公开(公告)号：CN100352061C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN02157058.2

申请日：2002-12-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 青木成刚 ,  斋藤徹 ,  能泽克弥

IPC: H01L29/737 ,  H01L27/04 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及其制造方法，该半导体器件在绝缘层上具有在外延生长的同时所制造的很厚的多结晶半导体层。在集电开口部(5)上，外延生长由Si缓冲层(7d)、SiGe隔离层、倾斜SiGe层以及Si覆盖层的Si/SiGe层(7)，同时在氮化膜(6)的上面上和氧化膜(5)以及氮化膜(6)的侧面上沉积多结晶层(8)。此时，通过制成Si缓冲层(7d)之后制成SiGe隔离层等膜，确实进行非选择外延生长，并在氮化膜(6)上又制成多结晶层(8)。

公开(公告)号：CN1449056A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN02157058.2

申请日：2002-12-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 青木成刚 ,  斋藤徹 ,  能泽克弥

IPC: H01L29/737 ,  H01L27/04 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及其制造方法，该半导体器件在绝缘层上具有在外延生长的同时所制造的很厚的多结晶半导体层。在集电开口部5上，外延生长由Si缓冲层7d、SiGe隔离层、倾斜SiGe层以及Si覆盖层的Si/SiGe层7，同时在氮化膜6的上面上和氧化膜5以及氮化膜6的侧面上沉积多结晶层8。此时，通过制成Si缓冲层7d之后制成SiGe隔离层等膜，确实进行非选择外延生长，并在氮化膜6上又制成多结晶层8。

公开(公告)号：CN1449001A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03120402.3

申请日：2003-03-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野竹秀典 ,  大西照人 ,  浅井明 ,  青木成刚

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L21/0209 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/66242

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。目的在于：在包含Si和Si以外的IV族元素的半导体器件的制造方法下，抑制为污染物质的Si以外的IV族元素给半导体器件造成的污染、二次污染。靠外延生长形成含污染物质的Si/SiGe膜以后，马上通过湿蚀刻来将形成在半导体衬底背面的Si/SiGe膜除去。或者是，在容器内对Si/SiGe膜进行了伴随加热的处理后，再利用该容器让晶圆空走。借助此法，既可抑制通过夹持晶圆的台子、机器人臂或者真空钳等而发生二次污染，也可抑制不包含Si以外的IV族元素的半导体器件的制造步骤所共用的容器被污染。

公开(公告)号：CN1315164C

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN03120402.3

申请日：2003-03-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野竹秀典 ,  大西照人 ,  浅井明 ,  青木成刚

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L21/0209 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/66242

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。目的在于：在包含Si和Si以外的IV族元素的半导体器件的制造方法下，抑制为污染物质的Si以外的IV族元素给半导体器件造成的污染、二次污染。靠外延生长形成含污染物质的Si/SiGe膜以后，马上通过湿蚀刻来将形成在半导体衬底背面的Si/SiGe膜除去。或者是，在容器内对Si/SiGe膜进行了伴随加热的处理后，再利用该容器让晶圆空走。借助此法，既可抑制通过夹持晶圆的台子，机器人臂或者真空钳等而发生二次污染，也可抑制不包含Si以外的IV族元素的半导体器件的制造步骤所共用的容器被污染。