公开(公告)号：CN113322520A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202011097998.3

申请日：2020-10-14

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴钟辉 ,  沈钟珉 ,  梁殷寿 ,  李演湜 ,  张炳圭 ,  崔正宇 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00

Abstract: 实施方式涉及晶片及其制造方法。根据一实施例的晶片在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的1N和18N的荷载下分别测定的根据动态机械分析的松弛模量(relaxation modulus)的差异可以为450GPa以下。

公开(公告)号：CN113322519A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202011097996.4

申请日：2020-10-14

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴钟辉 ,  金政圭 ,  梁殷寿 ,  张炳圭 ,  崔正宇 ,  李演湜 ,  高上基 ,  具甲烈

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/04

Abstract: 实施方式涉及外延片、晶片及其制造方法。上述制造方法包括：准备步骤、生长步骤、冷却步骤、切割步骤、加工步骤；上述加工步骤包括：第一加工步骤，使用表面粒度为1000目至3000目的第一砂轮进行加工；及第二加工步骤，使用表面粒度为6000目至10000目的第二砂轮进行加工。通过实施方式的晶片的制造方法制造的晶片具有低微管缺陷密度，且可以使颗粒和划痕发生最小化。通过实施方式的外延片的制造方法制造的外延片可以具有坠落、三角及胡萝卜缺陷等的密度低，并呈现优异的器件特性，且可以期待器件成品率改善。

公开(公告)号：CN113322521A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202011098008.8

申请日：2020-10-14

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴钟辉 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭 ,  梁殷寿 ,  李演湜

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明涉及晶片、外延片及其制造方法。实施方式涉及一种晶片，包括一面和另一面，上述一面的Rsk粗糙度为‑3nm至3nm，上述一面的边缘区域的Ra粗糙度与上述一面的中心区域的Ra粗糙度之间的差异为‑2nm至2nm，上述一面的边缘区域是从上述一面的边缘向中心方向的距离相对于上述晶片的半径为13.3％至32.1％的区域，上述一面的中心区域是从上述一面的中心相对于上述晶片的半径具有9.4％的半径的区域。实施方式的晶片的一面的边缘区域与中心区域之间的粗糙度偏差不大，且可以显示出低不对称性。实施方式的外延片呈现出更均匀的厚度特性，基于此，在制造半导体器件时可以提高器件的特性和成品率。

公开(公告)号：CN112746317A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202010531592.5

申请日：2020-06-11

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴钟辉 ,  沈钟珉 ,  梁殷寿 ,  李演湜 ,  张炳圭 ,  崔正宇 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  B28D5/00 ,  B24B29/02 ,  B24B9/06

Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法。所述晶片的特征在于：因施加到表面的冲击而产生裂纹，所述冲击依靠具有机械能的重锤，所述机械能的最小值是每单位面积0.194J至0.475J。当从根据一个实施例的碳化硅晶锭切下的晶片的表面因施加到其表面的机械能而产生裂纹时，所述机械能的最小值可以是每单位面积(1cm2)0.194J至0.475J。根据一个实施例的碳化硅晶锭的制备方法可以通过设置最佳工艺条件，从而能够制备确保耐冲击性且缺陷密度数值降低的碳化硅晶锭。