公开(公告)号：CN111129358A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911017018.1

申请日：2019-10-24

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 增茂邦雄 ,  中村伸宏 ,  渡边晓

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明提供实用性高的光电转换元件的制造方法。一种制造光电转换元件的方法，具有如下步骤：步骤(1)在基板上配置图案化前的第一电极；步骤(2)在上述图案化前的第一电极的上部配置由包含锌(Zn)、硅(Si)和氧(O)的金属氧化物构成的、图案化前的第一层；步骤(3)将上述图案化前的第一电极和上述图案化前的第一层一起图案化，形成图案化的第一电极和图案化的第一层；步骤(4)在上述图案化的第一层的上部配置光电转换层，所述光电转换层是将施加电压转换为光的层或者将入射光转换为电力的层；以及步骤(5)在上述光电转换层的上部配置第二电极。

公开(公告)号：CN108293281B

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201680069408.1

申请日：2016-11-21

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 细野秀雄 ,  云见日出也 ,  中村伸宏 ,  渡边晓 ,  渡边俊成 ,  宫川直通

IPC: H05B33/10 ,  C23C14/08 ,  H01L51/48 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26

Abstract: 一种制造光电转换元件的方法，具有：在基板上配置第一电极的步骤；在所述第一电极的上部配置由含有锌(Zn)以及氧(O)、并且还含有硅(Si)以及锡(Sn)中的至少一方的金属氧化物构成的第一薄膜的步骤；利用气体对具有所述第一电极以及所述第一薄膜的所述基板施加压力的步骤；在所述第一薄膜的上部配置作为将施加电压转换成光的层或者将入射光转换成电力的层的光电转换层的步骤；以及在所述光电转换层的上部配置第二电极的步骤。

公开(公告)号：CN111373548A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880075372.7

申请日：2018-08-24

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 增茂邦雄 ,  石桥奈央 ,  中村伸宏 ,  渡边晓 ,  大越雄斗 ,  宫川直通

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 一种薄膜晶体管，其为顶栅共面型的薄膜晶体管，具有源极、漏极、栅极、及半导体层；前述半导体层具有前述源极用的第1低电阻区域、和前述漏极用的第2低电阻区域；前述源极及前述漏极借助前述第1低电阻区域、前述半导体层、及前述第2低电阻区域进行电连接，前述半导体层由包含镓(Ga)、锌(Zn)、及锡(Sn)的氧化物系的半导体构成。

公开(公告)号：CN113711378A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202080030224.0

申请日：2020-04-22

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 渡边晓 ,  户田喜丈 ,  增茂邦雄 ,  石桥奈央 ,  中村伸宏 ,  森田晋平 ,  小林光

IPC: H01L51/50

Abstract: 一种纳米粒子的集合体，是由金属氧化物构成的纳米粒子的集合体，各纳米粒子包含锌(Zn)和硅(Si)，以原子数比计Zn/(Zn+Si)为0.3～0.95，换算成圆的粒径为1nm～20nm的范围。

公开(公告)号：CN111406324A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201880076573.9

申请日：2018-10-30

Applicant: AGC株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 细野秀雄 ,  金正焕 ,  方俊皓 ,  云见日出也 ,  渡边晓 ,  大越雄斗 ,  宫川直通 ,  石桥奈央 ,  增茂邦雄 ,  中村伸宏

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363 ,  H01L31/0248 ,  H01L51/50

Abstract: 一种氧化物系的半导体化合物，其为包含金属阳离子及氧的氧化物系的半导体化合物，与前述金属阳离子键合的氢负离子H-被氟离子F-置换，所述半导体化合物具有1个～3个与金属阳离子键合的氟离子F-。

公开(公告)号：CN116075428A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202180049961.X

申请日：2021-07-16

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 柏原智 ,  真下尚洋 ,  诹访久美子 ,  户田喜丈 ,  中村伸宏 ,  村上贵章

IPC: B32B27/18

Abstract: 本发明提供一种抗病毒性高且稳定、对生物、环境无害、而且无色透明或者近似无色透明的抗病毒材料。本发明的抗病毒材料由Cu‑M‑O化合物或者Cu‑M‑M′‑O化合物构成，上述Cu至少包含1价的状态，并且上述M是选自B、Al、Sc、Ti、Co、Cr、Ni、Ga、Y、Zr、In、Rh以及镧系元素中的至少一种元素，上述M′为Ag或者Pd。

公开(公告)号：CN111378453A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911380289.3

申请日：2019-12-27

Applicant: 关东化学株式会社 ,  AGC株式会社

Inventor： 佐佐木辽 ,  高桥秀树 ,  清水寿和 ,  中村伸宏 ,  増茂邦雄 ,  渡边晓

IPC: C09K13/00 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  C23F1/30 ,  C23F1/40 ,  C23F1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明的目的在于，提供可以在缩小氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜的侧面蚀刻差的同时，简单且经济地进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明涉及用于同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜底板的上述两个膜的蚀刻液组合物，其包含(A)过氧化氢、(B)银络合剂、以及(C)水。

公开(公告)号：CN109075205A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780014378.9

申请日：2017-02-23

Applicant: 国立大学法人东京工业大学 ,  AGC株式会社

Inventor： 细野秀雄 ,  神谷利夫 ,  云见日出也 ,  金正焕 ,  中村伸宏 ,  渡边晓 ,  宫川直通

IPC: H01L29/786 ,  H01B1/08 ,  H01B5/14 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

Abstract: 一种氧化物半导体化合物，其含有镓和氧，光学带隙为3.4eV以上，300K下的通过霍尔(Hall)测定得到的电子的霍尔(Hall)迁移率为3cm2/Vs以上。