公开(公告)号：CN103782374A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280044092.2

申请日：2012-09-03

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/3205 ,  C22C21/00 ,  C23C14/34 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/30 ,  H01J11/46 ,  H01J31/12 ,  H01J31/15 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/06 ,  H05B33/14

CPC classification number: G02F1/13439 ,  B32B15/016 ,  B32B15/017 ,  C22C14/00 ,  C22C21/00 ,  C22C27/02 ,  C22C27/04 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/025 ,  C23C14/0641 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01J11/46 ,  H01J31/127 ,  H01L21/4885 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/1095 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种即使曝露在450～600℃左右的高温下也不会发生小丘(ヒロック：hillock)，高温耐热性优异，配线结构整体的电阻(配线电阻)也抑制得很低，此外耐氢氟酸性也优异的显示装置用配线结构。本发明的显示装置用配线结构，具有从基板侧按顺序层叠有如下Al合金的第一层和如下氮化物的第二层的构造：所述Al合金含有从由Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、Cr以及P所构成的组(X组)中选择的至少一种元素和稀土类元素的至少一种；所述氮化物是从由Ti、Mo、Al、Ta、Nb、Re、Zr、W、V、Hf和Cr所构成组(Y组)中选择的至少一种元素的氮化物或Al合金的氮化物。

公开(公告)号：CN102265323B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201080003695.9

申请日：2010-01-15

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  三木绫 ,  富久胜文 ,  越智元隆 ,  大西隆 ,  钉宫敏洋

IPC: G09F9/30 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C23C14/14 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L23/53238 ,  B32B15/01 ,  C22C9/00 ,  C23C14/025 ,  C23C14/14 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53233 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具备Cu合金膜的显示装置，该Cu合金膜具有与透明基板的高密接性及低电阻率。本发明涉及一种显示装置，具有与透明基板直接接触的显示装置用Cu合金膜，其中，所述Cu合金膜具有层叠结构，该层叠结构包含：由Cu合金构成的第一层(Y)，该Cu合金包含总计为2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb及Mn构成的组中选择出的至少1种元素；由纯Cu构成的第二层(X)、或实质上由以Cu为主成分且电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成的第二层(X)，所述第一层(Y)与所述透明基板接触。

公开(公告)号：CN103270602A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201180061835.2

申请日：2011-12-28

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  三木绫 ,  安野聪 ,  钉宫敏洋 ,  岸智弥

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L27/016 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有In、Zn、和选自Al、Si、Ta、Ti、La、Mg及Nb中的至少一种元素(X组元素)。根据本发明，可提供一种薄膜晶体管半导体层用氧化物，其具备不含Ga的In-Zn-O氧化物半导体的薄膜晶体管的开关特性及耐应力性良好，特别是正偏压应力施加前后的阈值电压变化量小，稳定性优异。

公开(公告)号：CN103038888A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180037189.6

申请日：2011-07-28

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 森田晋也 ,  三木绫 ,  岩成裕美 ,  钉宫敏洋 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01B1/08 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在保护膜形成后也可以稳定获得良好的特性的薄膜晶体管半导体用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物含有Zn、Sn和Si。

公开(公告)号：CN103003860A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180035545.0

申请日：2011-07-21

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 三木绫 ,  钉宫敏洋 ,  寺尾泰昭

IPC: G09F9/30 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C23C30/00 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786 ,  C22F1/00

CPC classification number: G09F9/30 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C23C14/185 ,  C23C28/321 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3279 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/12611 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明具备具有与含氧绝缘体层的高密接性和低电阻率的Cu合金膜的显示装置。本发明的显示装置用Cu合金膜，具有包括第一层(Y)和第二层(X)的层叠构造，其中，所述第一层(Y)由合计含有1.2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb和Mn构成的群中选出的至少一种的元素的Cu合金构成，所述第二层(X)由纯Cu或以Cu为主成分的Cu合金即电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成，所述第一层(Y)的一部或全部与含氧绝缘体层直接接触，并且，所述第一层(Y)含有Zn或Ni时，所述第一层(Y)的膜厚为10nm以上100nm以下，所述第一层(Y)不含有Zn和Ni时，所述第一层(Y)的膜厚为5nm以上100nm以下。

公开(公告)号：CN102741449A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180008362.X

申请日：2011-02-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  钉宫敏洋 ,  后藤裕史

IPC: C23C14/14 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/165 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  Y10T428/31678

Abstract: 提供一种显示装置用Al合金膜，其即使曝露在450～600℃左右的高温下也不会发生小丘，高温耐热性优异，膜自身的电阻(互连电阻)也低，碱性环境下的耐腐蚀性也优异。一种显示装置用Al合金膜，其含有从Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf和Ti所构成的X群中选择的至少一种元素、和稀土类元素的至少一种，进行450～600℃的加热处理时，满足下述(1)的要件。(1)在含有Al、从X群中选择的至少一种元素、稀土类元素的至少一种的第一析出物中，当量圆直径20nm以上的析出物以500000个/mm2以上的密度存在。

公开(公告)号：CN102265323A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201080003695.9

申请日：2010-01-15

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  三木绫 ,  富久胜文 ,  越智元隆 ,  大西隆 ,  钉宫敏洋

IPC: G09F9/30 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C23C14/14 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L23/53238 ,  B32B15/01 ,  C22C9/00 ,  C23C14/025 ,  C23C14/14 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53233 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具备Cu合金膜的显示装置，该Cu合金膜具有与透明基板的高密接性及低电阻率。本发明涉及一种显示装置，具有与透明基板直接接触的显示装置用Cu合金膜，其中，所述Cu合金膜具有层叠结构，该层叠结构包含：由Cu合金构成的第一层(Y)，该Cu合金包含总计为2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb及Mn构成的组中选择出的至少1种元素；由纯Cu构成的第二层(X)、或实质上由以Cu为主成分且电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成的第二层(X)，所述第一层(Y)与所述透明基板接触。

公开(公告)号：CN100523290C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200480031912.X

申请日：2004-10-27

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  旭硝子株式会社

Inventor： 林和志 ,  钉宫敏洋 ,  古保里隆 ,  海老泽纯一 ,  佐藤一夫 ,  吉川幸雄

IPC: C23C16/455 ,  C23F4/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/45589 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/67017

Abstract: 本发明的课题为，以简略且低成本的结构，使向基材上的均匀的气体供给成为可能，而实现高质量的表面处理。作为其解决的方法，是一边将基材(12)朝特定方向搬送，一边向其表面供给表面处理用气体，由此进行基材(12)的表面处理，作为所述表面处理用气体的供给机构，是使具有圆筒状外周面的旋转体(24)的上述外周面，与所述基材(12)的表面、或设置于从上述基材相离的位置的对向构件(20)，隔有间隙(23)而相对向，使之以与所述基材(12)的搬送方向大致垂直的方向的轴为中心而旋转。由此旋转，使所述表面处理用气体卷入旋转体(24)的外周面，导向所述间隙(23)，从此间隙(23)向所述基材(12)的表面送出表面处理用气体。

公开(公告)号：CN101281913A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810100518.7

申请日：2006-02-17

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  富久胜文

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/52 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C21/00

Abstract: 一种显示器，其中Al合金膜和导电氧化物膜在没有插入高熔点金属的情况下直接连接，并且部分或全部Al合金组分沉积或富集在所述Al合金膜和所述导电氧化物膜之间的接触界面上。所述Al合金膜包括作为合金组分的0.1～6at％的选自Ni，Ag，Zn，Cu和Ge中的至少一种元素，以及还包括1)0.1～2at％的选自Mg，Cr，Mn，Ru，Rh，Pd，Ir，Pt，La，Ce，Pr，Gd，Tb，Sm，Eu，Ho，Er，Tm，Yb，Lu和Dy中的至少一种元素，或2)0.1～1at％的选自Ti，V，Zr，Nb，Mo，Hf，Ta和W中的至少一种元素。

公开(公告)号：CN100392505C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200510118731.7

申请日：2005-10-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 钉宫敏洋 ,  富久胜文 ,  高木胜寿 ,  中井淳一

IPC: G02F1/1343 ,  C22C9/00

CPC classification number: H01L23/53233 ,  C23C14/185 ,  G02F2001/136295 ,  H01J29/02 ,  H01J2211/225 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种铜合金薄膜，含有Fe和P以及余量基本上是Cu，其中Fe和P的含量满足所有下列条件(1)～(3)，并且，其中，在200～500℃下热处理1～120分钟之后，Fe2P析出在Cu的晶界上：1.4NFe+8NP＜1.3 (1)；NFe+48NP＞1.0 (2)；12NFe+NP＞0.5 (3)。其中，NFe表示Fe的含量(原子百分比)；NP表示P的含量(原子百分比)。