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公开(公告)号：CN105070801B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201510508722.2
申请日：2015-08-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种非Si掺杂无InGaN光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)将r面蓝宝石衬底置于MOCVD反应室中进行热处理；2)在热处理后的衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层；3)在成核层之上生长厚度为0.2‑100μm，O掺杂浓度为2×1017cm‑3～2×1019cm‑3，C掺杂浓度为1×1017cm‑3～1×1019cm‑3的高温n型GaN有源层；4)在有源层之上生长厚度为0.01‑10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm‑3～5×1019cm‑3的高温p型GaN层。本发明具有工艺简单，成本低，发光效率高的优点，可用于制作非极性a面GaN黄光发光二极管。
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公开(公告)号：CN105140365A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510508696.3
申请日：2015-08-18
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/0066 , H01L33/0075
Abstract: 本发明公开了一种基于c面蓝宝石衬底上Ga极性黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)对c面蓝宝石进行热处理；2)在热处理后衬底上生长厚度为10-200nm的低温成核层；3)在成核层上生长厚度为0.2-100μm，Si掺杂浓度为5×1017cm-3～5×1019cm-3，C掺杂浓度为1×1017cm-3～4×1019cm-3的高温n型GaN有源层；4)在有源层上生长厚度为5-200nm的AlGaN阻挡层；5)在阻挡层上生长厚度为0.01-10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm-3～5×1019cm-3的高温p型GaN层。本发明工艺简单，成本低，可用于制作Ga极性GaN黄光发光二极管。
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公开(公告)号：CN105098017A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510510551.7
申请日：2015-08-18
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开了一种基于c面蓝宝石衬底上N面黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)对c面蓝宝石进行热处理；2)在热处理后衬底上生长厚度为10-200nm的低温成核层；3)在成核层上生长厚度为0.2-100μm，Si掺杂浓度为5×1017cm-3～5×1019cm-3，C掺杂浓度为1×1017cm-3～4×1019cm-3的高温n型GaN有源层；4)在有源层上生长厚度为5-200nm的AlGaN阻挡层；5)在阻挡层上生长厚度为0.01-10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm-3～5×1019cm-3的高温p型GaN层。本发明工艺简单，成本低，可用于制作N面GaN黄光发光二极管。
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公开(公告)号：CN103928502A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410165612.6
申请日：2014-04-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/267 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/0262
Abstract: 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性GaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性GaN纳米线生长中工艺复杂、生长温度高、纳米线长度短的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1-20nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，将m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入镓源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性GaN纳米线。本发明具有工艺简单，高生长效率，方向一致的优点，可用于制作高性能极性GaN纳米器件。
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公开(公告)号：CN106816363B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201710021593.3
申请日：2017-01-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种基于m面Al2O3衬底的半极性AlN薄膜及制备方法，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用昂贵的问题。该薄膜自下而上包括：200‑500μm厚的m面Al2O3衬底层、20‑100nm厚的AlN成核层、1000‑3000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和500‑1000nm厚的半极性AlN层，其中m面Al2O3衬底层的表面设有通过金刚石砂纸打磨形成的锯齿条纹，Al组分渐变AlGaN层的Al组分从0.01渐变至1，本发明减小应力，简化图形衬底制作的工艺流程，缩短制作周期和减小费用成本，提高了AlN材料的质量，可用于制作半极性AlN基的紫外和深紫外半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106784227B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201710021289.9
申请日：2017-01-12
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于c面SiC图形衬底的极性c面AlN薄膜，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：100‑500μm厚的c面SiC衬底层、10‑150nm厚的GaN成核层、1000‑6000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和500‑3000nm厚的极性c面AlN层，其中c面SiC衬底层的表面设有由金刚石砂纸打磨形成的衬底条纹，以提高AlN材料的质量；Al组分渐变AlGaN层的Al组分从5％渐变至100％，用以降低AlN材料的应力。本发明的制备过程简单，缩短了制作周期和减小费用成本，可用于制作极性c面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。
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公开(公告)号：CN105140365B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201510508696.3
申请日：2015-08-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于c面蓝宝石衬底上Ga极性黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)对c面蓝宝石进行热处理；2)在热处理后衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层；3)在成核层上生长厚度为0.2‑100μm，Si掺杂浓度为5×1017cm‑3～5×1019cm‑3，C掺杂浓度为1×1017cm‑3～4×1019cm‑3的高温n型GaN有源层；4)在有源层上生长厚度为5‑200nm的AlGaN阻挡层；5)在阻挡层上生长厚度为0.01‑10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm‑3～5×1019cm‑3的高温p型GaN层。本发明工艺简单，成本低，可用于制作Ga极性GaN黄光发光二极管。
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公开(公告)号：CN106856162A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201710021836.3
申请日：2017-01-12
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于r面Al2O3衬底的非极性a面AlN薄膜，主要解决现有工艺流程复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500um厚的r面Al2O3衬底层、30‑110nm厚的AlN成核层、1500‑5500nm厚的Al组分渐变AlGaN层和700‑1200nm厚的非极性a面AlN层，其中r面Al2O3衬底层的表面有由金刚石砂纸打磨形成的锯齿状条纹，Al组分渐变AlGaN层的Al组分从0.01渐变至1。本发明的制备过程无需进行光刻，缩短了制作周期和减小费用成本，可用于制作非极性a面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。
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公开(公告)号：CN106784228A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710021851.8
申请日：2017-01-12
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/22
Abstract: 本发明公开了一种基于r面SiC衬底的非极性a面AlN薄膜，主要解决现有非极性a面AlN薄膜制备工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500μm厚的r面SiC衬底层、50‑150nm厚的GaN成核层、1000‑8000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和1500‑3000nm厚的非极性a面AlN层，其中r面SiC衬底层的表面设有由金刚石砂纸打磨形成的衬底条纹，用以提高AlN材料的质量；Al组分渐变AlGaN层的Al组分从5％渐变至100％，用以降低AlN材料的应力。本发明无需进行光刻，缩短了制作周期，减小费用成本，可用于制作非极性a面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。
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公开(公告)号：CN106784227A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710021289.9
申请日：2017-01-12
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/22
Abstract: 本发明公开了一种基于c面SiC图形衬底的极性c面AlN薄膜，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：100‑500um厚的c面SiC衬底层、10‑150nm厚的GaN成核层、1000‑6000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和500‑3000nm厚的极性c面AlN层，其中c面SiC衬底层的表面设有由金刚石砂纸打磨形成的衬底条纹，以提高AlN材料的质量；Al组分渐变AlGaN层的Al组分从5％渐变至100％，用以降低AlN材料的应力。本发明的制备过程简单，缩短了制作周期和减小费用成本，可用于制作极性c面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。
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