公开(公告)号：CN115840165A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211142397.9

申请日：2022-09-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 川森启太 ,  平林启 ,  梅原弘道

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明的磁传感器具有：绝缘层、配置在绝缘层之上的线圈要素、以及第一绝缘膜。绝缘层具有第一倾斜面和第二倾斜面。线圈要素具有第一侧面和第二侧面。第一侧面包含：第一部分、和配置于比第一部分距基板的上表面更远的位置的第二部分。第一部分以与第一及第二倾斜面交叉的方式倾斜，且以随着靠近基板的上表面而靠近第二侧面的方式倾斜。第一绝缘膜覆盖第一部分。

公开(公告)号：CN115840172A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211150253.8

申请日：2022-09-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 川森启太 ,  梅原弘道

IPC: G01R33/09

Abstract: 磁传感器具备由多个MR元件构成的多个电阻部、和分别具有用于使多个MR元件检测对象磁场的特定的分量的结构的多个凸面。多个MR元件分割成与多个电阻部对应的第一～第四区域而配置。第一～第四区域各自具有位于第一基准方向上的两端的第一端缘及第二端缘、位于第二基准方向上的两端的第三端缘及第四端缘。多个凸面各自相对于第一端缘或第二端缘所成的角度大于多个凸面各自相对于第三端缘或第四端缘所成的角度。

公开(公告)号：CN115840170A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211143475.7

申请日：2022-09-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅原弘道 ,  牧野健三 ,  桥野将亲

IPC: G01R33/09

Abstract: 磁传感器具备具有凸面的绝缘层、第一MR元件、以及第二MR元件。凸面包含第一曲面部分。第一曲面部分包括包含凸面的上端部的第一部分、和在远离凸面的上端部的位置与第一部分连续的第二部分。在将凸面的形状视为函数Z时，与第一部分对应的函数Z的二阶导函数Z”的值的绝对值的平均值小于与第二部分对应的函数Z的二阶导函数Z”的值的绝对值的平均值。

公开(公告)号：CN115840176A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211154955.3

申请日：2022-09-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小嶋秀和 ,  梅原弘道

IPC: G01R33/09

Abstract: 一种磁传感器，其具备：基板，其具有上表面；绝缘层，其配置于基板之上，且具有分别相对于基板的上表面倾斜的第一及第二倾斜面；以及MR元件结构体。MR元件配置于第一倾斜面或第二倾斜面之上。MR元件具有与第一倾斜面或第二倾斜面相对的下表面、上表面、以及连接下表面和上表面且包含两个台阶的第一面。

公开(公告)号：CN115840169A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211143044.0

申请日：2022-09-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅原弘道 ,  牧野健三 ,  桥野将亲

IPC: G01R33/09

Abstract: 磁传感器包含具有凸面的绝缘层、第一MR元件、以及第二MR元件。第一MR元件配置在凸面的第一倾斜面之上。第二MR元件配置在凸面的第二倾斜面之上。凸面包含第一～第三曲面部分。第二及第3曲面部分分别是向接近基板的上表面的方向上凸出的曲面。

公开(公告)号：CN115856730A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211143482.7

申请日：2022-09-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅原弘道 ,  川森启太 ,  牧野健三 ,  桥野将亲

IPC: G01R33/09 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80

Abstract: 磁传感器包含绝缘层、第一MR元件、以及第二MR元件。绝缘层包含第一层和第二层，并且具有遍及第一层和第二层形成的第一及第二倾斜面。第一及第二MR元件各自包含磁化固定层及自由层。第一MR元件的磁化固定层及自由层配置在第一倾斜面之上。第二MR元件的磁化固定层及自由层配置在第二倾斜面之上。

公开(公告)号：CN115840175A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211154919.7

申请日：2022-09-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅原弘道 ,  高杉圭祐 ,  礒田刚大 ,  稻毛健治

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明涉及一种传感器。磁传感器具备包含平坦部和突出部的绝缘层、第一MR元件、以及第二MR元件。突出部具有第一倾斜面和第二倾斜面。第一MR元件配置在第一倾斜面之上。第二MR元件配置在第二倾斜面之上。突出部沿着与基板的上表面平行的第一方向延伸，并且包含在突出部中的第一方向的端部分别向与基板的上表面平行的方向凹陷的多个凹部。

公开(公告)号：CN115840166A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211142505.2

申请日：2022-09-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小嶋秀和 ,  梅原弘道

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明的磁传感器具备：具有上表面基板；具有倾斜面的绝缘层；配置在倾斜面之上的MR元件；由绝缘材料构成的第一绝缘部，其配置在MR元件的一部分之上；以及由绝缘材料构成的第二绝缘部，在从第一绝缘部观察时，其在沿着倾斜面的方向且远离基板的上表面的方向的前方配置在MR元件的另一部分之上。