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公开(公告)号：CN112746324A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010530643.2
申请日：2020-06-11
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法。晶片是具有基于(0001)面呈从0度到15度中选择的角度的偏角的晶片，测量点是将所述晶片的表面以10mm以下的一定间隔划分的多个地点，目标区域是共享所述晶片的中心并且半径为所述晶片半径的70％圆的内部区域，所述测量点位于所述目标区域，所述测量点的摇摆曲线具有峰和半峰宽，ω角的平均值是目标区域中测量点的峰具有的ω角的平均值，所述半峰宽是基于所述ω角的平均值的值，所述目标区域包括95％以上的测量点，其半峰宽为‑1.5到1.5度。可以精确地控制晶体生长的温度梯度，并且可以提供具有优异特性的单晶碳化硅晶片。
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公开(公告)号：CN112695379A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202010531585.5
申请日：2020-06-11
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及籽晶粘合层、层压体的制备方法及晶片的制备方法。所述籽晶粘合层的特征在于，Vr由下面的式1表示，并且具有28％/mm3以上的Vr值。在所述式1中，Sg(％)是下面的式2的值，V1是碳化前的籽晶粘合层的体积，V2是石墨化的籽晶粘合层的体积，在所述式2中，A1是所述碳化前的籽晶粘合层的面积，A2是所述石墨化的籽晶粘合层的面积。本发明的籽晶粘合层以独特的石墨化收缩率使施加在晶锭上的应力最小化，可以使所生长的晶锭与籽晶支架部分分离，但不能完全分离。而且，使用本发明的籽晶粘合层而制备的晶锭和加工的晶片可以表现出良好的翘曲值。式1；式2
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公开(公告)号：CN111074338A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910987523.2
申请日：2019-10-17
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及具有保护膜的籽晶的制备方法以及使用该制备方法的晶锭的制备方法等，所述具有保护膜的籽晶包括：第一层，位于籽晶后表面并直接与所述籽晶后表面接触；以及第二层，位于所述第一层上；基于从所述第一层的下表面到所述第二层的上表面，所述第一层的厚度为30％以下，通过采用所述具有保护膜的籽晶的制备方法，可以制备缺陷减少的晶锭。
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公开(公告)号：CN112748155A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011184512.X
申请日：2020-10-29
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及用于测量含石墨物品的与感应加热特性有关的物性的测量方法、测量装置以及晶锭生长系统。测量方法包括：配置步骤，在包括卷绕的导线的线圈部配置含石墨物品；以及测量步骤，通过与所述线圈部电连接的计测构件向所述线圈部施加测量用电源，来测量在所述线圈部感应的电磁物性。所述测量方法等测量晶锭生长容器、绝热材料等含石墨物品的电磁物性并提供挑选所需的资料，从而能够确保进一步提高晶锭生长的再现性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112746314A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010530647.0
申请日：2020-06-11
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法以及其生长系统。碳化硅晶锭的制备方法，其特征在于，包括：准备步骤，准备包括具有内部空间的坩埚本体的坩埚组件，原料装入步骤，将原料装入所述坩埚组件中，而将碳化硅晶种放置在距所述原料间隔规定距离的位置，及生长步骤，通过将所述坩埚组件的内部空间调整为晶体生长气氛，以蒸气的方式传输所述原料，使其沉积在所述碳化硅晶种，从而制备从所述碳化硅晶种生长的碳化硅晶锭，所述坩埚本体的密度的范围为1.70至1.92g/cm3。可以通过控制坩埚的特性来控制在晶锭生长过程中由蒸气传输的气体的过饱和度。本发明提供了能够制备具有更好特性的碳化硅晶锭的生长系统、碳化硅晶锭、由其制备的晶片等。
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公开(公告)号：CN111719181A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910886333.1
申请日：2019-09-19
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及晶锭的制备方法等，所述晶锭的制备方法包括：装入步骤，将含有D50为80μm以上的原料粉末的原料物质装入反应容器；颈缩步骤，通过调节所述反应容器内的温度来形成相邻的所述原料粉末的多个粒子相连的颈缩原料物质；以及晶锭生长步骤，升华多个原料成分，从而由所述颈缩原料物质来生长晶锭。由此可以快速制备实际无缺陷的晶锭。
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公开(公告)号：CN113322520A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202011097998.3
申请日：2020-10-14
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 实施方式涉及晶片及其制造方法。根据一实施例的晶片在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的1N和18N的荷载下分别测定的根据动态机械分析的松弛模量(relaxation modulus)的差异可以为450GPa以下。
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公开(公告)号：CN113322519A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202011097996.4
申请日：2020-10-14
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 实施方式涉及外延片、晶片及其制造方法。上述制造方法包括：准备步骤、生长步骤、冷却步骤、切割步骤、加工步骤；上述加工步骤包括：第一加工步骤，使用表面粒度为1000目至3000目的第一砂轮进行加工；及第二加工步骤，使用表面粒度为6000目至10000目的第二砂轮进行加工。通过实施方式的晶片的制造方法制造的晶片具有低微管缺陷密度，且可以使颗粒和划痕发生最小化。通过实施方式的外延片的制造方法制造的外延片可以具有坠落、三角及胡萝卜缺陷等的密度低，并呈现优异的器件特性，且可以期待器件成品率改善。
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公开(公告)号：CN112695384A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202010531605.9
申请日：2020-06-11
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶锭及其制备方法以及碳化硅晶片的制备方法。所述碳化硅晶锭包括：本体部，包括本体部一截面和与本体部一截面对置的本体部另一截面，以及突出部，位于本体部另一截面上，并且具有基于本体部另一截面弯曲的表面；本体部另一截面包括一端点和另一端点，一端点是位于所述本体部另一截面的一端的一点，另一端点是位于所述本体部另一截面的末端的一点，一端点、突出部的最高点和另一端点位于与本体部一截面垂直的同一平面上，作为同一平面与突出部表面的交线的弧的曲率半径由下面的数学式1表示。本发明的碳化硅晶锭及其制备方法可以精确地控制晶体生长的温度梯度，并且可以提供具有更好特性的碳化硅晶锭。数学式13D≤r≤37D。
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