公开(公告)号：CN101027264A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200580032693.1

申请日：2005-06-28

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 加藤成 ,  中村友幸 ,  武藤和夫 ,  笹林武久 ,  佐野晴信

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B32B2311/12 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/407 ,  H01G4/1227

Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷、电介质陶瓷的制备方法以及叠层陶瓷电容器。其中，本发明的电介质陶瓷以(Ba、Ca)(Ti、X)O3(其中X表示比Ti的价数高的元素)为主成分，所含有的第一～第三添加成分相对于主成分100摩尔分别为0.1～4.0摩尔。第一添加成分为规定的稀土类元素，第二添加成分是价数比Ti低的规定元素，第三添加成分由含有Si的烧结助剂构成。对于主成分粒子1中的90％以上而言，表示各添加成分2向主成分粒子1中的固溶状态的固溶率的总计按截面积比计为10％以下。Ca的配合摩尔比为0～0.20(优选0.02～0.20)，B位置中的元素X的配合摩尔比y为0.0001～0.005。由此，即使电介质层薄层化至1～3μm程度，也能够得到具有高介电常数，在不损害静电电容的温度特性的前提下能够获得良好的绝缘性及高温负载寿命。

公开(公告)号：CN102086121A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN201010557853.7

申请日：2010-11-19

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村将典 ,  冈松俊宏 ,  加藤成 ,  矶田信弥

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明的目的在于提供即使进行介电陶瓷层的薄层化，介电陶瓷的相对介电常数也高、对温度变化或机械性冲击的可靠性也良好的层叠陶瓷电容器。作为构成层叠陶瓷电容器1的介电陶瓷层2的介电陶瓷，使用如下介电陶瓷：以(Ba1-xCax)TiO3为主成分，以Re2O3、MgO、MnO、V2O5及SiO2为副成分，其中，0.045≤x≤0.15，Re为选自Gd、Dy、Ho、Yb和Y中的至少一种，所述介电陶瓷由通式100(Ba1-xCax)TiO3+aRe2O3+bMgO+cMnO+dV2O5+eSiO2表示，并满足如下条件：0.65≤a≤1.5、0.15≤b≤2.0、0.4≤c≤1.5、0.02≤d≤0.25、0.2≤e≤3.0。

公开(公告)号：CN102086121B

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201010557853.7

申请日：2010-11-19

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村将典 ,  冈松俊宏 ,  加藤成 ,  矶田信弥

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/468 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明的目的在于提供即使进行介电陶瓷层的薄层化，介电陶瓷的相对介电常数也高、对温度变化或机械性冲击的可靠性也良好的层叠陶瓷电容器。作为构成层叠陶瓷电容器1的介电陶瓷层2的介电陶瓷，使用如下介电陶瓷：以(Ba1-xCax)TiO3为主成分，以Re2O3、MgO、MnO、V2O5及SiO2为副成分，其中，0.045≤x≤0.15，Re为选自Gd、Dy、Ho、Yb和Y中的至少一种，所述介电陶瓷由通式100(Ba1-xCax)TiO3+aRe2O3+bMgO+cMnO+dV2O5+eSiO2表示，并满足如下条件：0.65≤a≤1.5、0.15≤b≤2.0、0.4≤c≤1.5、0.02≤d≤0.25、0.2≤e≤3.0。

公开(公告)号：CN101006027B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580028204.5

申请日：2005-06-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 武藤和夫 ,  中村友幸 ,  加藤成 ,  佐野晴信 ,  笹林武久 ,  平松隆

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/49 ,  B32B2311/12 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/407 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 构成陶瓷烧坯的介电陶瓷具有通式100(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-zZrz)O3+aBaO+bR2O3+cMgO+dMnO+eCuO+fV2O5+gXuOv(式中，R是特定的稀土元素比如La、Ce或Pr；而XuOv是至少含有Si的氧化物组)所示的组成；并且0≤x≤0.05，0≤y≤0.08(优选0.02≤y≤0.08)，0≤z≤0.05，0.990≤m，100.2≤(100m+a)≤102，0.05≤b≤0.5，0.05≤c≤2，0.05≤d≤1.3，0.1≤e≤1.0，0.02≤f≤0.15和0.2≤g≤2。使用这种组成，可以制备这样的一种单片陶瓷电容器：即使在因其介电层被进一步变薄而导致被施加高电场强度的电压时，也保持良好的介电特性和温度特性，并且在实现良好的绝缘性质、介电强度和高温负载寿命上具有优异的可靠性。

公开(公告)号：CN100559523C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200410002931.1

申请日：2004-01-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村友幸 ,  小中宏泰 ,  加藤成 ,  武藤和夫 ,  佐野晴信

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01B3/12 ,  C04B35/468

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/85 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/30

Abstract: 一种介电陶瓷，该介电陶瓷在组成上包括含Ba、Ca和Ti的通式为ABO3的钙钛矿型化合物，和含Si、R(La等)和M(Mn等)的添加剂组分，添加剂组分没有被固体溶解，而且主要组分存在于每个晶粒的至少90%的横截面中，这样的晶粒数目占介电陶瓷所含的所有晶粒数目的至少85%，在介电陶瓷晶粒界面至少85%的分析点上至少包含Ba、Ca、Ti、Si、R和M。

公开(公告)号：CN1518019A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410002931.1

申请日：2004-01-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村友幸 ,  小中宏泰 ,  加藤成 ,  武藤和夫 ,  佐野晴信

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01B3/12 ,  C04B35/00

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/85 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/30

Abstract: 一种介电陶瓷，该介电陶瓷在组成上包括含Ba、Ca和Ti的通式为ABO3的钙钛矿型化合物，和含Si、R(La等)和M(Mn等)的添加剂组分，添加剂组分没有被固体溶解，而且主要组分存在于每个晶粒的至少90％的横截面中，这样的晶粒数目占介电陶瓷所含的所有晶粒数目的至少85％，在介电陶瓷晶粒界面至少85％的分析点上至少包含Ba、Ca、Ti、Si、R和M。

公开(公告)号：CN100500610C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200580032693.1

申请日：2005-06-28

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 加藤成 ,  中村友幸 ,  武藤和夫 ,  笹林武久 ,  佐野晴信

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B32B2311/12 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/407 ,  H01G4/1227

Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷、电介质陶瓷的制备方法以及叠层陶瓷电容器。其中，本发明的电介质陶瓷以(Ba、Ca)(Ti、X)O3(其中X表示比Ti的价数高的元素)为主成分，所含有的第一～第三添加成分相对于主成分100摩尔分别为0.1～4.0摩尔。第一添加成分为规定的稀土类元素，第二添加成分是价数比Ti低的规定元素，第三添加成分由含有Si的烧结助剂构成。对于主成分粒子1中的90%以上而言，表示各添加成分2向主成分粒子1中的固溶状态的固溶率的总计按截面积比计为10%以下。Ca的配合摩尔比为0～0.20(优选0.02～0.20)，B位置中的元素X的配合摩尔比y为0.0001～0.005。由此，即使电介质层薄层化至1～3μm程度，也能够得到具有高介电常数，在不损害静电电容的温度特性的前提下能够获得良好的绝缘性及高温负载寿命。

公开(公告)号：CN100419923C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200410008201.2

申请日：2004-03-01

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村友幸 ,  加藤成 ,  武藤和夫 ,  佐野晴信

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/00 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01G4/1227 ,  Y10T29/43

Abstract: 本发明提供了一种在还原性气氛中经过焙烧而形成的介电陶瓷。通过使用上述的介电陶瓷而形成的多层陶瓷电容器，甚至当从那里形成的介电陶瓷层的厚度减小时，也具有优良的可靠性。该介电陶瓷具有晶粒；和位于晶粒之间的晶粒间界和三相点。晶粒包括：由ABO3(其中A是Ba和Ca，或Ba、Ca和Sr；B是Ti，或者Ti和其被Zr和Hf中的至少一种所代替的一部分)表示的钙钛矿化合物组成的钙钛矿晶粒，和由包括至少Ba，Ti和Si的晶体氧化物所组成的晶体氧化物晶粒，约有80%或更多数量的三相点的截面面积各自为约8nm2或更小。

公开(公告)号：CN101006027A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580028204.5

申请日：2005-06-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 武藤和夫 ,  中村友幸 ,  加藤成 ,  佐野晴信 ,  笹林武久 ,  平松隆

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/49 ,  B32B2311/12 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/407 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 构成陶瓷烧坯的介电陶瓷具有通式100(Ba1－x－ySrxCay)m(Ti1－zZrz)O3＋aBaO＋bR2O3+cMgO＋dMnO＋eCuO+fV2O5＋gXuOv(式中，R是特定的稀土元素比如La、Ce或Pr；而XuOv是至少含有Si的氧化物组)所示的组成；并且0≤x≤0.05，0≤y≤0.08(优选0.02≤y≤0.08)，0≤z≤0.05，0.990≤m，100.2≤(100m+a)≤102，0.05≤b≤0.5，0.05≤c≤2，0.05≤d≤1.3，0.1≤e≤1.0，0.02≤f≤0.15和0.2≤g≤2。使用这种组成，可以制备这样的一种单片陶瓷电容器：即使在因其介电层被进一步变薄而导致被施加高电场强度的电压时，也保持良好的介电特性和温度特性，并且在实现良好的绝缘性质、介电强度和高温负载寿命上具有优异的可靠性。

公开(公告)号：CN1527331A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200410008201.2

申请日：2004-03-01

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村友幸 ,  加藤成 ,  武藤和夫 ,  佐野晴信

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/00 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01G4/1227 ,  Y10T29/43

Abstract: 本发明提供了一种在还原性气氛中经过焙烧而形成的介电陶瓷。通过使用上述的介电陶瓷而形成的多层陶瓷电容器，甚至当从那里形成的介电陶瓷层的厚度减小时，也具有优良的可靠性。该介电陶瓷具有晶粒；和位于晶粒之间的晶粒间界和三相点。晶粒包括：由ABO3(其中A是Ba和Ca，或Ba、Ca和Sr；B是Ti，或者Ti和其被Zr和Hf中的至少一种所代替的一部分)表示的钙钛矿化合物组成的钙钛矿晶粒，和由包括至少Ba，Ti和Si的晶体氧化物所组成的晶体氧化物晶粒，约有80％或更多数量的三相点的截面面积各自为约8nm2或更小。