公开(公告)号：CN104620097A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380047045.8

申请日：2013-08-01

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： G·马尔库奇利 ,  A·威德曼 ,  E·张 ,  J·鲁滨逊 ,  A·帕克

IPC: G01N21/956 ,  H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC classification number: G06T7/0004 ,  G06T7/001 ,  G06T2207/10061 ,  G06T2207/30148

Abstract: 本发明提供用于检验晶片及/或预测形成于晶片上的装置的一或多个特性的方法。一种方法包含：获取印刷于晶片上的多个裸片的图像，所述裸片中的每一者是通过对所述晶片执行双重图案化光刻过程而印刷，且所述裸片包含以针对所述双重图案化光刻过程的叠对的标称值印刷的两个或两个以上裸片以及以所述叠对的经调制值印刷的一或多个裸片；将针对以所述标称值印刷的所述多个裸片所获取的所述图像与针对以所述经调制值印刷的所述多个裸片所获取的所述图像进行比较；及基于所述比较步骤的结果来检测以所述经调制值印刷的所述多个裸片中的缺陷。

公开(公告)号：CN104620097B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201380047045.8

申请日：2013-08-01

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： G·马尔库奇利 ,  A·威德曼 ,  E·张 ,  J·鲁滨逊 ,  A·帕克

IPC: G01N21/956 ,  H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC classification number: G06T7/0004 ,  G06T7/001 ,  G06T2207/10061 ,  G06T2207/30148

Abstract: 本发明提供用于检验晶片及/或预测形成于晶片上的装置的一或多个特性的方法。一种方法包含：获取印刷于晶片上的多个裸片的图像，所述裸片中的每一者是通过对所述晶片执行双重图案化光刻过程而印刷，且所述裸片包含以针对所述双重图案化光刻过程的叠对的标称值印刷的两个或两个以上裸片以及以所述叠对的经调制值印刷的一或多个裸片；将针对以所述标称值印刷的所述多个裸片所获取的所述图像与针对以所述经调制值印刷的所述多个裸片所获取的所述图像进行比较；及基于所述比较步骤的结果来检测以所述经调制值印刷的所述多个裸片中的缺陷。

公开(公告)号：CN105793970A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480065989.2

申请日：2014-11-05

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： A·帕克 ,  C·马克奈顿 ,  E·张

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/93 ,  G01B11/06 ,  G01B11/0675 ,  G01B2210/56 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/956 ,  G01N2201/061 ,  G01N2201/105 ,  G01N2201/11 ,  G01N2201/125 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70616

Abstract: 本发明提供用于确定晶片检验过程的一或多个参数的方法及系统。一种方法包含采集由晶片计量系统产生的针对晶片的计量数据。所述方法还包含基于所述计量数据而确定用于所述晶片或另一晶片的晶片检验过程的一或多个参数。

公开(公告)号：CN104870984A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201380067473.7

申请日：2013-11-12

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： J·林 ,  A·帕克 ,  E·张 ,  R·威灵福德 ,  S·龙 ,  C·巴哈斯卡尔

IPC: G01N21/88 ,  G06T7/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: G06T7/001 ,  G06T2207/30148

Abstract: 混合模式包含接收检验结果，所述检验结果包含晶片的选定区域的一或多个图像，所述一或多个图像包含一或多个晶片裸片，所述一或多个晶片裸片包含一组重复块，所述组重复块包含一组重复单元。另外，混合模式检验包含调整所述一或多个图像的像素大小，以将每一单元、块及裸片映射到整数数目个像素。此外，混合模式检验包含：比较第一晶片裸片与第二晶片裸片，以识别所述第一晶片裸片或所述第二晶片裸片中的一或多个缺陷的发生；比较第一块与第二块，以识别所述第一块或所述第二块中的一或多个缺陷的发生；及比较第一单元与第二单元，以识别所述第一单元或所述第二单元中的一或多个缺陷的发生。

公开(公告)号：CN105793970B

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201480065989.2

申请日：2014-11-05

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： A·帕克 ,  C·马克奈顿 ,  E·张

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/93 ,  G01B11/06 ,  G01B11/0675 ,  G01B2210/56 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/956 ,  G01N2201/061 ,  G01N2201/105 ,  G01N2201/11 ,  G01N2201/125 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70616

Abstract: 本发明提供用于确定晶片检验过程的一或多个参数的方法及系统。一种方法包含采集由晶片计量系统产生的针对晶片的计量数据。所述方法还包含基于所述计量数据而确定用于所述晶片或另一晶片的晶片检验过程的一或多个参数。