个像素被排列成二维状，该固体摄像装置具备硅层（101）；多个光电二极管（111），在硅层（101）内与多个像素对应地形成，通过将入射的光进行光电变换而生成信号电荷；以及多个滤色器（122a～122c），在硅层（101）的上方与多个像素对应地形成；多个滤色器（122a～122c）分别在作为相邻的滤色器之间的区域、并且是硅层（101）侧的区域的区域中，形成有折射率比滤色器（122a～122c）低的凸部（121），多个滤色器（122a～122c）分别在凸部（121）的上方与相邻的滤色器接触。
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公开(公告)号：CN102282674A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200980154771.3
申请日：2009-12-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/265
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/266 , H01L27/14609 , H01L27/14689
Abstract: 阵列状排列的像素部(10)具备光电变换部(11)、将电荷传输到浮动扩散层(12)的传输晶体管(13)、以及将传输的电荷输出到输出线的放大晶体管(14)，相邻的光电变换部(11)间、以及光电变换部(11)和放大晶体管(14)之间通过绝缘隔离部(22)进行隔离。绝缘隔离部(22)具有在光电变换部(11)间未配置有放大晶体管(14)的第1区域(A)、和在光电变换部(11)间配置有放大晶体管(14)的第2区域(B)，在绝缘隔离部(22)的下方，形成有第1隔离扩散层(23)和第2隔离扩散层(24)，在的第1区域(A)，第2隔离扩散层(24)的宽度比第1隔离扩散层(23)的宽度宽。
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公开(公告)号：CN102272930A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980153560.8
申请日：2009-12-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14654
Abstract: 以阵列状排列的像素部(10)的相邻的光电转换部(11)之间、以及光电转换部(11)和放大晶体管(14)之间分别用绝缘隔离部(22)进行隔离，绝缘隔离部(22)具有在光电转换部(11)之间未配置放大晶体管(14)的第一区域(A)和配置了放大晶体管(14)的第二区域(B)。在第一区域(A)的绝缘隔离部(22)的下方，形成有低浓度的第一隔离扩散层(23)，在第二区域(B)的绝缘隔离部(22)的下方，形成有高浓度的第二隔离扩散层(24)和低浓度的第一隔离扩散层(23)。第二区域(B)中的放大晶体管(14)的源极·漏极区域形成在与第二隔离扩散层(24)同时形成的阱区域(25)内。
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公开(公告)号：CN1828918A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610006244.6
申请日：2006-01-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/532 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L31/02164
Abstract: 在使用铜布线的金属氧化半导体(MOS)型等的固体摄像装置及其制造方法中，实现了暗电流和白斑数的降低和感度的提高。本发明的半导体装置，包括衬底(101)；形成在衬底(101)上，具有光电转换部(103)的光电转换单元呈阵列状排列的摄像区域；形成在衬底(101)上，进行摄像区域的控制和来自摄像区域的信号的输出的周围电路区域；形成在衬底(101)上且由含铜材料形成的含铜布线层(132、134、138)，且，作为为防止铜扩散的扩散防止层，在光电转换部(103)上形成第一扩散防止层(121)的同时，还按顺序形成了含铜布线层(132、134、138)上的扩散防止层(122、123、124)。
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