公开(公告)号：CN105070801B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201510508722.2

申请日：2015-08-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  郝跃 ,  任泽阳 ,  李培咸 ,  张进成 ,  姜腾 ,  蒋仁渊 ,  马晓华

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明公开了一种非Si掺杂无InGaN光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)将r面蓝宝石衬底置于MOCVD反应室中进行热处理；2)在热处理后的衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层；3)在成核层之上生长厚度为0.2‑100μm，O掺杂浓度为2×1017cm‑3～2×1019cm‑3，C掺杂浓度为1×1017cm‑3～1×1019cm‑3的高温n型GaN有源层；4)在有源层之上生长厚度为0.01‑10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm‑3～5×1019cm‑3的高温p型GaN层。本发明具有工艺简单，成本低，发光效率高的优点，可用于制作非极性a面GaN黄光发光二极管。

公开(公告)号：CN105140365A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510508696.3

申请日：2015-08-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  郝跃 ,  任泽阳 ,  张进成 ,  李培咸 ,  姜腾 ,  蒋仁渊 ,  张金风

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/325 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明公开了一种基于c面蓝宝石衬底上Ga极性黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)对c面蓝宝石进行热处理；2)在热处理后衬底上生长厚度为10-200nm的低温成核层；3)在成核层上生长厚度为0.2-100μm，Si掺杂浓度为5×1017cm-3～5×1019cm-3，C掺杂浓度为1×1017cm-3～4×1019cm-3的高温n型GaN有源层；4)在有源层上生长厚度为5-200nm的AlGaN阻挡层；5)在阻挡层上生长厚度为0.01-10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm-3～5×1019cm-3的高温p型GaN层。本发明工艺简单，成本低，可用于制作Ga极性GaN黄光发光二极管。

公开(公告)号：CN105098017A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510510551.7

申请日：2015-08-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  郝跃 ,  任泽阳 ,  张进成 ,  李培咸 ,  姜腾 ,  蒋仁渊 ,  牛牧童

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/325 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明公开了一种基于c面蓝宝石衬底上N面黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)对c面蓝宝石进行热处理；2)在热处理后衬底上生长厚度为10-200nm的低温成核层；3)在成核层上生长厚度为0.2-100μm，Si掺杂浓度为5×1017cm-3～5×1019cm-3，C掺杂浓度为1×1017cm-3～4×1019cm-3的高温n型GaN有源层；4)在有源层上生长厚度为5-200nm的AlGaN阻挡层；5)在阻挡层上生长厚度为0.01-10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm-3～5×1019cm-3的高温p型GaN层。本发明工艺简单，成本低，可用于制作N面GaN黄光发光二极管。

公开(公告)号：CN103928502A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410165612.6

申请日：2014-04-23

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  姜腾 ,  郝跃 ,  张进成 ,  张春福 ,  林志宇 ,  陆小力 ,  倪洋

IPC: H01L29/267 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性GaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性GaN纳米线生长中工艺复杂、生长温度高、纳米线长度短的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1-20nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，将m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入镓源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性GaN纳米线。本发明具有工艺简单，高生长效率，方向一致的优点，可用于制作高性能极性GaN纳米器件。

公开(公告)号：CN106816363B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201710021593.3

申请日：2017-01-12

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  赵颖 ,  范晓萌 ,  李培咸 ,  牛牧童 ,  张进成 ,  林志宇 ,  姜腾 ,  郝跃

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明公开了一种基于m面Al2O3衬底的半极性AlN薄膜及制备方法，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用昂贵的问题。该薄膜自下而上包括：200‑500μm厚的m面Al2O3衬底层、20‑100nm厚的AlN成核层、1000‑3000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和500‑1000nm厚的半极性AlN层，其中m面Al2O3衬底层的表面设有通过金刚石砂纸打磨形成的锯齿条纹，Al组分渐变AlGaN层的Al组分从0.01渐变至1，本发明减小应力，简化图形衬底制作的工艺流程，缩短制作周期和减小费用成本，提高了AlN材料的质量，可用于制作半极性AlN基的紫外和深紫外半导体器件。

公开(公告)号：CN106784227B

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201710021289.9

申请日：2017-01-12

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 周小伟 ,  赵颖 ,  杜金娟 ,  许晟瑞 ,  张进成 ,  樊永祥 ,  姜腾 ,  郝跃

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/22 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种基于c面SiC图形衬底的极性c面AlN薄膜，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：100‑500μm厚的c面SiC衬底层、10‑150nm厚的GaN成核层、1000‑6000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和500‑3000nm厚的极性c面AlN层，其中c面SiC衬底层的表面设有由金刚石砂纸打磨形成的衬底条纹，以提高AlN材料的质量；Al组分渐变AlGaN层的Al组分从5％渐变至100％，用以降低AlN材料的应力。本发明的制备过程简单，缩短了制作周期和减小费用成本，可用于制作极性c面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。

公开(公告)号：CN105140365B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201510508696.3

申请日：2015-08-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  郝跃 ,  任泽阳 ,  张进成 ,  李培咸 ,  姜腾 ,  蒋仁渊 ,  张金风

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种基于c面蓝宝石衬底上Ga极性黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)对c面蓝宝石进行热处理；2)在热处理后衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层；3)在成核层上生长厚度为0.2‑100μm，Si掺杂浓度为5×1017cm‑3～5×1019cm‑3，C掺杂浓度为1×1017cm‑3～4×1019cm‑3的高温n型GaN有源层；4)在有源层上生长厚度为5‑200nm的AlGaN阻挡层；5)在阻挡层上生长厚度为0.01‑10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm‑3～5×1019cm‑3的高温p型GaN层。本发明工艺简单，成本低，可用于制作Ga极性GaN黄光发光二极管。

公开(公告)号：CN106856162A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201710021836.3

申请日：2017-01-12

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  赵颖 ,  范晓萌 ,  李培咸 ,  牛牧童 ,  张进成 ,  林志宇 ,  姜腾 ,  郝跃

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/13

Abstract: 本发明公开了一种基于r面Al2O3衬底的非极性a面AlN薄膜，主要解决现有工艺流程复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500um厚的r面Al2O3衬底层、30‑110nm厚的AlN成核层、1500‑5500nm厚的Al组分渐变AlGaN层和700‑1200nm厚的非极性a面AlN层，其中r面Al2O3衬底层的表面有由金刚石砂纸打磨形成的锯齿状条纹，Al组分渐变AlGaN层的Al组分从0.01渐变至1。本发明的制备过程无需进行光刻，缩短了制作周期和减小费用成本，可用于制作非极性a面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。

公开(公告)号：CN106784228A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710021851.8

申请日：2017-01-12

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  赵颖 ,  彭若诗 ,  张进成 ,  林志宇 ,  樊永祥 ,  姜腾 ,  郝跃

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/22 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明公开了一种基于r面SiC衬底的非极性a面AlN薄膜，主要解决现有非极性a面AlN薄膜制备工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500μm厚的r面SiC衬底层、50‑150nm厚的GaN成核层、1000‑8000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和1500‑3000nm厚的非极性a面AlN层，其中r面SiC衬底层的表面设有由金刚石砂纸打磨形成的衬底条纹，用以提高AlN材料的质量；Al组分渐变AlGaN层的Al组分从5％渐变至100％，用以降低AlN材料的应力。本发明无需进行光刻，缩短了制作周期，减小费用成本，可用于制作非极性a面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。

公开(公告)号：CN106784227A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710021289.9

申请日：2017-01-12

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 周小伟 ,  赵颖 ,  杜金娟 ,  许晟瑞 ,  张进成 ,  樊永祥 ,  姜腾 ,  郝跃

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/22 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明公开了一种基于c面SiC图形衬底的极性c面AlN薄膜，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：100‑500um厚的c面SiC衬底层、10‑150nm厚的GaN成核层、1000‑6000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和500‑3000nm厚的极性c面AlN层，其中c面SiC衬底层的表面设有由金刚石砂纸打磨形成的衬底条纹，以提高AlN材料的质量；Al组分渐变AlGaN层的Al组分从5％渐变至100％，用以降低AlN材料的应力。本发明的制备过程简单，缩短了制作周期和减小费用成本，可用于制作极性c面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。