公开(公告)号：CN103493202A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280019936.8

申请日：2012-04-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 冲野彻 ,  森三佳 ,  广濑裕 ,  加藤刚久 ,  田中毅

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，具备：基板(30)、形成在基板(30)上的绝缘体层(31)、形成在绝缘体层(31)上的半导体层(32)、形成在半导体层(32)上的硅层(33)。硅层(33)具有多个像素部，该多个像素部各自具有：光电变换部(34)，其将光变换为信号电荷；和电路，其读出信号电荷。绝缘体层(31)的折射率比半导体层(32)的折射率小。

公开(公告)号：CN102668083B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201080052831.3

申请日：2010-08-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  冲野彻 ,  广濑裕 ,  加藤刚久

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明的固体摄像装置具有：半导体基板(1)；矩阵状地配置于该半导体基板(1)的上部而形成的n型的多个光电变换部(11)；形成于半导体基板(1)的一个面即电荷检测面，并对积累于光电变换部(11)的电荷进行检测的输出电路(12)；形成于该输出电路(12)的下侧，且包含与各光电变换部(11)相接的高浓度p型层的p型的多个分离扩散层(10)；形成于半导体基板(1)中的与上述一个面相对的另一面即光入射面，且透过不同波长的光的彩色滤光器(17)、(18)以及(19)。各光电变换部(11)的形状与彩色滤光器(17)、(18)以及(19)相对应，根据构成分离扩散层(10)的高浓度p型层而不同。

公开(公告)号：CN101689557B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200980000361.3

申请日：2009-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大竹悠介 ,  森三佳 ,  香山信三 ,  冲野彻

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/33

CPC classification number: H04N9/045 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14647 ,  H04N5/332

Abstract: 本发明公开了一种固态摄像装置。固态摄像装置包括半导体基板(22)、有规律地配置在半导体基板(22)上并且各自具有光电转换部(24)的多个像素(23)以及使多个像素(23)彼此电隔离的隔离部(25)。第一像素(31)具有在第一波长区具有透光率的峰值的第一彩色滤光片(41)和第一光电转换部(32)，与第一像素(31)相邻的第二像素(34)具有第二彩色滤光片(42)和第二光电转换部(35)，该第二彩色滤光片(42)在第一波长区和比第一波长区还靠近短波长一侧的第二波长区具有透光率的峰值，第一光电转换部(32)的深部的一部分(33)越过隔离部(25)，到达第二光电转换部(35)的下方。

公开(公告)号：CN102893400B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201180023800.X

申请日：2011-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  冲野彻 ,  石井基范 ,  斋藤繁 ,  大竹悠介 ,  藤原一夫 ,  岛田恭博 ,  广濑裕

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L31/02325 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/18

Abstract: 一种固体摄像装置（10），多个像素被排列成二维状，该固体摄像装置具备硅层（101）；多个光电二极管（111），在硅层（101）内与多个像素对应地形成，通过将入射的光进行光电变换而生成信号电荷；以及多个滤色器（122a～122c），在硅层（101）的上方与多个像素对应地形成；多个滤色器（122a～122c）分别在作为相邻的滤色器之间的区域、并且是硅层（101）侧的区域的区域中，形成有折射率比滤色器（122a～122c）低的凸部（121），多个滤色器（122a～122c）分别在凸部（121）的上方与相邻的滤色器接触。

公开(公告)号：CN102668083A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080052831.3

申请日：2010-08-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  冲野彻 ,  广濑裕 ,  加藤刚久

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明的固体摄像装置具有：半导体基板(1)；矩阵状地配置于该半导体基板(1)的上部而形成的n型的多个光电变换部(11)；形成于半导体基板(1)的一个面即电荷检测面，并对积累于光电变换部(11)的电荷进行检测的输出电路(12)；形成于该输出电路(12)的下侧，且包含与各光电变换部(11)相接的高浓度p型层的p型的多个分离扩散层(10)；形成于半导体基板(1)中的与上述一个面相对的另一面即光入射面，且透过不同波长的光的彩色滤光器(17)、(18)以及(19)。各光电变换部(11)的形状与彩色滤光器(17)、(18)以及(19)相对应，根据构成分离扩散层(10)的高浓度p型层而不同。

公开(公告)号：CN102282674B

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN200980154771.3

申请日：2009-12-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  冲野彻 ,  大竹悠介 ,  藤原一夫

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/266 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14689

Abstract: 阵列状排列的像素部(10)具备光电变换部(11)、将电荷传输到浮动扩散层(12)的传输晶体管(13)、以及将传输的电荷输出到输出线的放大晶体管(14)，相邻的光电变换部(11)间、以及光电变换部(11)和放大晶体管(14)之间通过绝缘隔离部(22)进行隔离。绝缘隔离部(22)具有在光电变换部(11)间未配置有放大晶体管(14)的第1区域(A)、和在光电变换部(11)间配置有放大晶体管(14)的第2区域(B)，在绝缘隔离部(22)的下方，形成有第1隔离扩散层(23)和第2隔离扩散层(24)，在的第1区域(A)，第2隔离扩散层(24)的宽度比第1隔离扩散层(23)的宽度宽。

公开(公告)号：CN101689557A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200980000361.3

申请日：2009-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大竹悠介 ,  森三佳 ,  香山信三 ,  冲野彻

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N9/045 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14647 ,  H04N5/332

Abstract: 本发明公开了一种固态摄像装置。固态摄像装置包括半导体基板(22)、有规律地配置在半导体基板(22)上并且各自具有光电转换部(24)的多个像素(23)以及使多个像素(23)彼此电隔离的隔离部(25)。第一像素(31)具有在第一波长区具有透光率的峰值的第一彩色滤光片(41)和第一光电转换部(32)，与第一像素(31)相邻的第二像素(34)具有第二彩色滤光片(42)和第二光电转换部(35)，该第二彩色滤光片(42)在第一波长区和比第一波长区还靠近短波长一侧的第二波长区具有透光率的峰值，第一光电转换部(32)的深部的一部分(33)越过隔离部(25)，到达第二光电转换部(35)的下方。

公开(公告)号：CN102893400A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201180023800.X

申请日：2011-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  冲野彻 ,  石井基范 ,  斋藤繁 ,  大竹悠介 ,  藤原一夫 ,  岛田恭博 ,  广濑裕

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L31/02325 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/18

Abstract: 一种固体摄像装置（10），多个像素被排列成二维状，该固体摄像装置具备硅层（101）；多个光电二极管（111），在硅层（101）内与多个像素对应地形成，通过将入射的光进行光电变换而生成信号电荷；以及多个滤色器（122a～122c），在硅层（101）的上方与多个像素对应地形成；多个滤色器（122a～122c）分别在作为相邻的滤色器之间的区域、并且是硅层（101）侧的区域的区域中，形成有折射率比滤色器（122a～122c）低的凸部（121），多个滤色器（122a～122c）分别在凸部（121）的上方与相邻的滤色器接触。

公开(公告)号：CN102282674A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200980154771.3

申请日：2009-12-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  冲野彻 ,  大竹悠介 ,  藤原一夫

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/266 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14689

Abstract: 阵列状排列的像素部(10)具备光电变换部(11)、将电荷传输到浮动扩散层(12)的传输晶体管(13)、以及将传输的电荷输出到输出线的放大晶体管(14)，相邻的光电变换部(11)间、以及光电变换部(11)和放大晶体管(14)之间通过绝缘隔离部(22)进行隔离。绝缘隔离部(22)具有在光电变换部(11)间未配置有放大晶体管(14)的第1区域(A)、和在光电变换部(11)间配置有放大晶体管(14)的第2区域(B)，在绝缘隔离部(22)的下方，形成有第1隔离扩散层(23)和第2隔离扩散层(24)，在的第1区域(A)，第2隔离扩散层(24)的宽度比第1隔离扩散层(23)的宽度宽。

公开(公告)号：CN102272930A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200980153560.8

申请日：2009-12-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  藤原一夫 ,  冲野彻 ,  大竹悠介

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14654

Abstract: 以阵列状排列的像素部(10)的相邻的光电转换部(11)之间、以及光电转换部(11)和放大晶体管(14)之间分别用绝缘隔离部(22)进行隔离，绝缘隔离部(22)具有在光电转换部(11)之间未配置放大晶体管(14)的第一区域(A)和配置了放大晶体管(14)的第二区域(B)。在第一区域(A)的绝缘隔离部(22)的下方，形成有低浓度的第一隔离扩散层(23)，在第二区域(B)的绝缘隔离部(22)的下方，形成有高浓度的第二隔离扩散层(24)和低浓度的第一隔离扩散层(23)。第二区域(B)中的放大晶体管(14)的源极·漏极区域形成在与第二隔离扩散层(24)同时形成的阱区域(25)内。