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公开(公告)号：CN107886989A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710896237.6
申请日：2017-09-28
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G11C17/18 , G11C17/16 , G11C29/78 , G11C29/812
Abstract: 一种半导体器件包括：第一非易失性存储区至第N非易失性存储区，每个非易失性存储区包括位于行线与列线之间的交叉点处的多个单元；储存电路，包括适用于储存从第一非易失性存储区至第N非易失性存储区传输来的数据的多个单元锁存器；以及操作控制电路，适用于在断裂模式期间，控制第一操作模式至第N操作模式的设置信息分别被编程在第一非易失性存储区至第N非易失性存储区中，以及在启动模式期间，控制从第一非易失性存储区传输来的数据被写入在单元锁存器中，并且响应于操作模式改变请求，控制从第二非易失性存储区至第N非易失性存储区中的一个非易失性存储区传输来的数据被重写在单元锁存器中。
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公开(公告)号：CN118230779A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410320195.1
申请日：2020-01-20
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C7/22
Abstract: 本发明提供一种使能信号生成电路及使用其的半导体装置。半导体装置包括命令解码电路和使能信号生成电路。命令解码电路基于命令信号和时钟信号来生成多个操作码和选通脉冲。使能信号生成电路基于多个操作码之中的一操作码的至少一部分与选通脉冲来生成种子信号，以及通过将种子信号移位来生成使能信号。使能信号生成电路在种子信号生成之后，基于多个操作码与选通脉冲来生成多个保护密钥，以及当多个保护密钥中的任何一个被禁止时防止使能信号的生成。
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公开(公告)号：CN111326204B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201910966323.9
申请日：2019-10-12
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 半导体装置包括熔丝阵列、储存电路、奇偶校验电路、熔丝数据寄存器、奇偶校验数据寄存器和错误校正电路。熔丝阵列储存有关故障地址的信息，并在启动操作期间将储存的信息输出为熔丝数据。储存电路储存熔丝数据并将储存的熔丝数据输出为储存信号。奇偶校验电路基于储存信号执行奇偶校验操作，并将奇偶校验操作的结果输出为奇偶校验信号。熔丝数据寄存器接收熔丝数据并将其储存在其中以及将所储存的数据输出为熔丝寄存器输出信号。奇偶校验数据寄存器接收奇偶校验信号并将其储存在其中以及将所储存的信息输出为奇偶校验寄存器输出信号。错误校正电路基于奇偶校验寄存器输出信号来校正熔丝寄存器输出信号的错误并将错误已校正的信号输出为修复信息。
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公开(公告)号：CN115775587A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210035649.1
申请日：2022-01-13
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C29/12
Abstract: 本发明公开了用于生成操作电压的电子器件和电子系统。该电子器件可以包括：控制脉冲生成电路，其在测试时段期间基于参考码来选择性地生成第一控制脉冲和第二控制脉冲中的一个；以及电压控制码生成电路，其基于第一控制脉冲和第二控制脉冲对电压控制码的逻辑位组执行加法运算或减法运算，以设置操作电压的电压电平。
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公开(公告)号：CN112037829B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202010064556.2
申请日：2020-01-20
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C7/22
Abstract: 本发明提供一种使能信号生成电路及使用其的半导体装置。半导体装置包括命令解码电路和使能信号生成电路。命令解码电路基于命令信号和时钟信号来生成多个操作码和选通脉冲。使能信号生成电路基于多个操作码之中的一操作码的至少一部分与选通脉冲来生成种子信号，以及通过将种子信号移位来生成使能信号。使能信号生成电路在种子信号生成之后，基于多个操作码与选通脉冲来生成多个保护密钥，以及当多个保护密钥中的任何一个被禁止时防止使能信号的生成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114999560A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110670296.8
申请日：2021-06-17
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C29/44
Abstract: 本申请公开了执行修复操作的装置。该装置包括：启动控制电路，其被配置为：当执行第一启动操作时，通过从熔丝电路接收第一熔丝数据和熔丝信息来锁存所述第一熔丝数据，以及被配置为：当执行第二启动操作时，通过基于所述熔丝信息从所述熔丝电路接收第二熔丝数据来锁存所述第二熔丝数据；以及断裂控制电路，其被配置为通过基于所述熔丝信息使所述熔丝电路断裂来将故障地址储存为所述第二熔丝数据。
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公开(公告)号：CN114974396A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110641001.4
申请日：2021-06-09
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 本申请公开了用于执行测试的存储器件和存储系统。该存储器件包括：数据储存电路，其被配置为：当执行写入操作时，将第一内部写入数据和第二内部写入数据储存在通过内部地址访问的存储单元阵列中；以及当执行读取操作时，输出被储存在通过所述内部地址访问的存储单元阵列中的数据作为内部读取数据；以及标志发生电路，其被配置为基于所述内部读取数据来产生用于控制数据选通信号的产生的标志。
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公开(公告)号：CN112037829A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010064556.2
申请日：2020-01-20
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C7/22
Abstract: 本发明提供一种使能信号生成电路及使用其的半导体装置。半导体装置包括命令解码电路和使能信号生成电路。命令解码电路基于命令信号和时钟信号来生成多个操作码和选通脉冲。使能信号生成电路基于多个操作码之中的一操作码的至少一部分与选通脉冲来生成种子信号，以及通过将种子信号移位来生成使能信号。使能信号生成电路在种子信号生成之后，基于多个操作码与选通脉冲来生成多个保护密钥，以及当多个保护密钥中的任何一个被禁止时防止使能信号的生成。
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公开(公告)号：CN115705902A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210008870.8
申请日：2022-01-06
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C29/00
Abstract: 本公开涉及用于控制修复操作的半导体器件。该半导体器件包括标志生成电路，该标志生成电路被配置为：接收根据基于熔丝组选择信号从熔丝组中选择的熔丝组所生成的区域熔丝数据和使用熔丝数据，以及基于区域熔丝数据和使用熔丝数据来生成存储体资源标志以控制对尚未被执行修复操作的存储体的修复操作。半导体器件还包括修复控制电路，该修复控制电路被配置为基于存储体资源标志来控制对共用熔丝组的存储体的修复操作。
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公开(公告)号：CN114913909A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110664163.X
申请日：2021-06-16
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C29/02
Abstract: 本公开涉及配置成执行测试操作的装置。装置包括：选择数据生成电路，被配置为根据是否进入故障测试而从熔丝数据生成选择数据或生成具有预设测试输入图案的选择数据；以及故障标志生成电路，被配置为通过锁存选择数据来生成锁存数据，并通过检测锁存数据是否具有预设测试图案来生成故障标志。
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