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公开(公告)号：CN105244389B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510504761.5
申请日：2015-07-06
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0475 , H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 讨论了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：在半导体基板的一个表面上的隧穿层；在所述隧穿层上的第一导电类型区域；在所述隧穿层上的第二导电类型区域；第一电极和第二电极，该第一电极连接到所述第一导电类型区域，该第二电极连接到所述第二导电类型区域。所述隧穿层包括第一部分和第二部分。所述第一部分被设置为与所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域的至少一部分对应并且具有第一厚度。所述第二部分的至少一部分被设置为与所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域之间的边界部分对应。所述第二部分具有大于所述第一厚度的第二厚度。
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公开(公告)号：CN102456755B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201110391311.1
申请日：2011-10-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0288 , H01L31/0368 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/0288 , H01L31/02168 , H01L31/03682 , H01L31/068 , Y02E10/546 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了用于太阳能电池的半导体基板以及太阳能电池。一种太阳能电池包括p-型的多晶硅半导体基板、n-型的并且与该多晶硅半导体基板形成p-n结的发射区、连接至发射区的第一电极、以及连接至多晶硅半导体基板的第二电极，其中，该多晶硅半导体基板具有大体上为7.2×1015/cm3至3.5×1016/cm3的纯p-型杂质浓度。
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公开(公告)号：CN103928567A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410019541.9
申请日：2014-01-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/042
Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法。方法的一种实施方式包括以下步骤：在包含第一导电类型的杂质的半导体基板的背面形成包含与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质的射极区域；在所述射极区域上形成包含所述第一导电类型的杂质的钝化层膏；在所述钝化层膏的第一局部区域上选择性地执行热处理以在所述射极区域的局部区域形成包含所述第一导电类型的杂质的背面场区域；在位于所述射极区域上的所述钝化层膏的第二局部区域和位于所述背面场区域的所述钝化层膏的第三局部区域中形成多个开口以形成钝化层；形成连接到所述射极区域的第一电极；以及形成连接到所述背面场区域的第二电极。
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公开(公告)号：CN102903768A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210262809.2
申请日：2012-07-26
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/035272 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：第一导电类型的衬底；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的并且与所述衬底一起地形成p-n结的发射极区；位于所述发射极区上的抗反射层；电连接到所述发射极区的前电极部；和电连接到所述衬底的背电极部。所述衬底包括由单晶硅形成的第一区域和由多晶硅形成的第二区域。位于第一区域中的抗反射层的厚度小于位于第二区域中的抗反射层的厚度。
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公开(公告)号：CN103390659B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310164677.4
申请日：2013-05-07
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0248 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035272 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板，其具有第一导电类型；在所述半导体基板的表面上的发射层，该发射层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；以及电极，其包括电连接到所述发射层的第一电极和电连接到所述半导体基板的第二电极。所述发射层包括与所述第一电极相邻的高浓度掺杂部分以及在不包括所述高浓度掺杂部分的区域中的低浓度掺杂部分。所述低浓度掺杂部分具有比所述高浓度掺杂部分的电阻高的电阻。所述高浓度掺杂部分包括具有第一电阻的第一区域以及具有比所述第一电阻高的第二电阻的第二区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104037243A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410075991.X
申请日：2014-03-04
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：半导体基板；导电区域，其形成在所述半导体基板处并具有与所述半导体基板的导电类型相同或不同的导电类型；钝化膜，其形成在所述半导体基板上，以覆盖所述导电区域；以及电极，其电连接到所述半导体基板和所述导电区域中的至少一个。所述钝化膜包括：第一层，其形成在所述导电区域上并包括二氧化硅；第二层，其形成在所述第一层上并包括带有负电荷的氧化物；以及第三层，其形成在所述第二层上，并具有与所述第二层的折射率不同的折射率。
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公开(公告)号：CN104037243B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201410075991.X
申请日：2014-03-04
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：半导体基板；导电区域，其形成在所述半导体基板处并具有与所述半导体基板的导电类型相同或不同的导电类型；钝化膜，其形成在所述半导体基板上，以覆盖所述导电区域；以及电极，其电连接到所述半导体基板和所述导电区域中的至少一个。所述钝化膜包括：第一层，其形成在所述导电区域上并包括二氧化硅；第二层，其形成在所述第一层上并包括带有负电荷的氧化物；以及第三层，其形成在所述第二层上，并具有与所述第二层的折射率不同的折射率。
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公开(公告)号：CN102903768B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210262809.2
申请日：2012-07-26
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/035272 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：第一导电类型的衬底；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的并且与所述衬底一起地形成p-n结的发射极区；位于所述发射极区上的抗反射层；电连接到所述发射极区的前电极部；和电连接到所述衬底的背电极部。所述衬底包括由单晶硅形成的第一区域和由多晶硅形成的第二区域。位于第一区域中的抗反射层的厚度小于位于第二区域中的抗反射层的厚度。
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公开(公告)号：CN103390659A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310164677.4
申请日：2013-05-07
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0248 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035272 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板，其具有第一导电类型；在所述半导体基板的表面上的发射层，该发射层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；以及电极，其包括电连接到所述发射层的第一电极和电连接到所述半导体基板的第二电极。所述发射层包括与所述第一电极相邻的高浓度掺杂部分以及在不包括所述高浓度掺杂部分的区域中的低浓度掺杂部分。所述低浓度掺杂部分具有比所述高浓度掺杂部分的电阻高的电阻。所述高浓度掺杂部分包括具有第一电阻的第一区域以及具有比所述第一电阻高的第二电阻的第二区域。
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公开(公告)号：CN119949021A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202280100449.8
申请日：2022-09-27
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种通过感测阳极(anode)电流来恒定地控制阳极电流的X射线电子发射控制装置，其包括：电子发射部，发射电子；阳极，收集电子；栅极电压源，与电子发射部的栅极连接；阴极电流源，与电子发射部的阴极连接；电流感测部，与阴极电流源连接，感测阳极电流；以及电流控制部，基于感测到的阳极电流生成电流控制信号并输出到阴极电流源；栅极电压源的一侧可以与电子发射部的栅极连接，另一侧可以与连接阴极电流源和电流感测部之间的线路的分支点连接。
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