公开(公告)号：CN106409928B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201610808652.7

申请日：2016-07-27

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 南正范 ,  沈承焕 ,  高智洙 ,  梁斗焕

IPC: H01L31/0224

Abstract: 公开了一种太阳能电池，包括半导体基板，导电区域以及电极，导电区域包括被布置在半导体基板一个表面上的第一导电区域和第二导电区域，电极包括连接至第一导电区域的第一电极和连接至第二导电区域的第二电极。电极包括被布置在半导体基板或导电区域上的粘结层，被布置在粘结层上并包括金属作为主成分的电极层，以及被布置在电极层上并包括与电极层的金属不同的金属作为主成分的阻挡层。电极层的厚度大于粘结层与阻挡层各自的厚度，并且阻挡层的熔点高于电极层的熔点。

公开(公告)号：CN104638030A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410643805.8

申请日：2014-11-10

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 南正范 ,  郑一炯 ,  李恩珠 ,  梁斗焕

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022491 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池。该太阳能电池包括光电转换单元，其包括形成在光电转换单元的同一侧的第一导电类型区域和第二导电类型区域。电极接触光电转换单元并且包括形成在光电转换单元上的粘附层和形成在粘附层上的电极层。粘附层具有大于光电转换单元的热膨胀系数并且小于电极层的热膨胀系数的热膨胀系数。

公开(公告)号：CN104638030B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201410643805.8

申请日：2014-11-10

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 南正范 ,  郑一炯 ,  李恩珠 ,  梁斗焕

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022491 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池。该太阳能电池包括光电转换单元，其包括形成在光电转换单元的同一侧的第一导电类型区域和第二导电类型区域。电极接触光电转换单元并且包括形成在光电转换单元上的粘附层和形成在粘附层上的电极层。粘附层具有大于光电转换单元的热膨胀系数并且小于电极层的热膨胀系数的热膨胀系数。

公开(公告)号：CN106898658A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201611272990.X

申请日：2016-12-21

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑寅道 ,  许美姬 ,  梁周弘 ,  李恩珠 ,  南正范

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。本发明公开了一种太阳能电池，包括：半导体衬底；保护膜层，形成在半导体衬底的表面上；多晶半导体层，形成在保护膜层上方；第一导电区域，通过用第一导电掺杂剂选择性地掺杂半导体层形成；第二导电区域，掺杂有第二导电掺杂剂并且位于第一导电区域的相邻部分之间；势垒区域，位于第一导电区域与第二导电区域之间且不掺杂掺杂剂；第一电极，连接到第一导电区域；以及第二电极，连接到第二导电区域。第一导电区域和第二导电区域中的每一个包括具有与势垒区域不同的结晶结构的第二结晶区域，并且第一导电区域和第二导电区域的第二结晶区域包括具有不同深度的第二多晶区域和第四结晶区域。

公开(公告)号：CN104183656A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410214046.3

申请日：2014-05-20

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 南正范 ,  许美姬 ,  李恩珠 ,  郑一炯

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/547

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：第一导电类型的基板；第一掺杂区域，该第一掺杂区域位于基板的第一表面并且含有与第一导电类型不同的第二导电类型的杂质；以及第一电极部，该第一电极部电连接到第一掺杂区域。第一电极部包括热固树脂以及分布在热固树脂中的第一导电粒子和第二导电粒子。第二导电粒子的功函数大于第一导电粒子的功函数，并且第二导电粒子在接触第一掺杂区域的界面处形成硅化物。

公开(公告)号：CN104979409A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510162162.X

申请日：2015-04-08

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金基修 ,  李基源 ,  郑一炯 ,  南正范

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022491 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论了一种太阳能电池。一种太阳能电池包括半导体基板、位于该半导体基板的一个表面上的导电类型区域、以及连接至该导电类型区域的电极。所述电极包括位于所述导电类型区域上的电极层以及位于该电极层上的印刷电极层。

公开(公告)号：CN104934486A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510116774.5

申请日：2015-03-17

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑寅道 ,  沈承焕 ,  郑一炯 ,  南正范

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/048

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开的是一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；导电型区域，该导电型区域包括形成在所述半导体基板的一个表面上的第一导电型区域和第二导电型区域；电极，该电极包括第一电极和第二电极，其中，所述第一电极连接至所述第一导电型区域并且所述第二电极连接至所述第二导电型区域；以及钝化层，该钝化层形成在所述导电型区域上。所述钝化层包括氮化硅和碳化硅中的至少一种。

公开(公告)号：CN104810416A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510045391.3

申请日：2015-01-29

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑寅道 ,  沈承焕 ,  郑一炯 ,  南正范

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/022458 ,  H01L21/268 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池，包括：半导体基板；位于所述半导体基板上的至少一个导电型区域；位于所述至少一个导电型区域上的保护层；以及电极，该电极被布置在所述保护层上并且电连接至所述导电型区域。

公开(公告)号：CN102456755B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201110391311.1

申请日：2011-10-18

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 沈承焕 ,  金真阿 ,  南正范 ,  郑寅道 ,  梁周弘 ,  崔亨旭 ,  郑一炯 ,  权亨振

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/0288 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供了用于太阳能电池的半导体基板以及太阳能电池。一种太阳能电池包括p-型的多晶硅半导体基板、n-型的并且与该多晶硅半导体基板形成p-n结的发射区、连接至发射区的第一电极、以及连接至多晶硅半导体基板的第二电极，其中，该多晶硅半导体基板具有大体上为7.2×1015/cm3至3.5×1016/cm3的纯p-型杂质浓度。

公开(公告)号：CN102903768A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210262809.2

申请日：2012-07-26

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 梁周弘 ,  金真阿 ,  南正范 ,  梁斗焕 ,  郑寅道 ,  郑一炯 ,  权亨振

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：第一导电类型的衬底；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的并且与所述衬底一起地形成p-n结的发射极区；位于所述发射极区上的抗反射层；电连接到所述发射极区的前电极部；和电连接到所述衬底的背电极部。所述衬底包括由单晶硅形成的第一区域和由多晶硅形成的第二区域。位于第一区域中的抗反射层的厚度小于位于第二区域中的抗反射层的厚度。