-
公开(公告)号：CN118276058A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410215382.3
申请日：2024-02-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S7/497
Abstract: 本发明公开了一种应用于卷帘式曝光激光雷达的自测校准方法，卷帘式曝光激光雷达，包括：SPAD传感器芯片、读出电路芯片和信号处理模块；本发明提出的自测校准方法通过引入校准信号至读出电路芯片中的SPAD淬灭电路模块，利用读出电路芯片和信号处理模块得到实测的校准信号与启动信号的时间差；再将实测的时间差和预设的校准信号与启动信号的时间差进行对比，得到信号传输的延时误差，从而进行测量校准；能够在不需要配合卷帘式曝光激光雷达中SPAD传感器芯片的情况下实现校准；同时，选用的校准信号为电信号，不存在信号响应概率、响应延时的问题，能够精确测量信号的传输延时导致的测量误差，避免了功耗的增加和稳定性的降低。
-
公开(公告)号：CN115955846A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310141282.6
申请日：2023-02-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H10B99/00 , H01L29/778 , H01L29/88 , H01L29/423 , H01L29/788 , H01L21/8252 , H01L21/02 , C23C16/18 , C23C16/44
Abstract: 本发明公开了一种集成有氮化物器件的非易失性多值逻辑存储器，主要解决现有氮化物非易失性存储器功耗高、寿命短、逻辑态对比度低、存储密度低的问题。其自下而上包括衬底、场效应晶体管、浮栅层、共振隧穿二极管、隔离层、栅极接触层和栅电极。该场效应晶体管由成核层、缓冲层、背势垒层、沟道层、插入层、第一势垒层、源漏电极构成，该共振隧穿二极管由第二势垒层、第一量子阱层、第三势垒层、第二量子阱层、第四势垒层构成。通过调控场效应晶体管异质结界面沟道的载流子浓度控制沟道的开启与关闭，通过共振隧穿二极管的微分负阻效应实现多值态输出电流。本发明功耗低、寿命长、逻辑态对比度高、可靠性强，可用于高密度存储和多值逻辑电路。
-
公开(公告)号：CN113437484A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110526113.5
申请日：2021-05-14
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于天线技术领域，公开了一种基于色散媒质的频率扫描天线、控制方法及应用，包括色散斜劈媒质块和馈电阵列。色散斜劈媒质块覆盖于馈电阵列上且预留间隔。本发明利用色散斜劈媒质块产生的色散相移和斜坡产生的基础相移叠加后形成随频率变化的相位差。当相位差附加在常规均匀馈电阵列相邻单元上可以实现波束随频率扫描。当相位差附加在传统频扫天线时，可以实现对扫描角度的拓宽。进一步，色散媒质还可以将传统频扫天线中心频点一侧频带对应的扫描范围扩展至越过法线，且波束过零点驻波不会升高，解决了传统频扫天线在过零点处驻波突然升高的问题，提升了频扫范围内天线系统的整体口径利用效率。
-
公开(公告)号：CN116406167A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310141307.2
申请日：2023-02-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H10B99/00 , H01L29/88 , H01L29/778 , H01L29/788 , H01L21/8252 , H01L21/02 , C30B25/02 , C30B29/40
Abstract: 本发明公开了一种氮化物非易失性的多值逻辑存储器及制作方法，主要解决现有氮化物非易失性存储器耐久性差、延迟高和漏电大的问题。其自下而上包括衬底、成核层、沟道层、浮栅层、第一势垒层、第一量子阱层、第二势垒层、隔离层、栅极接触层；该第一势垒层、第一量子阱层和第二势垒层构成第一共振隧穿二极管，第二势垒层与隔离层之间设有串联层、第三势垒层、第二量子阱层和第四势垒层，该第三势垒层、第二量子阱层和第四势垒层构成第二共振隧穿二极管，浮栅层两侧设有源电极和漏电极，栅极接触层上设有栅电极，形成三极管结构器件。本发明能增加写入和擦除的电流差，减小延迟和漏电，易实现多值逻辑状态，可用于高密度存储和多值逻辑电路。
-
公开(公告)号：CN116314350A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310226845.1
申请日：2023-03-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/88 , H01L29/15 , H01L23/373 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种砷化硼共振隧穿二极管，主要解决现有氮化镓共振隧穿二极管能带结构不对称、无双向对称微分负阻特性、峰值电流及峰谷电流比低的问题。该器件包括衬底、外延层、发射极欧姆接触层、第一隔离层、第一势垒层、量子阱层、第二势垒层、第二隔离层、集电极欧姆接触层和集电极；发射极欧姆接触层上设置环形发射极。其中，第一和第二势垒层采用厚度相同的砷化硼材料，发射极与集电极欧姆接触区采用组分与厚度均相同的n型硼镓铟砷材料，第一和第二隔离层及量子阱层采用组分相同的硼镓铟砷材料，衬底采用高热导率砷化硼单晶。本发明器件无自发极化效应并有双向对称微分负阻效应，峰值电流与峰谷电流比高，可用于太赫兹波源和数字逻辑电路。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115863392A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211656341.5
申请日：2022-12-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种低射频损耗硅基氮化镓高电子迁移率晶体管，主要解决现有硅衬底上氮化镓材料与硅衬底界面漏电及器件射频损耗大的问题。其自下而上包括硅衬底、射频损耗抑制层、沟道层、AlN插入层、势垒层，该势垒层上依次设有绝缘栅介质层和栅电极，两侧为源、漏电极。该射频损耗抑制层为AlN与过渡金属氮化物ScYAlN复合叠层结构，过渡金属氮化物层组分沿生长方向从AlN渐变到与沟道层面内晶格常数匹配的组分。本发明能避免硅衬底上采用MOCVD高温生长AlN成核层时铝原子与硅衬底的回熔刻蚀，抑制异质外延界面漏电和器件射频功率损耗，提高硅基氮化镓器件击穿电压和可靠性，可用于微波毫米波射频集成电路和高能效功率开关。
-
公开(公告)号：CN115763533A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211623684.1
申请日：2022-12-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种凹槽填充介质隔离漏电的同质外延GaN HEMT器件及其制作方法，主要解决现有器件同质外延界面漏电的问题。其自下而上包括GaN衬底、GaN缓冲层、背势垒层、沟道层、AlN插入层、势垒层和绝缘栅介质，AlN插入层和势垒层的两侧分别为欧姆接触区，欧姆接触区上设置源和漏电极，绝缘栅介质上设有栅电极；GaN缓冲层与GaN衬底上设有凹槽，该凹槽中和GaN衬底背面均填充且覆盖高热导率材料作为漏电隔离层，该源电极的欧姆接触区下方设有至漏电隔离层的通孔，该通孔内与漏电隔离层的下部淀积金属形成背电极。本发明无同质外延界面漏电，输出电流和功率密度高，散热效率高，可用于微波功率放大器和射频集成电路芯片。
-
公开(公告)号：CN112490300A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011181289.3
申请日：2020-10-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/107 , H01L27/144
Abstract: 本发明公开了一种共用深N阱的SPAD器件及其构成的光探测阵列，通过改变器件内部阴极N+以及阳极P+的位置，得阴极N+区域变小，阳极P+区域变大，使得有效的光探测区的面积占比更高，提高SPAD器件以及光探测阵列的填充因数。
-
公开(公告)号：CN112490300B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202011181289.3
申请日：2020-10-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/107 , H01L27/144
Abstract: 本发明公开了一种共用深N阱的SPAD器件及其构成的光探测阵列，通过改变器件内部阴极N+以及阳极P+的位置，得阴极N+区域变小，阳极P+区域变大，使得有效的光探测区的面积占比更高，提高SPAD器件以及光探测阵列的填充因数。
-
公开(公告)号：CN113687332B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202110775959.2
申请日：2021-07-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S7/4861
Abstract: 本发明公开了一种激光雷达中基于电容阵列电压合成技术的模拟前端电路，包括合成模块、多个感光元件和多个淬灭电路；其中，感光元件包括阴极，淬灭电路包括输入端和输出端，感光元件的阴极与淬灭电路的输入端电连接；电压合成模块包括多条支路和第一节点，各支路包括反相器及电容，反相器包括输入端和输出端，电容包括第一端和第二端，淬灭电路的输出端与反相器的输入端电连接，电容的第一端和第二端分别与反相器的输出端及第一节点电连接。由于流经反相器的电流极小，甚至可忽略不计，因此合成模块的功耗显著降低，并且当多个感光元件同时接收到光信号时，产生脉冲的相位并不相同，因而降低了产生误差的风险，有利于提高电压合成的精度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.027 seconds)
