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公开(公告)号：CN1939841A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610142195.9
申请日：2006-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 立石文则
IPC: C02F1/00
CPC classification number: C02F1/008 , C02F2103/346 , C02F2209/02
Abstract: 本发明目的是在对废液进行冷却时，提供通过冷却来安全处理废液的机制，且不增加成本，不使用大的设备。提出废液的处理方法，该方法中，将化学液体从化学液体供应部分供给化学处理部分；水从水供应部分供给水处理部分；使从化学液体处理部分排出的第一废液通过废化学品部分流入内管，同时从水处理部分排出的第二废液流经废水处理部分进入外管，所述外管在内管的外部；第二废液的温度低于第一废液的温度。
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公开(公告)号：CN1975345A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610163607.7
申请日：2006-12-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B81C99/004 , G01R31/3025
Abstract: 本发明的目的在于提供一种微机械的测试方法，其中无接触地进行微机械的结构体的过程检测的测试、电特性的测试及机械特性的测试。本发明的测试方法如下：包括具有第一导电层、设置为与所述第一导电层平行的第二导电层、设置在所述第一导电层和第二导电层之间的牺牲层或具有空间部分的结构体、以及与连接到所述结构体的天线，通过所述天线向所述结构体以无线供给电力，检验出从所述天线中产生的电磁波作为所述结构体的特性。
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公开(公告)号：CN100556696C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200510072785.4
申请日：2005-05-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: B41J2/01 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/76838 , B41J3/407 , B41J11/002 , H01L21/2885 , H01L21/6715 , H01L27/1285 , H01L27/1292
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置制造设备，具有应用适于批量生产大基片的小滴释放法的图案成形装置。设置应用小滴释放法的多个图案成形装置和多个热处理腔，每个热处理腔与一个是多腔系统的转移腔相连。有效地进行释放和烘干以便提高生产率。通过在图案成形装置中设置一个吹气装置，就在小滴被降落之后，沿着与扫描方向(或者释放头的扫描方向)相同的方向将气体吹到基片上，在气流路径中设置一个加热器用于局部烘干。
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公开(公告)号：CN1876243B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200610091758.6
申请日：2006-06-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 立石文则
CPC classification number: G03F7/162 , G02F1/1303 , G02F1/133711 , H01L51/0003 , H01L51/0004
Abstract: 本发明旨在提供一种通过可以均匀且没有偏差地涂敷药液的旋转涂敷法来进行涂敷的药液涂敷装置及药液涂敷方法。本发明的技术方案的要点是：配置有多个用于将药液涂敷在固定在基台上的涂敷对象物上的喷嘴。各喷嘴可以分别独立沿着上下左右方向移动。因此，可以控制喷出点，并且可以进行对应更广的粘度范围的药液的涂敷。通过实施本发明，可以获得在整个衬底上膜厚差异小且厚度均匀的涂敷膜，并且可以获得使用消除了被喷出的药液的浪费并提高了使用效率的药液喷出方法的药液涂敷装置。
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公开(公告)号：CN1962409B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200610146343.4
申请日：2006-11-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00476
Abstract: 本发明的目的是减少为了形成微结构的空间而提供的牺牲层所使用的光掩模的数目，并且降低制造成本。通过由同一光掩模构图的抗蚀剂掩模来形成牺牲层。在用抗蚀剂掩模进行蚀刻以形成第一牺牲层之后，通过使用由同一光掩模形成图案的抗蚀剂掩模进行蚀刻以形成第二牺牲层。通过在蚀刻一方的牺牲层之前使抗蚀剂掩模的外形尺寸扩大或缩小而改变其形状，可以形成大小不同的牺牲层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1975345B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN200610163607.7
申请日：2006-12-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: B81C99/00 , G01R31/302
CPC classification number: B81C99/004 , G01R31/3025
Abstract: 微结构体的测试方法以及微机械本发明的目的在于提供一种微机械的测试方法，其中无接触地进行微机械的结构体的过程检测的测试、电特性的测试及机械特性的测试。本发明的测试方法如下：包括具有第一导电层、设置为与所述第一导电层平行的第二导电层、设置在所述第一导电层和第二导电层之间的牺牲层或具有空间部分的结构体、以及与连接到所述结构体的天线，通过所述天线向所述结构体以无线供给电力，检验出从所述天线中产生的电磁波作为所述结构体的特性。
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公开(公告)号：CN1939841B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200610142195.9
申请日：2006-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 立石文则
IPC: C02F1/00
CPC classification number: C02F1/008 , C02F2103/346 , C02F2209/02
Abstract: 本发明目的是在对废液进行冷却时，提供通过冷却来安全处理废液的机制，且不增加成本，不使用大的设备的。提出废液的处理方法，该方法中，将化学液体从化学液体供应部分供给化学处理部分；水从水供应部分供给水处理部分；使从化学液体处理部分排出的第一废液通过废化学品部分流入内管，同时从水处理部分排出的第二废液流经废水处理部分进入外管，所述外管在内管的外部；第二废液的温度低于第一废液的温度。
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公开(公告)号：CN101024481B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200610163587.3
申请日：2006-10-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L25/065 , H01L27/20 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00
CPC classification number: B60C23/0493 , A61B5/02444 , A61B5/681 , B60C23/04 , B60C23/0408 , B60C23/0411 , B60C23/0413 , B60C23/20 , B81C1/0023 , G01L1/16 , G01L17/00 , H01L21/02118 , H01L21/02175 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/54 , H01L24/93 , H01L27/20 , H01L35/34 , H01L41/25 , H01L41/311 , H01L41/313 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , Y10T29/42 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及微型机电系统、半导体装置、以及它们的制造方法。本发明旨在形成MEMS和具有该MEMS的传感器，而不进行蚀刻牺牲层的步骤。本发明的技术要点是如下：形成使用隔层形成了空间的MEMS和具有该MEMS的传感器。通过采用使用隔层形成了空间的MEMS，不需要形成牺牲层的步骤及蚀刻该牺牲层的步骤。结果，没有蚀刻时间的限制，并可以提高成品率。
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公开(公告)号：CN101024481A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610163587.3
申请日：2006-10-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B60C23/0493 , A61B5/02444 , A61B5/681 , B60C23/04 , B60C23/0408 , B60C23/0411 , B60C23/0413 , B60C23/20 , B81C1/0023 , G01L1/16 , G01L17/00 , H01L21/02118 , H01L21/02175 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/54 , H01L24/93 , H01L27/20 , H01L35/34 , H01L41/25 , H01L41/311 , H01L41/313 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , Y10T29/42 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及微型机电系统、半导体装置、以及它们的制造方法。本发明旨在形成MEMS和具有该MEMS的传感器，而不进行蚀刻牺牲层的步骤。本发明的技术要点是如下：形成使用隔层形成了空间的MEMS和具有该MEMS的传感器。通过采用使用隔层形成了空间的MEMS，不需要形成牺牲层的步骤及蚀刻该牺牲层的步骤。结果，没有蚀刻时间的限制，并可以提高成品率。
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公开(公告)号：CN1962409A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610146343.4
申请日：2006-11-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00476
Abstract: 本发明的目的是减少为了形成微结构的空间而提供的牺牲层所使用的光掩模的数目，并且降低制造成本。通过由同一光掩模构图的抗蚀剂掩模来形成牺牲层。在用抗蚀剂掩模进行蚀刻以形成第一牺牲层之后，通过使用由同一光掩模形成图案的抗蚀剂掩模进行蚀刻以形成第二牺牲层。通过在蚀刻一方的牺牲层之前使抗蚀剂掩模的外形尺寸扩大或缩小而改变其形状，可以形成大小不同的牺牲层。
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