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公开(公告)号：CN110574161A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880027649.9
申请日：2018-04-02
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11573
Abstract: 一种存储器单元的竖向延伸串的阵列包括交替的绝缘层级与字线层级的垂直堆叠。所述字线层级具有对应于控制栅极区域的终端。个别存储器单元的电荷存储材料沿着所述字线层级的所述控制栅极区域中的个别者竖向延伸且并不沿着所述绝缘层级竖向延伸。所述个别存储器单元的电荷阻挡区域横向沿着所述字线层级的所述个别控制栅极区域竖向延伸，通过所述电荷阻挡区域阻挡所述个别控制栅极区域与所述电荷存储材料之间的电荷迁移。沟道材料沿着所述堆叠竖向延伸且通过绝缘电荷通路材料与所述电荷存储材料横向间隔开。存储器单元的所述竖向延伸串中的个别者的所有所述电荷存储材料从存储器单元的所述个别竖向延伸串的所有所述绝缘电荷通路材料横向向外。本发明揭示包含方法实施例的其它实施例。
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公开(公告)号：CN110504156A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910401461.2
申请日：2019-05-15
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 古尔特杰·S·桑胡
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/762 , H01L27/108
Abstract: 本申请案涉及减少硅消耗的方法，形成半导体结构的方法，以及形成隔离结构的方法。减少硅材料的硅消耗的方法包括清洁硅材料及在低于硅的熔点的温度下且在真空条件下使所述经清洁硅材料经受真空退火。所述硅材料经受额外处理动作而基本上不会移除所述硅材料的硅。还揭示形成半导体结构及形成隔离结构的额外方法。
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公开(公告)号：CN110164494A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910122542.9
申请日：2019-02-13
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C11/16
Abstract: 本申请案是针对实现快速脉冲操作。描述用于实现快速脉冲操作的方法、系统及装置。可确定选择组件的阈值电压以及响应于由外部源产生的电压而施加到选择组件以达到阈值电压的电压的必需持续时间。所述阈值电压可对应于所述选择组件经配置以释放电荷时的电压。可接着产生电压，且将其施加到与所述选择组件及存储器单元电子通信的存取线达至少所述必需持续时间。电荷可在所述必需持续时间期间存储在所述选择组件处，且在所述必需持续时间之后转移到存储器单元。
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公开(公告)号：CN105981177B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201480075413.4
申请日：2014-12-03
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明揭示一种晶体管，在一些实施例中，其包含具有底部源极/漏极区、第一绝缘材料、导电栅极、第二绝缘材料及顶部源极/漏极区的堆叠。所述堆叠具有垂直侧壁，其具有沿着所述底部源极/漏极区的底部部分，沿着所述导电栅极的中间部分，以及沿着所述顶部源极/漏极区的顶部部分。第三绝缘材料沿着所述垂直侧壁的所述中间部分。沟道区材料沿着所述第三绝缘材料。所述沟道区材料直接抵靠所述垂直侧壁的所述顶部部分及所述底部部分。所述沟道区材料具有处在从大于约到小于或等于约的范围内的厚度；及/或具有从1单分子层到7单分子层的厚度。
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公开(公告)号：CN105122371B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201480021442.2
申请日：2014-02-19
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 布伦特·基斯 , 杜莱·维莎卡·尼尔摩·拉玛斯瓦米 , 古尔特杰·S·桑胡 , 亚当·D·琼森 , 史考特·E·西利士 , 亚历山德罗·卡德罗尼
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/00 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0021 , G11C13/0064 , G11C2013/0066 , G11C2013/0071 , G11C2013/0076 , G11C2013/0083 , H01L22/14
Abstract: 本发明描述形成存储器单元的设备及方法。在此一种方法中，监测施加到例如电阻式RAM RRAM存储器单元的一个存储器单元的形成电荷以确定形成所述单元的进度。如果所述单元正过于缓慢地消耗电荷，那么可施加较高电压。如果所述单元正过于快速地消耗电荷，那么可施加较低电压。可通过将电容器充电到特定电平，接着监测所述电容器通过所述单元的放电速率来监测所述电荷。所述监测可使用比较器来测量所述电荷。所述监测也可使用模/数转换器来执行所述监测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107258024A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201680012152.0
申请日：2016-02-16
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本发明揭示一种形成磁隧道结的磁电极的方法，其包括：使包括MgO的非磁材料形成于所形成的磁电极的导电材料上方。使非晶体金属形成于所述包括MgO的材料上方。使包括Co及Fe的非晶体磁电极材料形成于所述非晶体金属上方。所述非晶体磁电极材料缺乏B。直接抵靠所述非晶体磁电极材料而形成包括MgO的非磁隧道绝缘体材料。所述隧道绝缘体材料缺乏B。在形成所述隧道绝缘体材料后，在至少约250℃的温度下使所述包括Co及Fe的非晶体磁电极材料退火以从所述隧道绝缘体材料的包括MgO的表面形成包括Co及Fe的结晶磁电极材料。所述包括Co及Fe的结晶磁电极材料缺乏B。本发明还揭示其它方法及非方法实施例。
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公开(公告)号：CN107124905A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201580056941.X
申请日：2015-08-11
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 一些实施例包含一种装置，所述装置具有导电材料、含金属硫属化合物材料及位于所述含金属硫属化合物材料与所述导电材料之间的区域。所述区域含有组合物，所述组合物具有至少约3.5电子伏特的带隙及在从约1.8到25的范围内的介电常数。一些实施例包含一种装置，所述装置具有第一电极、第二电极及位于所述第一电极与所述第二电极之间的含金属硫属化合物材料。所述装置还包含位于所述含金属硫属化合物材料与所述第一电极及所述第二电极中的一者之间的电场修改区域。所述电场修改区域含有组合物，所述组合物具有至少约3.5电子伏特的带隙、具有低介电常数及相对于所述含金属硫属化合物材料的金属的功函数偏移的低传导带。
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公开(公告)号：CN107078211A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580055998.8
申请日：2015-09-23
Applicant: 美光科技公司
CPC classification number: H01L27/222 , H01L27/226 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 磁性单元包含磁性区域、次要氧化物区域及吸气剂晶种区域。在形成期间，扩散性物质由于由吸气剂物质引起的化学亲和力而从前体磁性材料转移到所述吸气剂晶种区域。所述磁性材料的耗尽使得所述耗尽磁性材料能够在无来自现在为富集的所述吸气剂晶种区域的干扰的情况下通过从相邻结晶材料的晶体结构传播而结晶。此促成高隧穿磁阻及高磁性各向异性强度。此外，在形成期间，另一扩散性物质由于由另一吸气剂物质引起的化学亲和力而从前体氧化物材料转移到所述吸气剂晶种区域。所述氧化物材料的耗尽实现单元结构中的较低电阻及低阻尼。本发明还揭示制造方法及半导体装置。
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公开(公告)号：CN104124251B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410291273.6
申请日：2010-08-25
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L29/792 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28282 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L29/66833 , H01L29/792 , H01L29/7926
Abstract: 本发明涉及基于电荷陷阱的存储器。本发明描述制作3D电荷陷阱存储器单元的方法连同包含所述3D电荷陷阱存储器单元的设备及系统。在由导电及绝缘材料交替层形成的平面堆叠中，可形成大致垂直开口。在所述垂直开口内侧，可形成包括第一层、电荷陷阱层、穿隧氧化物层及外延硅部分的大致垂直结构。本发明还描述额外实施例。
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公开(公告)号：CN105556691A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480050115.X
申请日：2014-07-22
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 古尔特杰·S·桑胡
CPC classification number: H01L27/222 , G11C11/161 , H01L29/82 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明揭示一种形成一行磁性隧道结的方法，其包含：在衬底上形成磁性记录材料，在所述记录材料上形成非磁性材料，及在所述非磁性材料上形成磁性参考材料。所述衬底具有沿至少一个横截面的反应源材料与绝缘体材料的交替外区域。所述反应源材料包含将在经受一组温度及压力条件时与所述记录材料反应以形成电介质材料的反应物。将所述参考材料图案化成穿过所述交替外区域的纵向延长行。所述记录材料经受所述组温度及压力条件以与所述反应源材料的所述反应物反应，以形成沿所述行与所述记录材料纵向交替的所述电介质材料的区域且沿所述行形成磁性隧道结，所述磁性隧道结个别地包括纵向地介于所述电介质材料区域之间的所述记录材料、所述非磁性材料及所述参考材料。本发明揭示其它方法及独立于方法的磁性隧道结行。
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