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公开(公告)号：CN111512226A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880082414.X
申请日：2018-10-31
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子新加坡股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种掩模坯料，其可以在进行了EB缺陷修正的情况下抑制透光性基板的表面粗糙的发生，可以抑制相移膜的图案发生自发性蚀刻。本发明的掩模坯料中，与透光性基板相接的相移膜由包含最下层的2层以上的层叠结构构成，除最下层以外的层由含有选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素和硅的材料形成，最下层由含有硅和氮的材料形成、或者由含有该材料和选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素的材料形成，在最下层中，用Si3N4键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键(其中，b/[a+b]＜4/7)及Si-Si键的总存在数而得到的比率为0.05以下，用SiaNb键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键及Si-Si键的总存在数而得到的比率为0.1以上。
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公开(公告)号：CN116699938A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210319651.1
申请日：2022-03-29
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供能够抑制蚀刻掩模膜因用于清洗等的药液而发生剥离的掩模坯料。上述掩模坯料在透光性基板的主表面上依次层叠有图案形成用的薄膜和蚀刻掩模膜，薄膜含有金属、硅及氮，蚀刻掩模膜含有铬，蚀刻掩模膜的外周部的膜厚小于上述蚀刻掩模膜的除上述外周部以外的部分的膜厚，薄膜的外周部的氮含量相对于硅含量的比率大于上述薄膜的除上述外周部以外的部分的氮含量相对于硅含量的比率。
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公开(公告)号：CN111512226B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201880082414.X
申请日：2018-10-31
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子新加坡股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种掩模坯料，其可以在进行了EB缺陷修正的情况下抑制透光性基板的表面粗糙的发生，可以抑制相移膜的图案发生自发性蚀刻。本发明的掩模坯料中，与透光性基板相接的相移膜由包含最下层的2层以上的层叠结构构成，除最下层以外的层由含有选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素和硅的材料形成，最下层由含有硅和氮的材料形成、或者由含有该材料和选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素的材料形成，在最下层中，用Si3N4键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键(其中，b/[a+b]＜4/7)及Si‑Si键的总存在数而得到的比率为0.05以下，用SiaNb键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键及Si‑Si键的总存在数而得到的比率为0.1以上。
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公开(公告)号：CN112147840A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010564772.3
申请日：2020-06-19
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/32 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 提供一种掩膜基板，能够在光刻胶膜上形成线宽度比激光描绘装置的激光的波长小的图案。掩膜基板在基板上具备遮光膜。遮光膜由含有金属元素的材料构成。遮光膜是所述金属元素的含量在厚度方向上变化的组分倾斜膜。在遮光膜从接近基板的一方依次被分割为遮光部和防反射部时，防反射部相对于350nm以上且520nm以下的波长区域的光的折射率nA为2.1以下。在波长区域的光透过所述防反射部时波长区域的光所产生的相位差为28度以上。
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