公开(公告)号：CN103077938B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201210416034.X

申请日：2012-10-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.S.卡什亚普 ,  D.M.谢多克 ,  E.A.安达拉维斯 ,  P.M.桑维克 ,  S.D.阿瑟 ,  V.逖尔卡

IPC: H01L23/62

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L23/3185 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8618 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的名称是“用于瞬时电压抑制器的方法和系统”。提供一种形成碳化硅瞬时电压抑制器（TVS）组件（218）的方法和用于瞬时电压抑制器（TVS）组件的系统。TVS组件包含采用台面结构的半导体芯片（302），该台面结构包含：具有第一极性的导电性的第一宽带隙半导体的第一层（306）；与第一层电接触地耦合的具有第二极性的导电性的第一或第二宽带隙半导体的第二层（308），其中第二极性不同于第一极性。TVS组件还包含与第二层电接触地耦合的具有第一极性的导电性的第一、第二或第三宽带隙半导体的第三层（312）。具有第二极性的导电性的层相对于具有第一极性的导电性的层轻掺杂。

公开(公告)号：CN103077938A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201210416034.X

申请日：2012-10-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.S.卡什亚普 ,  D.M.谢多克 ,  E.A.安达拉维斯 ,  P.M.桑维克 ,  S.D.阿瑟 ,  V.逖尔卡

IPC: H01L23/62

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L23/3185 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8618 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的名称是“用于瞬时电压抑制器的方法和系统”。提供一种形成碳化硅瞬时电压抑制器（TVS）组件（218）的方法和用于瞬时电压抑制器（TVS）组件的系统。TVS组件包含采用台面结构的半导体芯片（302），该台面结构包含：具有第一极性的导电性的第一宽带隙半导体的第一层（306）；与第一层电接触地耦合的具有第二极性的导电性的第一或第二宽带隙半导体的第二层（308），其中第二极性不同于第一极性。TVS组件还包含与第二层电接触地耦合的具有第一极性的导电性的第一、第二或第三宽带隙半导体的第三层（312）。具有第二极性的导电性的层相对于具有第一极性的导电性的层轻掺杂。

公开(公告)号：CN104347616B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201410357144.2

申请日：2014-07-25

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.S.卡什亚普 ,  P.M.桑维克 ,  周锐 ,  P.A.罗西

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L2924/0002

Abstract: 提供一种半导体组件和制造方法。单片集成半导体组件包括包含Si的衬底，氮化镓(GaN)GaN半导体装置在衬底上制作。半导体组件还包括在衬底之中或之上制作的至少一个瞬态电压抑制器(TVS)结构，其中TVS结构与GaN半导体装置电接触。TVS结构配置成在跨GaN半导体装置的所施加电压大于阈值电压时工作在穿通模式、雪崩模式或者它们的组合模式。

公开(公告)号：CN104347616A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410357144.2

申请日：2014-07-25

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.S.卡什亚普 ,  P.M.桑维克 ,  周锐 ,  P.A.罗西

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L2924/0002

Abstract: 提供一种半导体组件和制造方法。单片集成半导体组件包括包含Si的衬底，氮化镓(GaN)GaN半导体装置在衬底上制作。半导体组件还包括在衬底之中或之上制作的至少一个瞬态电压抑制器(TVS)结构，其中TVS结构与GaN半导体装置电接触。TVS结构配置成在跨GaN半导体装置的所施加电压大于阈值电压时工作在穿通模式、雪崩模式或者它们的组合模式。

公开(公告)号：CN103368159A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310103634.5

申请日：2013-03-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.J.克诺布罗赫 ,  E.A.安达拉维斯 ,  H.K.小马修斯 ,  A.S.卡什亚普

IPC: H02H9/04 ,  B64D45/02 ,  H01R13/66

CPC classification number: H01B7/2813 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/861 ,  H02H9/042 ,  H02H9/044 ,  Y10T29/49117

Abstract: 本发明涉及一种用于利用分布式瞬时电压抑制防雷的方法和系统。提供形成宽带隙半导体瞬时电压抑制(TVS)组件(200)的方法和用于瞬时电压抑制(TVS)组件(200)的系统。TVS组件包括连接元件(202)和瞬时电压抑制器件(210)，连接元件(202)构造成通过一个或更多个电气导管(208)将第一电气元件(204)电气联接于远离第一电气元件定位的第二电气元件(206)，瞬时电压抑制器件(210)定位在连接元件内，并且电气联接于一个或更多个电气导管，其中，TVS器件包括宽带隙半导体材料。