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公开(公告)号：CN101443886B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200780017495.7
申请日：2007-05-29
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供对于在基板上形成了成为转印图案的转印图案用薄膜和抗蚀剂膜的掩模基板能仅剥离抗蚀剂膜而再利用转印图案用薄膜和基板的抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法以及转印掩模的制造方法。其采用以下构成：对于在基板(11)上形成了遮光膜(12)以及曝光、显影前的抗蚀剂膜(14)的掩模基板(1)，当出现抗蚀剂膜(14)的膜厚不均大等不良现象时，或者因在掩模基板(1)的状态下长期保存而使抗蚀剂膜(14)的灵敏度发生变化时，进行使抗蚀剂膜(14)与臭氧水接触而将抗蚀剂膜(14)剥离的臭氧水处理。并且，再次形成抗蚀剂膜(14)，再利用基板(11)和遮光膜(12)。
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公开(公告)号：CN111624848B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202010111676.3
申请日：2020-02-24
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供光掩模坯料、光掩模的制造方法、及显示装置的制造方法，在以过度蚀刻时间对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成于透明基板上的转印图案中抑制在与透明基板的界面的浸入。光掩模坯料为用于形成光掩模的底版，光掩模为通过湿法蚀刻图案形成用薄膜而得到的、在透明基板上具有转印图案的光掩模，图案形成用薄膜含有过渡金属、硅、氧、氮，通过XPS分析得到的氧的含有率为1原子％以上且70原子％以下，且在将透明基板与图案形成用薄膜的界面定义为通过XPS分析得到的图案形成用薄膜中包含的过渡金属的含有率为0原子％的位置时，从界面起向上述图案形成用薄膜的表面30nm以内的区域中，氮相对于氧的比率存在最大值。
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公开(公告)号：CN111624848A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010111676.3
申请日：2020-02-24
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供光掩模坯料、光掩模的制造方法、及显示装置的制造方法，在以过度蚀刻时间对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成于透明基板上的转印图案中抑制在与透明基板的界面的浸入。光掩模坯料为用于形成光掩模的底版，光掩模为通过湿法蚀刻图案形成用薄膜而得到的、在透明基板上具有转印图案的光掩模，图案形成用薄膜含有过渡金属、硅、氧、氮，通过XPS分析得到的氧的含有率为1原子％以上且70原子％以下，且在将透明基板与图案形成用薄膜的界面定义为通过XPS分析得到的图案形成用薄膜中包含的过渡金属的含有率为0原子％的位置时，从界面起向上述图案形成用薄膜的表面30nm以内的区域中，氮相对于氧的比率存在最大值。
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公开(公告)号：CN108241251A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711295074.2
申请日：2017-12-08
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种相移掩模坯料，其具有优异的图案截面形状及优异的CD均匀性，且形成有微细图案，用于显示装置用相移掩模的形成。设置于透明基板上的相移膜具有：第一功能层及第二功能层、配置于两者间的中间层，第一功能层及第二功能层由含有铬、氧、氮的铬系材料构成，铬为30～70原子％，氧为20～60原子％，氮为0.4～30原子％，第一功能层所含的氮的含有率与第二功能层所含的氮的含有率相同或更多，第二功能层所含的氧的含有率比第一功能层所含的氧的含有率多，中间层含有铬和碳，铬的含有率为55～90原子％，碳的含有率为10～45原子％，中间层所含的铬的含有率比第一功能层及第二功能层所含的铬的含有率多。
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公开(公告)号：CN101470343B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200810177837.8
申请日：2008-06-27
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子马来西亚有限公司
Abstract: 一种掩模坯件的制造方法，其包括使从收容有液状抗蚀剂(21)的液槽(20)通过喷嘴(22)到达喷嘴前端开口部的抗蚀剂接触在具有用于形成转印图案的薄膜的基板的被涂布面上，通过使基板和喷嘴相对移动，在被涂布面上涂布抗蚀剂来形成抗蚀剂膜的工序。在该抗蚀剂膜的形成工序中，在对被涂布面涂布抗蚀剂(21)的过程中，一边向上述液槽(20)内补充抗蚀剂，一边进行控制使得液槽内的抗蚀剂的液面在一定高度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102681332A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210129722.8
申请日：2007-05-29
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供对于在基板上形成了成为转印图案的转印图案用薄膜和抗蚀剂膜的掩模基板能仅剥离抗蚀剂膜而再利用转印图案用薄膜和基板的抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法以及转印掩模的制造方法。其采用以下构成：对于在基板(11)上形成了遮光膜(12)以及曝光、显影前的抗蚀剂膜(14)的掩模基板(1)，当出现抗蚀剂膜(14)的膜厚不均大等不良现象时，或者因在掩模基板(1)的状态下长期保存而使抗蚀剂膜(14)的灵敏度发生变化时，进行使抗蚀剂膜(14)与臭氧水接触而将抗蚀剂膜(14)剥离的臭氧水处理。并且，再次形成抗蚀剂膜(14)，再利用基板(11)和遮光膜(12)。
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公开(公告)号：CN101419398B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200810177861.1
申请日：2008-06-12
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子马来西亚有限公司
Abstract: 一种带有抗蚀剂膜的掩模坯板的制造方法，包括：一边从具有向一方向延伸的抗蚀剂液供给口的涂敷喷嘴中吐出抗蚀剂液、一边向与所述一方向相交叉的方向使所述涂敷喷嘴及基板的被涂敷面相对地扫描、在所述被涂敷面上涂敷所述抗蚀剂液的抗蚀剂液涂敷工序；其包括：准备在基板的主表面的除了沿周边的外周部之外的区域具有用于形成掩模图案的薄膜的基板的工序；和以下工序，所述工序为，以所述基板的主表面的沿着周边的外周部分的基板表面的露出面为接液开始部位，在使所述涂敷喷嘴的前端部接近所述基板表面的露出面，使所述抗蚀剂液接液所述基板表面的露出面时，在使所述涂敷喷嘴的前端部与所述基板表面的露出面之间的间隔相对小的状态下开始接液，然后将所述涂敷喷嘴的前端部与所述基板表面的露出面之间的间隔扩展到相对大的状态，结束接液。
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公开(公告)号：CN101308325A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810099160.0
申请日：2008-05-14
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子马来西亚有限公司
Abstract: 一种掩模坯料的制造方法，其是具有从具有在一方向上延伸的抗蚀剂液供给口的涂敷喷嘴喷出抗蚀剂液，同时，使所述涂敷喷嘴及基板的被涂敷面在与所述一方向交叉的方向上相对扫描，并在所述被涂敷面上涂敷所述抗蚀剂液的抗蚀剂液涂敷工序的带有抗蚀剂膜的掩模坯料的制造方法，其特征在于，包括：在使基板的被涂敷面和所述涂敷喷嘴的前端部靠近，使所述抗蚀剂液与所述被涂敷面接触时，以将所述涂敷喷嘴的前端部和所述被涂敷面的间隔设为相对小的状态开始液体接触，然后，将所述涂敷喷嘴的前端部和所述被涂敷面的间隔扩大至相对大的状态，结束液体接触的工序。
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公开(公告)号：CN110320739B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910216524.7
申请日：2019-03-21
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供一种高透过率的相移掩模坯料，其可以将相移膜构图成能够充分发挥相移效果的截面形状。该相移掩模坯料在透明基板上具有相移膜，且在该相移膜上具有蚀刻掩模膜，是用于形成相移掩模的原版，以蚀刻掩模膜形成规定图案的蚀刻掩模膜图案作为掩模，通过对所述相移膜进行湿式蚀刻而在所述透明基板上形成具有相移膜图案的相移掩模，所述相移膜含有过渡金属、硅、氧、氮，所述相移膜包含的氧的含有率为5原子％以上70原子％以下，所述相移膜包含的过渡金属和硅的比例为1:1.5以上1:6以下，所述相移膜的膜应力为0.35GPa以下。
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公开(公告)号：CN108241251B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201711295074.2
申请日：2017-12-08
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种相移掩模坯料，其具有优异的图案截面形状及优异的CD均匀性，且形成有微细图案，用于显示装置用相移掩模的形成。设置于透明基板上的相移膜具有：第一功能层及第二功能层、配置于两者间的中间层，第一功能层及第二功能层由含有铬、氧、氮的铬系材料构成，铬为30～70原子％，氧为20～60原子％，氮为0.4～30原子％，第一功能层所含的氮的含有率与第二功能层所含的氮的含有率相同或更多，第二功能层所含的氧的含有率比第一功能层所含的氧的含有率多，中间层含有铬和碳，铬的含有率为55～90原子％，碳的含有率为10～45原子％，中间层所含的铬的含有率比第一功能层及第二功能层所含的铬的含有率多。
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