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公开(公告)号:CN117063621A
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202280024109.1
申请日:2022-02-18
Applicant: 电化株式会社
IPC: H05K3/20
Abstract: 本发明的电路基板的制造方法包括:将具有开口部(31)的板状构件(30)配置于半固化物复合体片(10)之上的工序;将金属箔切割加工品(20)嵌合于板状构件(30)的开口部(31)而配置在配置有板状构件(30)的半固化物复合体片(10)之上的工序;对配置有板状构件(30)及金属箔切割加工品(20)的半固化物复合体片(10)一边加热一边加压从而制作第1层叠体的工序;和从第1层叠体除去板状构件(30)从而制作第2层叠体的工序,金属箔切割加工品(20)的厚度与板状构件(30)的厚度之间的差的绝对值为0.25mm以下,绝缘击穿电压为3.5kV以上。根据本发明,能够提供电路基板的制造方法,其即使在包含多孔质陶瓷和将该多孔质陶瓷的空隙填充的热固性组合物的半固化物的半固化物复合体片上粘贴对金属箔进行切割加工而得到的金属箔切割加工品、并进行加压,也能够抑制在半固化物复合体片中产生裂纹。
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公开(公告)号:CN118765260A
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202380020526.3
申请日:2023-02-14
Applicant: 电化株式会社
IPC: C01B21/064 , C08L63/00 , C08K3/38
Abstract: 本发明提供能够得到流动性优异的树脂组合物的球状氮化硼粒子、含有球状氮化硼粒子的树脂用填充剂及树脂组合物、以及球状氮化硼粒子的制造方法。本发明的球状氮化硼粒子,由利用X射线光电子能谱法测定的O1s波峰强度算出的半定量值与由B1s波峰强度算出的半定量值的B1s/O1s比为90以下。针对在环氧树脂中填充了15体积%的球状氮化硼粒子的混合物,在25℃下、使剪切速度由0.01(1/s)变化至100(1/s)测定的黏度中,以剪切速度为1(1/s)时测定的黏度η1与剪切速度为10(1/s)时测定的黏度η2的比(η1/η2)表示的触变指数(T.I值)优选为2以下。
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