公开(公告)号：CN102143906A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200980134864.X

申请日：2009-04-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三由裕一 ,  山冈彻 ,  野竹秀典 ,  竹内祐介

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/0133 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/097 ,  G01P15/123

Abstract: 本发明公开了一种微机电系统器件及其制造方法。微机电系统器件包括具有第一主表面及与该第一主表面相反一侧的面即第二主表面的基板(101)、形成在所述基板(101)中的通孔(110)以及覆盖所述通孔(110)而形成在所述第一主表面的上侧的振动膜(105)。所述第一主表面和所述第二主表面都是(110)晶面，所述第二主表面上的所述通孔(110)的形状实质上为菱形。

公开(公告)号：CN1449001A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03120402.3

申请日：2003-03-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野竹秀典 ,  大西照人 ,  浅井明 ,  青木成刚

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L21/0209 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/66242

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。目的在于：在包含Si和Si以外的IV族元素的半导体器件的制造方法下，抑制为污染物质的Si以外的IV族元素给半导体器件造成的污染、二次污染。靠外延生长形成含污染物质的Si/SiGe膜以后，马上通过湿蚀刻来将形成在半导体衬底背面的Si/SiGe膜除去。或者是，在容器内对Si/SiGe膜进行了伴随加热的处理后，再利用该容器让晶圆空走。借助此法，既可抑制通过夹持晶圆的台子、机器人臂或者真空钳等而发生二次污染，也可抑制不包含Si以外的IV族元素的半导体器件的制造步骤所共用的容器被污染。

公开(公告)号：CN1315164C

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN03120402.3

申请日：2003-03-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野竹秀典 ,  大西照人 ,  浅井明 ,  青木成刚

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L21/0209 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/66242

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。目的在于：在包含Si和Si以外的IV族元素的半导体器件的制造方法下，抑制为污染物质的Si以外的IV族元素给半导体器件造成的污染、二次污染。靠外延生长形成含污染物质的Si/SiGe膜以后，马上通过湿蚀刻来将形成在半导体衬底背面的Si/SiGe膜除去。或者是，在容器内对Si/SiGe膜进行了伴随加热的处理后，再利用该容器让晶圆空走。借助此法，既可抑制通过夹持晶圆的台子，机器人臂或者真空钳等而发生二次污染，也可抑制不包含Si以外的IV族元素的半导体器件的制造步骤所共用的容器被污染。