公开(公告)号：CN1626438A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410090487.3

申请日：2004-11-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 古川俊治 ,  马克·C·黑凯 ,  史蒂文·J·霍尔姆斯 ,  戴维·V·霍拉克 ,  查尔斯·W·科伯格第三 ,  彼得·H·米切尔 ,  拉里·A·内斯比特

IPC: C01B31/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/22 ,  C01B2202/34 ,  H01J1/3044 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/84 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/843 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明涉及一种合成碳纳米管的方法和由此形成的结构。该方法包括在由第一衬底支撑的多个合成位置上形成碳纳米管、中断纳米管合成、安装每个碳纳米管的自由端至第二衬底上、以及去除第一衬底。每个碳纳米管由一个合成位置盖住顶部，生长反应物易于进入该合成位置。随着恢复的纳米管合成过程中碳纳米管增长，至合成位置的通道保持畅通。

公开(公告)号：CN1263356A

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：CN99126409.6

申请日：1999-12-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 古川俊治 ,  M·C·哈奇 ,  S·J·霍梅斯 ,  D·V·霍拉克 ,  P·A·拉比多西

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76895

Abstract: 一种在晶体管中形成栅导体包覆的方法,包括以下步骤:a)形成多晶硅栅导体;b)掺杂多晶硅部分;c)掺杂扩散区域;以及d)通过选自选择性氮化物淀积和选择性表面氮化的氮化方法包覆栅导体。所得晶体管包括包覆的栅导体和无边框扩散接触,其中通过选自选择性氮化物淀积和选择性表面氮化的氮化方法进行包覆,其中在氮化方法期间掩蔽部分栅导体,留出开口用做局部互连或栅接触的接触区域。

公开(公告)号：CN1254183A

公开(公告)日：2000-05-24

申请号：CN99123246.1

申请日：1999-10-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 古川俊治 ,  M·C·哈奇 ,  S·J·霍梅斯 ,  D·V·霍拉克 ,  P·A·拉比杜西

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/027 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76897 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种在集成电路上形成接点的方法,在这种方法中,在衬底上形成下部的较厚的第一材料层和上部的较薄的第二材料层。首先在上层对金属布线进行构图;穿过薄的表面层及部分地穿过第二厚层来刻蚀布线图形槽。在刻蚀布线图形后,布线层的接点作为与布线图形交叉的线/区间图形被印制出来。用刻蚀工艺将接点图形刻蚀进下面的厚层,该刻蚀工艺对上部的薄层进行选择性地刻蚀。接点仅在布线图象与接点图象的交叉点处形成,因此接点与金属自对准。