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公开(公告)号：CN106019817B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201610173066.X
申请日：2016-03-24
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子马来西亚有限公司
IPC: G03F1/50
Abstract: 本发明提供一种光掩模空白片、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法，上述光掩模空白片成为图案截面的形状近似垂直而适合转印特性和微细化、且即使以高曝光量(高剂量)进行转印也可使转印缺陷少的光掩模，上述光掩模的制造方法具有上述特性，上述显示装置的制造方法以高成品率制造高精细显示装置。上述光掩模空白片在透明基板上层叠有遮光层和反射降低层，遮光层由多层层叠膜以蚀刻速度从遮光层表面向透明基板阶段性或连续性地加快的方式构成，该遮光层中的形成于基板侧的下层部在436nm波长下的光学浓度为1.0以上。此外，上述光掩模的制造方法使用该光掩模空白片制造光掩模。并且，上述显示装置的制造方法使用该光掩模制造显示装置。
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公开(公告)号：CN111624848B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202010111676.3
申请日：2020-02-24
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供光掩模坯料、光掩模的制造方法、及显示装置的制造方法，在以过度蚀刻时间对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成于透明基板上的转印图案中抑制在与透明基板的界面的浸入。光掩模坯料为用于形成光掩模的底版，光掩模为通过湿法蚀刻图案形成用薄膜而得到的、在透明基板上具有转印图案的光掩模，图案形成用薄膜含有过渡金属、硅、氧、氮，通过XPS分析得到的氧的含有率为1原子％以上且70原子％以下，且在将透明基板与图案形成用薄膜的界面定义为通过XPS分析得到的图案形成用薄膜中包含的过渡金属的含有率为0原子％的位置时，从界面起向上述图案形成用薄膜的表面30nm以内的区域中，氮相对于氧的比率存在最大值。
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公开(公告)号：CN117518704A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311459935.1
申请日：2018-01-15
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供一种用于形成显示装置用相移掩模的相移掩模坯料，所述显示装置用相移掩模具有优异的图案截面形状及优异的CD均匀性、且形成了微细的图案而使转印精度变得良好。该相移掩模坯料在透明基板上具备相移膜，相移膜由金属系材料或金属硅化物系材料构成，相移膜具有相移层、配置于该相移层的上侧的减反射层、以及配置于相移层和减反射层之间的中间层，中间层是具有比减反射层的金属含有率更高的金属含有率的金属系材料、或者是具有比减反射层的金属和硅的总含有率更高的总含有率的金属硅化物系材料，相移膜的膜面反射率在350nm～436nm的波长范围为15％以下，相移膜对于从透明基板侧入射的光的背面反射率在365nm～436nm的波长范围为20％以下。
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公开(公告)号：CN108319103B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201810034453.4
申请日：2018-01-15
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/26 , G03F1/62 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种用于形成显示装置用相移掩模的相移掩模坯料，所述显示装置用相移掩模具有优异的图案截面形状及优异的CD均匀性、且形成了微细的图案而使转印精度变得良好。该相移掩模坯料在透明基板上具备相移膜，相移膜由金属系材料或金属硅化物系材料构成，相移膜具有相移层、配置于该相移层的上侧的减反射层、以及配置于相移层和减反射层之间的中间层，中间层是具有比减反射层的金属含有率更高的金属含有率的金属系材料、或者是具有比减反射层的金属和硅的总含有率更高的总含有率的金属硅化物系材料，相移膜的膜面反射率在350nm～436nm的波长范围为15％以下，相移膜对于从透明基板侧入射的光的背面反射率在365nm～436nm的波长范围为20％以下。
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公开(公告)号：CN111624848A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010111676.3
申请日：2020-02-24
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供光掩模坯料、光掩模的制造方法、及显示装置的制造方法，在以过度蚀刻时间对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成于透明基板上的转印图案中抑制在与透明基板的界面的浸入。光掩模坯料为用于形成光掩模的底版，光掩模为通过湿法蚀刻图案形成用薄膜而得到的、在透明基板上具有转印图案的光掩模，图案形成用薄膜含有过渡金属、硅、氧、氮，通过XPS分析得到的氧的含有率为1原子％以上且70原子％以下，且在将透明基板与图案形成用薄膜的界面定义为通过XPS分析得到的图案形成用薄膜中包含的过渡金属的含有率为0原子％的位置时，从界面起向上述图案形成用薄膜的表面30nm以内的区域中，氮相对于氧的比率存在最大值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108241251A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711295074.2
申请日：2017-12-08
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种相移掩模坯料，其具有优异的图案截面形状及优异的CD均匀性，且形成有微细图案，用于显示装置用相移掩模的形成。设置于透明基板上的相移膜具有：第一功能层及第二功能层、配置于两者间的中间层，第一功能层及第二功能层由含有铬、氧、氮的铬系材料构成，铬为30～70原子％，氧为20～60原子％，氮为0.4～30原子％，第一功能层所含的氮的含有率与第二功能层所含的氮的含有率相同或更多，第二功能层所含的氧的含有率比第一功能层所含的氧的含有率多，中间层含有铬和碳，铬的含有率为55～90原子％，碳的含有率为10～45原子％，中间层所含的铬的含有率比第一功能层及第二功能层所含的铬的含有率多。
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公开(公告)号：CN113391515B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202110243881.X
申请日：2021-03-05
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种光掩模坯料，其在通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成转印图案时能够缩短过蚀刻时间，可以形成具有良好的截面形状、满足图案形成用薄膜或转印图案中所要求的耐清洗性、且满足要求的线边缘粗糙度的转印图案。所述光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，其中，光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，所述光掩模通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而在透明基板上具有转印图案，图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，图案形成用薄膜具有柱状结构、且包含上层及下层，构成上层中的柱状结构的粒子的平均尺寸小于构成下层中的柱状结构的粒子的平均尺寸。
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公开(公告)号：CN119126476A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411346675.1
申请日：2019-11-27
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供在通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成转印图案时能够缩短过蚀刻时间、可以形成具有良好的截面形状的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，其中，光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，所述光掩模通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而在透明基板上具有转印图案，图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，图案形成用薄膜具有柱状结构。
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公开(公告)号：CN114624955A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210185936.0
申请日：2022-02-28
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供能够抑制在将图案形成用的薄膜或具有转印图案的薄膜剥离之后透光性基板的主表面的形状劣化、且能够有助于再循环时的制造成品率的提高的掩模坯料。该掩模坯料具备透光性基板、和设置于透光性基板的主表面上的图案形成用的薄膜，薄膜含有金属、硅及氮，薄膜的外周部的膜厚小于薄膜的除上述外周部以外的部分的膜厚，薄膜的上述外周部的氮含量相对于硅含量的比率小于薄膜的除外周部以外的部分的氮含量相对于硅含量的比率。
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公开(公告)号：CN113406855A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110265084.1
申请日：2021-03-10
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种在对相移膜进行湿法蚀刻时可以缩短过刻蚀时间、抑制基板的损伤、可以形成具有良好的截面形状、LER、且耐化学品性也良好的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，光掩模在透明基板上具有通过对相移膜进行湿法蚀刻而得到的相移膜图案，相移膜由单层或多层构成，并且相对于整体膜厚的50％以上且100％以下包含由含有钼、锆、硅及氮的材料形成的MoZrSi系材料层，MoZrSi系材料层中的钼与锆的原子比率为Mo：Zr＝1.5:1～1:4，硅相对于钼、锆及硅的合计的含有比率为70～88原子％。
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