-
公开(公告)号：CN119999361A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202280100835.7
申请日：2022-10-07
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H10H29/30 , H01L25/075 , H10D86/60 , H10H29/49 , H10H20/831 , H10H20/84 , H10H20/832
Abstract: 显示装置包括：基板；第一组装配线和第二组装配线，位于所述基板上；分隔壁，具有位于第一组装配线和第二组装配线上的组装孔；凸出部，位于组装孔；半导体发光器件，具有凹槽以安置于凸出部；以及连接电极，位于半导体发光器件的下侧。
-
公开(公告)号：CN118248805A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311689494.4
申请日：2023-12-11
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 半导体发光器件可以包括发光层、位于发光层的上表面和侧表面上的钝化层、位于发光层的下表面和侧表面上的保护层、位于发光层与保护层之间的第一电极、以及位于发光层与钝化层之间的第二电极。发光层的侧表面与下表面之间的内角可以是钝角。
-
-
公开(公告)号：CN107845689A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710437172.9
申请日：2017-06-12
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：控制钝化膜，其在半导体基板的一个表面上并且由介电材料形成；以及半导体层，其在控制钝化膜上，其中，所述半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域。所述半导体基板包括扩散区域，该扩散区域包括与控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域中的至少一个，其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与第一导电区域对应并且具有低于第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度，其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与第二导电区域对应并且具有低于第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度。
-
公开(公告)号：CN106159008B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201610458890.X
申请日：2016-05-13
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/049 , H01L31/02008 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/02366 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括：半导体基板；导电区域，所述导电区域包括形成在所述半导体基板的一个表面上的第一导电区域和第二导电区域；钝化膜，所述钝化膜被形成在所述导电区域上，所述钝化膜具有接触孔；保护膜，所述保护膜在所述接触孔内被形成在所述导电区域上，所述保护膜被形成在所述接触孔的内侧表面的至少一部分和所述钝化膜二者中的至少一个上；以及电极，所述电极通过所述接触孔被电连接至所述导电区域且使所述保护膜被插置在所述电极与所述导电区域之间。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106159008A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610458890.X
申请日：2016-05-13
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/049 , H01L31/02008 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/02366 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/042 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/1876
Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括：半导体基板；导电区域，所述导电区域包括形成在所述半导体基板的一个表面上的第一导电区域和第二导电区域；钝化膜，所述钝化膜被形成在所述导电区域上，所述钝化膜具有接触孔；保护膜，所述保护膜在所述接触孔内被形成在所述导电区域上，所述保护膜被形成在所述接触孔的内侧表面的至少一部分和所述钝化膜二者中的至少一个上；以及电极，所述电极通过所述接触孔被电连接至所述导电区域且使所述保护膜被插置在所述电极与所述导电区域之间。
-
公开(公告)号：CN106898658A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201611272990.X
申请日：2016-12-21
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。本发明公开了一种太阳能电池，包括：半导体衬底；保护膜层，形成在半导体衬底的表面上；多晶半导体层，形成在保护膜层上方；第一导电区域，通过用第一导电掺杂剂选择性地掺杂半导体层形成；第二导电区域，掺杂有第二导电掺杂剂并且位于第一导电区域的相邻部分之间；势垒区域，位于第一导电区域与第二导电区域之间且不掺杂掺杂剂；第一电极，连接到第一导电区域；以及第二电极，连接到第二导电区域。第一导电区域和第二导电区域中的每一个包括具有与势垒区域不同的结晶结构的第二结晶区域，并且第一导电区域和第二导电区域的第二结晶区域包括具有不同深度的第二多晶区域和第四结晶区域。
-
公开(公告)号：CN104183656A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410214046.3
申请日：2014-05-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/0684 , H01L31/18 , Y02E10/547
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：第一导电类型的基板；第一掺杂区域，该第一掺杂区域位于基板的第一表面并且含有与第一导电类型不同的第二导电类型的杂质；以及第一电极部，该第一电极部电连接到第一掺杂区域。第一电极部包括热固树脂以及分布在热固树脂中的第一导电粒子和第二导电粒子。第二导电粒子的功函数大于第一导电粒子的功函数，并且第二导电粒子在接触第一掺杂区域的界面处形成硅化物。
-
公开(公告)号：CN107845689B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201710437172.9
申请日：2017-06-12
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：控制钝化膜，其在半导体基板的一个表面上并且由介电材料形成；以及半导体层，其在控制钝化膜上，其中，所述半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域。所述半导体基板包括扩散区域，该扩散区域包括与控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域中的至少一个，其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与第一导电区域对应并且具有低于第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度，其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与第二导电区域对应并且具有低于第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度。
-
公开(公告)号：CN106898658B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201611272990.X
申请日：2016-12-21
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。本发明公开了一种太阳能电池，包括：半导体衬底；保护膜层，形成在半导体衬底的表面上；多晶半导体层，形成在保护膜层上方；第一导电区域，通过用第一导电掺杂剂选择性地掺杂半导体层形成；第二导电区域，掺杂有第二导电掺杂剂并且位于第一导电区域的相邻部分之间；势垒区域，位于第一导电区域与第二导电区域之间且不掺杂掺杂剂；第一电极，连接到第一导电区域；以及第二电极，连接到第二导电区域。第一导电区域和第二导电区域中的每一个包括具有与势垒区域不同的结晶结构的第二结晶区域，并且第一导电区域和第二导电区域的第二结晶区域包括具有不同深度的第二多晶区域和第四结晶区域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.027 seconds)
