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公开(公告)号：CN105223603A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410239971.1
申请日：2014-05-30
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 斯瑞尼迪·拉马钱德拉 , 徐悟生 , A·M·斯里瓦斯塔瓦 , 戈匹·钱德兰·拉马钱德兰 , 普拉三斯·库玛·纳玛瓦 , 谢尔盖·伊万诺维奇·杜林司基 , 海伦·克莱尔·克力门特
IPC: G01T1/202
CPC classification number: G01T1/2023 , G01T1/2018 , G01V5/04
Abstract: 揭示了辐射检测设备及相关方法。并且揭示了用于检测光子的方法和设备。该设备包括闪烁体单晶和与该闪烁体单晶耦合的雪崩光电二极管。该闪烁体单晶在大于约175℃的温度下且在约20Grm至约30Grm的范围内的冲击水平下。该闪烁体单晶包括选自以下的镨掺杂组合物：(LaxY1-x)2Si2O7：Pr，ABCl3-yXy：Pr，A2(Li，Na)LaCl6-yXy：Pr，或其任意组合。如本文所用，A是铯、铷、钾、钠、或其组合，B是钙、钡、锶、镁、镉、锌、或其组合，X是溴、碘、或其组合。而且0＜x＜1且0≤y＜3。
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公开(公告)号：CN103114335A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110365464.9
申请日：2011-11-17
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本发明涉及一种生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法，该方法包括：形成一个包括晶体生长区域和原位退火区域的整体温度场；将一个装有富碲材料和碲化镉或碲锌镉多晶材料的坩埚从所述晶体生长区域中通过，在该过程中，坩埚内的富碲材料熔化形成熔区，碲化镉或碲锌镉多晶材料逐渐溶解到所述熔区中，然后冷却析出碲化镉或碲锌镉单晶体；以及，将所述坩埚从所述原位退火区域中通过，在该过程中对所述晶体生长区域中生成的碲化镉或碲锌镉单晶体进行退火，以降低所述单晶体中的碲夹杂含量。
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公开(公告)号：CN104711550A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310686904.X
申请日：2013-12-13
Applicant: 通用电气公司
IPC: C23C20/00
Abstract: 本发明涉及表面处理方法及其所处理的装置，其中的表面处理方法包括：将基底材料与处理材料相接触，基底材料含有金属元素，处理材料含有碱土金属元素、碱金属元素、或其任意组合；及，在基底材料上形成表面层，该表面层含所述碱土金属元素、碱金属元素、或其任意组合的氧化物和所述金属元素的氧化物。一种装置，其包括：含有金属元素的基底层；及含有碱土金属元素、碱金属元素、或其任意组合的氧化物和所述金属元素的氧化物的表面层。
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公开(公告)号：CN104710845A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310686730.7
申请日：2013-12-13
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C04B35/50 , B01J19/0026 , B01J19/02 , B01J19/2415 , B01J21/066 , B01J23/002 , B01J23/10 , B01J37/0018 , B01J37/0036 , B01J37/0225 , B01J2219/0218 , C01G25/006 , C01P2002/34 , C01P2004/61 , C04B35/62222 , C04B35/6261 , C04B35/634 , C04B35/63416 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/768 , C04B2235/80 , C07C4/04 , C10G9/16 , C10G9/203 , C10G75/00
Abstract: 本发明涉及组合物及其相应的装置、方法，特别涉及一种可以在装置和方法中抑制碳材料副产品堆积的组合物，其包括：钙钛矿材料、或其前驱体；及，掺钇氧化铈、或其前驱体。
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公开(公告)号：CN104711024A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310686812.1
申请日：2013-12-13
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C10G75/00 , B01J19/02 , B01J2219/024 , C01G25/006 , C01G29/006 , C07C4/02 , C09D1/00 , C09D7/00 , C10G9/00 , C10G9/16 , C10G9/203 , C10G2300/4075
Abstract: 本发明涉及可暴露在碳材料副产品形成环境中的装置及其相应方法。对于可暴露在碳材料副产品形成环境中的表面的装置，该表面含化学式为AaBbO3-δ、具有ABO3钙钛矿结构的钙钛矿材料，其中0.9
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公开(公告)号：CN102344808A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010244643.2
申请日：2010-07-30
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本发明涉及一种闪烁体，其组成为(GdxLuyM1-x-y)2Si2O7，其中M为Ce、Pr或其组合。其中0.32＜x＜1；0＜＝y＜＝0.63；0＜1-x-y＜0.05；其中y＝0时，M为Ce和Pr的组合。本发明也涉及包含前述闪烁体的检测装置。本发明还涉及应用前述检测装置检测能量的方法，其包括：由闪烁体接收辐射能量，并且用与闪烁体连接的光子检测器检测闪烁体发射的光子。
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公开(公告)号：CN108393648A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201710069523.5
申请日：2017-02-08
Applicant: 通用电气公司
IPC: B23K37/06
CPC classification number: B23K1/0018 , B23K1/20 , B23K31/02 , B23K35/0244 , B23K35/224 , B23P6/002 , F01D5/005
Abstract: 本申请公开了一种用于在焊操作过程中防止焊料进入部件上孔内的塞堵材料，其包括：微米级金属氧化物颗粒，纳米级金属氧化物颗粒，和粘合剂。本申请还公开了一种在焊操作过程中防止焊料进入部件上孔内的方法，其包括预备呈浆状的塞堵材料，其中所述塞堵材料包括微米级金属氧化物颗粒，纳米级金属氧化物颗粒和粘合剂；将所述塞堵材料充入所述孔中；使所述孔中的所述塞堵材料干燥从而使所述孔密封；执行焊操作；在焊操作完成后去除塞堵材料。
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公开(公告)号：CN102031113B
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201010508034.3
申请日：2010-09-28
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01T1/202 , C09K11/7774
Abstract: 本发明提供一种闪烁体，所述闪烁体包含式(Lu1-x-y-zCexInyM1z)2SiO5的组合物，其中M1为Y、Sc、Gd或其组合；0.00001＜x＜0.05；0.000001＜y＜0.1；并且0≤z＜0.999989。本发明还提供包含上述闪烁体的晶体结构的检测装置。本发明还提供一种用上述检测装置检测能量的方法，所述方法包括通过闪烁体接收辐射；并用连接到闪烁体的光子检测器检测光子。
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