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公开(公告)号：CN113692646B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201980090268.X
申请日：2019-12-23
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 卡迈勒·M·考尔道 , 刘海涛 , K·萨尔帕特瓦里 , D·V·N·拉马斯瓦米
IPC: H10B12/00
Abstract: 一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含垂直布置于衬底上方的多个层级的2晶体管2T存储器单元。每一2T存储器单元包含具有栅极的电荷存储晶体管、具有栅极的写入晶体管、垂直延伸存取线及单个位线对。所述写入晶体管的源极或漏极区直接耦合到所述电荷存储晶体管的电荷存储结构。所述垂直延伸存取线耦合到所述多个垂直布置层级的多个相应层级中的2T存储器单元的所述电荷存储晶体管及所述写入晶体管两者的栅极。所述垂直延伸存取线及所述单个位线对用于与其耦合的所述2T存储器单元中的每一者的写入操作及读取操作两者。
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公开(公告)号：CN107251223B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201680010690.6
申请日：2016-01-13
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11507 , H01L49/02
Abstract: 本发明揭示一种存储器单元，其包含选择装置及与所述选择装置串联电耦合的电容器。所述电容器包含两个导电电容器电极，其具有介于其之间的铁电材料。所述电容器具有从所述电容器电极中的一者穿过所述铁电材料而到另一电容器电极的本征电流泄漏路径。存在从所述一个电容器电极到所述另一电容器电极的平行电流泄漏路径。所述平行电流泄漏路径电路平行于所述本征路径，且具有比所述本征路径低的总电阻。本发明揭示其它方面。
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公开(公告)号：CN106463538A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580021287.9
申请日：2015-04-24
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 卡迈勒·M·考尔道 , 钱德拉·穆利 , 杜赖·维沙克·尼马尔·拉马斯瓦 , 米 , F·丹尼尔·吉利
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明揭示一种场效应晶体管构造，其包含半导电沟道核心。源极/漏极区域在所述沟道核心的对置端处。栅极接近所述沟道核心的外围。栅极绝缘体在所述栅极与所述沟道核心之间。所述栅极绝缘体具有径向穿过其的局部区域，所述局部区域在相对于所述沟道核心外围的不同圆周位置处具有不同电容。本发明揭示额外构造和方法。
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公开(公告)号：CN105453267A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480044580.2
申请日：2014-07-22
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11597 , G11C11/22 , H01L21/02568 , H01L21/28291 , H01L27/11514 , H01L27/1157 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L27/11585 , H01L27/1159 , H01L29/0649 , H01L29/1037 , H01L29/24 , H01L29/42384 , H01L29/42392 , H01L29/4908 , H01L29/516 , H01L29/6684 , H01L29/7827 , H01L29/78642 , H01L29/78681 , H01L2029/42388
Abstract: 本发明揭示一种包括隔离芯的垂直铁电场效晶体管构造。过渡金属二硫属化物材料围绕所述隔离芯且具有1个单层到7个单层的侧向壁厚度。铁电栅极电介质材料围绕所述过渡金属二硫属化物材料。导电栅极材料围绕所述铁电栅极电介质材料。所述过渡金属二硫属化物材料从所述导电栅极材料立面向内及立面向外延伸。导电接触件直接抵靠所述过渡金属二硫属化物材料的侧向外侧壁，所述过渡金属二硫属化物材料为：a)从所述导电栅极材料立面向内，或b)从所述导电栅极材料立面向外。本发明还揭示额外实施例。
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公开(公告)号：CN113272957B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201980086864.0
申请日：2019-12-19
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 卡迈勒·M·考尔道 , S·普卢居尔塔 , 刘海涛 , K·萨尔帕特瓦里 , D·V·N·拉马斯瓦米
IPC: H10B12/00
Abstract: 一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备和方法中的一个包含具有定位于衬底上方的第一晶体管和第二晶体管的存储器单元。所述第一晶体管包含沟道区。所述第二晶体管包含定位于所述第一晶体管的所述沟道区上方且与所述第一沟道区电分离的沟道区。所述存储器单元包含定位于所述第一晶体管的所述沟道区的至少一侧上的存储器元件。所述存储器元件与所述第一晶体管的所述沟道区电分离，且电耦合到所述第二晶体管的沟道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113972275A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110776401.6
申请日：2021-07-09
Applicant: 美光科技公司
Inventor： F·A·席赛克-艾吉 , K·J·特雷克 , 卡迈勒·M·考尔道 , 高云飞 , K·K·穆图克里希南
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L27/108
Abstract: 本申请涉及包括具有至少部分凹入沟道区域内的栅极电极的垂直晶体管的设备以及相关方法和系统。一种设备包含具有沟道区域的至少一个垂直晶体管。所述沟道区域包含具有第一宽度的上部区域和位于所述上部区域下方并且具有小于所述第一宽度的第二宽度的下部区域。所述上部区域限定横向延伸超出所述下部区域的至少一个悬垂部分。所述至少一个垂直晶体管进一步包含至少部分垂直地位于所述沟道区域的所述上部区域的所述至少一个悬垂部分之下的栅极电极。还公开了另外的设备和相关系统和方法。
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公开(公告)号：CN113692646A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201980090268.X
申请日：2019-12-23
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 卡迈勒·M·考尔道 , 刘海涛 , K·萨尔帕特瓦里 , D·V·N·拉马斯瓦米
IPC: H01L27/108
Abstract: 一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含垂直布置于衬底上方的多个层级的2晶体管2T存储器单元。每一2T存储器单元包含具有栅极的电荷存储晶体管、具有栅极的写入晶体管、垂直延伸存取线及单个位线对。所述写入晶体管的源极或漏极区直接耦合到所述电荷存储晶体管的电荷存储结构。所述垂直延伸存取线耦合到所述多个垂直布置层级的多个相应层级中的2T存储器单元的所述电荷存储晶体管及所述写入晶体管两者的栅极。所述垂直延伸存取线及所述单个位线对用于与其耦合的所述2T存储器单元中的每一者的写入操作及读取操作两者。
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公开(公告)号：CN105981177A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480075413.4
申请日：2014-12-03
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/2454 , H01L21/02568 , H01L27/11582 , H01L27/2463 , H01L29/0603 , H01L29/24 , H01L29/66484 , H01L29/66666 , H01L29/66833 , H01L29/66969 , H01L29/7827 , H01L29/78642 , H01L29/78681 , H01L29/78696 , H01L29/7926 , H01L45/065 , H01L45/141 , H01L45/16
Abstract: 本发明揭示一种晶体管，在一些实施例中，其包含具有底部源极/漏极区、第一绝缘材料、导电栅极、第二绝缘材料及顶部源极/漏极区的堆叠。所述堆叠具有垂直侧壁，其具有沿着所述底部源极/漏极区的底部部分，沿着所述导电栅极的中间部分，以及沿着所述顶部源极/漏极区的顶部部分。第三绝缘材料沿着所述垂直侧壁的所述中间部分。沟道区材料沿着所述第三绝缘材料。所述沟道区材料直接抵靠所述垂直侧壁的所述顶部部分及所述底部部分。所述沟道区材料具有处在从大于约3A到小于或等于约IθA的范围内的厚度；及/或具有从1单分子层到7单分子层的厚度。
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公开(公告)号：CN113383417B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201980091157.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 卡迈勒·M·考尔道 , K·萨尔帕特瓦里 , D·V·N·拉马斯瓦米 , 刘海涛
IPC: H10B12/00
Abstract: 一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含位于衬底上方的存储器单元以及第一数据线、第二数据线和第三数据线。所述存储器单元包含第一晶体管和第二晶体管。所述第一晶体管包含位于所述设备的第一层级上的电荷存储结构，以及与所述电荷存储结构电分离的第一沟道区。所述第二晶体管包含位于所述设备的第二层级上且电耦合到所述电荷存储结构的第二沟道区。所述第一数据线和所述第二数据线位于所述设备的第三层级上且电耦合到所述第一沟道区。所述第一层级在所述衬底与所述第三层级之间。所述第三数据线电耦合到所述第二沟道区且与所述第一沟道区电分离。
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公开(公告)号：CN113302739B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201980089136.5
申请日：2019-10-30
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L29/792 , H01L29/66
Abstract: 一种存储器可具有堆叠存储器阵列，所述堆叠存储器阵列可具有存储器单元的多个层级。存储器单元的每一相应层级可共同耦合到相应存取线。多个驱动器可位于所述堆叠存储器阵列上方。每一相应驱动器可具有单晶半导体，其具有耦合到相应存取线的导电区域。
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