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公开(公告)号：CN103928567B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410019541.9
申请日：2014-01-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/042
Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法。方法的一种实施方式包括以下步骤：在包含第一导电类型的杂质的半导体基板的背面形成包含与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质的射极区域；在所述射极区域上形成包含所述第一导电类型的杂质的钝化层膏；在所述钝化层膏的第一局部区域上选择性地执行热处理以在所述射极区域的局部区域形成包含所述第一导电类型的杂质的背面场区域；在位于所述射极区域上的所述钝化层膏的第二局部区域和位于所述背面场区域的所述钝化层膏的第三局部区域中形成多个开口以形成钝化层；形成连接到所述射极区域的第一电极；以及形成连接到所述背面场区域的第二电极。
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公开(公告)号：CN103928567A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410019541.9
申请日：2014-01-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/042
Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法。方法的一种实施方式包括以下步骤：在包含第一导电类型的杂质的半导体基板的背面形成包含与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质的射极区域；在所述射极区域上形成包含所述第一导电类型的杂质的钝化层膏；在所述钝化层膏的第一局部区域上选择性地执行热处理以在所述射极区域的局部区域形成包含所述第一导电类型的杂质的背面场区域；在位于所述射极区域上的所述钝化层膏的第二局部区域和位于所述背面场区域的所述钝化层膏的第三局部区域中形成多个开口以形成钝化层；形成连接到所述射极区域的第一电极；以及形成连接到所述背面场区域的第二电极。
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公开(公告)号：CN102903768A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210262809.2
申请日：2012-07-26
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/035272 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：第一导电类型的衬底；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的并且与所述衬底一起地形成p-n结的发射极区；位于所述发射极区上的抗反射层；电连接到所述发射极区的前电极部；和电连接到所述衬底的背电极部。所述衬底包括由单晶硅形成的第一区域和由多晶硅形成的第二区域。位于第一区域中的抗反射层的厚度小于位于第二区域中的抗反射层的厚度。
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公开(公告)号：CN106409928B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201610808652.7
申请日：2016-07-27
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224
Abstract: 公开了一种太阳能电池，包括半导体基板，导电区域以及电极，导电区域包括被布置在半导体基板一个表面上的第一导电区域和第二导电区域，电极包括连接至第一导电区域的第一电极和连接至第二导电区域的第二电极。电极包括被布置在半导体基板或导电区域上的粘结层，被布置在粘结层上并包括金属作为主成分的电极层，以及被布置在电极层上并包括与电极层的金属不同的金属作为主成分的阻挡层。电极层的厚度大于粘结层与阻挡层各自的厚度，并且阻挡层的熔点高于电极层的熔点。
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公开(公告)号：CN104638030A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410643805.8
申请日：2014-11-10
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/022491 , H01L31/028 , H01L31/0516 , H01L31/056 , H01L31/0682 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池。该太阳能电池包括光电转换单元，其包括形成在光电转换单元的同一侧的第一导电类型区域和第二导电类型区域。电极接触光电转换单元并且包括形成在光电转换单元上的粘附层和形成在粘附层上的电极层。粘附层具有大于光电转换单元的热膨胀系数并且小于电极层的热膨胀系数的热膨胀系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104037243A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410075991.X
申请日：2014-03-04
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：半导体基板；导电区域，其形成在所述半导体基板处并具有与所述半导体基板的导电类型相同或不同的导电类型；钝化膜，其形成在所述半导体基板上，以覆盖所述导电区域；以及电极，其电连接到所述半导体基板和所述导电区域中的至少一个。所述钝化膜包括：第一层，其形成在所述导电区域上并包括二氧化硅；第二层，其形成在所述第一层上并包括带有负电荷的氧化物；以及第三层，其形成在所述第二层上，并具有与所述第二层的折射率不同的折射率。
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公开(公告)号：CN118251771A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202180103924.2
申请日：2021-11-01
Abstract: 显示装置包括：基板；第一组装配线和第二组装配线，位于基板上；第一绝缘层，位于第一组装配线和第二组装配线上；分隔壁，位于第一绝缘层上且具有孔；半导体发光器件，位于孔；以及连接部，将半导体发光器件的侧部与第一组装配线和第二组装配线中的至少一方组装配线电连接。孔的内侧面和半导体发光器件的外侧面之间的间隔可以是半导体发光器件的厚度的50％至200％。
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公开(公告)号：CN104638030B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201410643805.8
申请日：2014-11-10
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/022491 , H01L31/028 , H01L31/0516 , H01L31/056 , H01L31/0682 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池。该太阳能电池包括光电转换单元，其包括形成在光电转换单元的同一侧的第一导电类型区域和第二导电类型区域。电极接触光电转换单元并且包括形成在光电转换单元上的粘附层和形成在粘附层上的电极层。粘附层具有大于光电转换单元的热膨胀系数并且小于电极层的热膨胀系数的热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN106409928A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610808652.7
申请日：2016-07-27
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02008 , H01L31/0203 , H01L31/022441 , H01L31/0516 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/50
Abstract: 公开了一种太阳能电池，包括半导体基板，导电区域以及电极，导电区域包括被布置在半导体基板一个表面上的第一导电区域和第二导电区域，电极包括连接至第一导电区域的第一电极和连接至第二导电区域的第二电极。电极包括被布置在半导体基板或导电区域上的粘结层，被布置在粘结层上并包括金属作为主成分的电极层，以及被布置在电极层上并包括与电极层的金属不同的金属作为主成分的阻挡层。电极层的厚度大于粘结层与阻挡层各自的厚度，并且阻挡层的熔点高于电极层的熔点。
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公开(公告)号：CN104037243B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201410075991.X
申请日：2014-03-04
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：半导体基板；导电区域，其形成在所述半导体基板处并具有与所述半导体基板的导电类型相同或不同的导电类型；钝化膜，其形成在所述半导体基板上，以覆盖所述导电区域；以及电极，其电连接到所述半导体基板和所述导电区域中的至少一个。所述钝化膜包括：第一层，其形成在所述导电区域上并包括二氧化硅；第二层，其形成在所述第一层上并包括带有负电荷的氧化物；以及第三层，其形成在所述第二层上，并具有与所述第二层的折射率不同的折射率。
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