基板的制造方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1307279C

    公开(公告)日:2007-03-28

    申请号:CN200410049278.4

    申请日:2004-06-09

    CPC classification number: C09K3/1463 B24B37/044 C09G1/02

    Abstract: 本发明涉及基板的制造方法、基板的研磨方法,及减少基板微小表面波纹的方法,所述方法包括用含有研磨材料和水的研磨液组合物和具有平均气孔径为1~35μm的表面部材的研磨垫研磨被研磨基板的工序。本发明还涉及减少擦伤的方法,所述方法包括用含有研磨材料、氧化剂、酸、其盐或其混合物及水的研磨液组合物和具有平均气孔径为1~35μm的表面部材的研磨垫研磨被研磨基板的工序。基板的制造方法可以用于记忆硬盘的最终研磨和半导体元件的研磨。

    研磨液组合物
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1295293C

    公开(公告)日:2007-01-17

    申请号:CN200410004018.5

    申请日:2004-02-05

    CPC classification number: C09G1/02 C09K3/1409 C09K3/1436 C09K3/1463

    Abstract: 一种记忆硬盘用基板用的研磨液组合物,包含在水基介质中的硅石微粒,其中所述硅石微粒满足用透射型电子显微镜(TEM)观察测定得到的该硅石微粒的数基平均粒径与数基标准偏差之间的特定关系,且其中在该硅石微粒的粒径60~120nm范围内累积体积频度与粒径之间满足一种特定关系;一种记忆硬盘用基板的微小起伏降低方法,包含用该研磨液组合物对记忆硬盘用基板进行研磨的步骤;一种记忆硬盘用基板的制造方法,包含用该研磨液组合物对镀Ni-P的记忆硬盘用基板进行研磨的步骤;该方法适合用于记忆硬盘用基板等精密部件用基板的制造。

    基板的制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1572858A

    公开(公告)日:2005-02-02

    申请号:CN200410049278.4

    申请日:2004-06-09

    CPC classification number: C09K3/1463 B24B37/044 C09G1/02

    Abstract: 本发明涉及基板的制造方法、基板的研磨方法,及减少基板微小表面波纹的方法,所述方法包括用含有研磨材料和水的研磨液组合物和具有平均气孔径为1~35μm的表面部材的研磨垫研磨被研磨基板的工序。本发明还涉及减少擦伤的方法,所述方法包括用含有研磨材料、氧化剂、酸、其盐或其混合物及水的研磨液组合物和具有平均气孔径为1~35μm的表面部材的研磨垫研磨被研磨基板的工序。基板的制造方法可以用于记忆硬盘的最终研磨和半导体元件的研磨。

    研磨液组合物
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1475541A

    公开(公告)日:2004-02-18

    申请号:CN03152471.0

    申请日:2003-07-31

    CPC classification number: C09G1/02 B24B37/044 C09K3/1463 Y10T428/32

    Abstract: 一种研磨液组合物,含有研磨材、水、和有机酸或其盐,其剪切速度1500s-1时的在25℃的特定粘度为1.0-2.0MPa·s;一种倒棱降低剂,由具有用下式表示(粘度降低量=基准研磨液组合物的粘度-含有倒棱降低剂的研磨液组合物的粘度)的粘度降低量为0.01MPa·s以上的粘度降低作用的布朗斯台德酸或其盐构成,其中,基准研磨液组合物由研磨材20重量份、柠檬酸1重量份及水79重量份构成,含有倒棱降低剂的研磨液组合物由研磨材20重量份、柠檬酸1重量份、水78.9重量份及倒棱降低剂0.1重量份构成,粘度是指在剪切速度1500s-1、25℃下的粘度。前述研磨液组合物或倒棱降低剂组合物可很好地用于精密部件用基板等的研磨。

    研磨液组合物
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1286939C

    公开(公告)日:2006-11-29

    申请号:CN03155318.4

    申请日:2003-08-27

    Abstract: 本发明提供,一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物,粒径在2~200nm范围的研磨粒子,其含量为50体积%以上,且研磨粒子中粒径在2nm以上且小于58nm的粒子,粒径在58nm以上且小于75nm的粒子,粒径在75nm至200nm的粒子分别占研磨粒子总量的40~75体积%,0~50体积%,10~60体积%;一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物,其中平均粒径为2~50nm的研磨粒子组A和平均粒径为52~200nm的研磨粒子组B的重量比A/B为0.5/1~4.5/1;使用该研磨液组合物的研磨方法、半导体基板的平坦化方法及半导体装置的制造方法。

    抛光组合物
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1247731C

    公开(公告)日:2006-03-29

    申请号:CN01117604.0

    申请日:2001-04-27

    CPC classification number: C09G1/02

    Abstract: 本发明涉及一种辗轧减少剂,它含有一种或多种选自具有2-20个碳原子并具有OH基团(一个或多个)或SH基团(一个或多个)的羧酸、具有1-20个碳原子的单羧酸、具有2-3个碳原子的二羧酸及其盐的化合物;和一种辗轧减少剂组合物,它含有一种辗轧减少剂,该辗轧减少剂含有一种或多种选自具有2-20个碳原子并具有OH基团(一个或多个)或SH基团(一个或多个)的羧酸、具有1-20个碳原子的单羧酸、具有2-3个碳原子的二羧酸及其盐的化合物和研磨剂及水。

    研磨液组合物
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1673306A

    公开(公告)日:2005-09-28

    申请号:CN200510059065.4

    申请日:2005-03-22

    CPC classification number: C09G1/02 B24B37/044 C09K3/1436 C09K3/1463

    Abstract: 本发明涉及一种包含水系介质和氧化硅粒子的研磨液组合物,其中氧化硅粒子的ζ电位为-15~40mV;涉及一种基板的制造方法,其包括如下工序:使用将包含水系介质与氧化硅粒子的研磨液组合物中的氧化硅粒子的ζ电位调节到-15~40mV的研磨液组合物,对被研磨基板进行研磨;涉及一种降低被研磨基板划痕的方法,其将包含水系介质和氧化硅粒子的研磨液组合物中的氧化硅粒子的ζ电位调节至-15~40mV。本发明的研磨液组合物适用于精密部件基板,例如磁盘、光盘、磁光盘等磁性记录介质的基板、光掩模基板、光学透镜、光学反射镜、光学棱镜、半导体基板等精密部件基板的研磨中。

    研磨液组合物
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1488702A

    公开(公告)日:2004-04-14

    申请号:CN03155318.4

    申请日:2003-08-27

    Abstract: 本发明提供,一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物,粒径在2~200nm范围的研磨粒子,其含量为50体积%以上,且研磨粒子中粒径在2nm以上且小于58nm的粒子,粒径在58nm以上且小于75nm的粒子,粒径在75nm至200nm的粒子分别占研磨粒子总量的40~75体积%,0~50体积%,10~60体积%;一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物,其中平均粒径为2~50nm的研磨粒子组A和平均粒径为52~200nm的研磨粒子组B的重量比A/B为0.5/1~4.5/1;使用该研磨液组合物的研磨方法、半导体基板的平坦化方法及半导体装置的制造方法。

    磁盘用研磨液试剂盒
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1613607B

    公开(公告)日:2012-02-01

    申请号:CN200410078477.8

    申请日:2004-09-09

    CPC classification number: B24B37/048 B24B37/00 C09G1/02

    Abstract: 本发明提供一种磁盘用研磨液试剂盒,其包含:含有氧化铝的浆料(A)、含有氧化剂的氧化剂液(B)、和含有酸的酸剂液(C)。另一种磁盘用研磨液试剂盒,其包含:含有氧化铝的浆料(A)、和含有氧化剂和无机酸的添加剂液(D)。又一种磁盘用研磨液试剂盒,其包含:含有氧化铝的浆料(A)、和含有酸的酸剂液(C),并且与含有氧化剂的氧化剂液(B)一起使用。本发明的磁盘用研磨液试剂盒可以适宜地用于制造高品质的硬盘等磁盘基板。

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