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公开(公告)号：CN114334585B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202111600088.7
申请日：2021-12-24
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MV级脉冲高压绝缘堆栈及其安装方法，主要解决现有真空绝缘堆栈尺寸庞大等问题。该MV级脉冲高压绝缘堆栈包括阴极体、阳极体、绝缘环和均压环；绝缘环与均压环沿轴向间隔交替排布形成绝缘堆栈本体；绝缘环的内表面设置为45度圆锥面；均压环的内表面设置有圆弧状凸起；阳极体和阳极体分别设置在绝缘堆栈本体的两侧，与绝缘堆栈本体形成真空腔体；各绝缘环圆锥面的小端均朝向阳极体设置，大端均朝向阴极体设置，且均压环的圆弧状凸起朝向绝缘环圆锥面的大端；且阴极体和阳极体的内侧设置有环形凸起，阳极体和阴极体的端面上均设置有接口，且阴极体为高压端，连接负高压脉冲源，阳极体为低压端，接地。
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公开(公告)号：CN113410110A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110513830.4
申请日：2021-05-07
Applicant: 南通职业大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体真空二极管，由电极A、介电体、半导体电极B三种材料层依次叠置而成，电极A为功函数较低的金属材质，介电体中间具有一个贯通的真空通道，电极B为重掺杂半导体材质；使用时，电极A、电极B分别连接直流电源的一个电极。本发明的二极管具有在高温高辐射环境下工作性能稳定，激发电子较多电流较大，对制备工艺中介质层膜厚工艺偏差容忍度高等优点。
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公开(公告)号：CN112768328A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110110840.3
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 本发明公开了一种强流高压真空二极管，目的是解决真空二极管绝缘子易产生沿面闪络问题。本发明由绝缘子、阳极、阴极、屏蔽环、法兰、密封圈构成，阴极、屏蔽环、绝缘子、阳极从内到外同轴嵌套，绝缘子外沿通过法兰与密封圈紧压在阳极内壁，屏蔽环拧在阴极的右端；阳极接地，侧面开有气孔，气孔外接真空机组。绝缘子为长锥形中空结构，隔离高功率脉冲驱动源的介质区与阳极筒内的真空区，绝缘子的中空部分插有阴极。屏蔽环为带有圆管的圆盘状金属结构，由圆管、圆盘、圆筒组成，屏蔽环能阻挡一部分沿磁力线回流的电子束，避免电子束轰击绝缘子表面。本发明解决了真空二极管绝缘子易产生沿面闪络，磁场导引下电子束易沿磁力线回流轰击阴极的问题。
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公开(公告)号：CN100356495C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510109144.1
申请日：2003-06-30
Applicant: 宋健民
Inventor： 宋健民
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种无晶钻石材料的应用装置，其是在提供足够的能量下，在真空中射出电子，适用于热发射或场发射方面，将电子射出的量予以最大化，同时将所需的能量予以降低。无晶钻石材料包括至少90%的碳原子，其中的至少30%是以扭曲的四面体链接而结合在一起。此材料具有一发射平面是由10-10,000纳米的不等的高度。许多不同的能量形式可分别地或是合并地加速电子流。无晶钻石材料和许多不同的真空装置，例如开关、激光二极管、电动产生器及冷却装置等相互配合使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119694857A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411914132.5
申请日：2024-12-24
Abstract: 用于辐射场聚焦的双层阳极结构强流二极管及使用方法，包括：环形阴极板、外层阳极环形板、内层阳极环形板和阳极靶面；内层阳极环形板的侧面并排设置阳极靶面，环形阴极板套设在内层阳极环形板和阳极靶面的外侧，且与内层阳极环形板和阳极靶面之间形成第一空腔；外层阳极环形板套设在环形阴极板外侧，且与环形阴极板之间形成第二空腔；第一空腔和第二空腔在阳极靶面处连通。本发明通过双层阳极结构（内层阳极环形板和外层阳极环形板）的设计，可以更有效地控制电子束的流动和聚焦。这种结构有助于维持环形电子束的形态稳定，减少电子束在传输过程中的扩散和散焦。
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公开(公告)号：CN118645413A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410675378.5
申请日：2024-05-29
Applicant: 贵州师范大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种纳米尺度空气沟道器件结构及其制备方法，该器件包括硅衬底层、第一介质层、第一金属层、第二介质层、空气沟道、第二金属层，其中空气沟道位于第二介质层一端以及第一金属层与第二金属层之间，该器件的制备方法通过上层金属遮挡一端介质层，另一端暴露进行湿法刻蚀的方法进行空气沟道的制作；本发明解决了现有技术由于发射极和收集极不在一个平面，从而导致集成化困难的问题，适用于电子器件领域。
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公开(公告)号：CN117594396A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311629994.9
申请日：2023-11-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于肖特基倍频二极管的电磁波辐射源，其电磁波输出装置包括功率分配器，N对肖特基倍频二极管和移相器，以及空间功率合成器，其中功率分配器用于将真空电子器件所产生的电磁波分成N路，并分别发送至对应的肖特基倍频二极管，肖特基倍频二极管对所接收的电磁波进行倍频，并将倍频后的电磁波输出至对应的移相器，移相器对所接收的电磁波进行相位调整，然后输出至空间功率合成器进行功率合成后输出。本发明通过在真空电子器件的输出装置中引入肖特基倍频二极管，利用肖特基倍频二极管的倍频性能，提高电磁波辐射源的输出频率。
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公开(公告)号：CN114334585A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111600088.7
申请日：2021-12-24
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MV级脉冲高压绝缘堆栈及其安装方法，主要解决现有真空绝缘堆栈尺寸庞大等问题。该MV级脉冲高压绝缘堆栈包括阴极体、阳极体、绝缘环和均压环；绝缘环与均压环沿轴向间隔交替排布形成绝缘堆栈本体；绝缘环的内表面设置为45度圆锥面；均压环的内表面设置有圆弧状凸起；阳极体和阳极体分别设置在绝缘堆栈本体的两侧，与绝缘堆栈本体形成真空腔体；各绝缘环圆锥面的小端均朝向阳极体设置，大端均朝向阴极体设置，且均压环的圆弧状凸起朝向绝缘环圆锥面的大端；且阴极体和阳极体的内侧设置有环形凸起，阳极体和阴极体的端面上均设置有接口，且阴极体为高压端，连接负高压脉冲源，阳极体为低压端，接地。
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公开(公告)号：CN113921357A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111161096.6
申请日：2021-09-30
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 本申请公开了一种梯度磁场装置，包括导引强流相对论电子束传输的导引磁场；导引磁场包括螺线管线圈；螺线管线圈绕在强流二极管周围，以用于形成使强流相对论电子束产生径向偏转的梯度磁场，包括第一子线圈、第二子线圈和第三子线圈；第一子线圈绕在强流二极管阳极的外侧，第二子线圈绕在强流二极管的外导体的外侧，第三子线圈绕在第二子线圈的外侧；导引磁场还包括调节磁场；调节磁场固定设在第一子线圈和第二子线圈之间且绕在强流二极管周围，用于调节强流相对论电子束半径变化的速度。本申请还公开了一种基于梯度磁场的强流二极管，包括梯度磁场装置。采用本申请能够解决高阻抗二极管尺寸难以缩小的问题。
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