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公开(公告)号：CN1738070A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510103803.0
申请日：2005-08-05
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L51/05 , H01L51/40 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02118 , H01L21/31691 , H01L51/0021 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0097 , H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: 一种具有粘接层的有机薄膜晶体管(OTFT)和其制造方法。OTFT包括形成在衬底上的栅极、形成在栅极上和衬底的剩余暴露部分上的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的粘接层、形成在粘接层上的源/漏极、和形成在源/漏极和粘接层上的半导体层。栅绝缘层和半导体层是有机的，粘接层提供源/漏极和栅绝缘膜之间的粘接、防止栅漏电流、还提高接触电阻。
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公开(公告)号：CN1734789A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510081771.9
申请日：2005-06-08
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H05B33/00
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 一种有机TFT包括栅电极；与栅电极绝缘的源电极和漏电极；与栅电极绝缘并与源电极和漏电极接触的有机半导体层。与有机半导体层接触、且面对漏电极的源电极的边缘部分的长度，大于与有机半导体层接触、且面对源电极的漏电极的边缘部分的长度，从而减小源电极和有机半导体层之间的接触电阻。
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公开(公告)号：CN1728404A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510098062.1
申请日：2005-07-21
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/00
CPC classification number: H01L27/1222 , B82Y10/00 , H01L27/1214 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/78681 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种改进的薄膜晶体管(TFT)，该薄膜晶体管能在室温下形成且有源层和源电极及漏电极之间的接触电阻得到改善，且还提供一种利用该TFT的平板显示器件。该TFT包括：有源层，该有源层包括至少两层纳米粒子层，所述纳米粒子层包括至少一种纳米粒子类型；插在纳米粒子层之间的绝缘层；与有源层绝缘的栅电极；以及在各自的沟道中形成的源电极及漏电极，源电极及漏电极接触有源层的纳米粒子层之一。该TFT的结构使多个不同类型的TFT的同时生产变得容易。
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公开(公告)号：CN1713409A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200510079538.7
申请日：2005-06-23
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L51/20 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0529
Abstract: 本发明提供了一种有机薄膜晶体管和制造其的方法。该有机薄膜晶体管具有衬底和位于衬底上的栅电极。栅极绝缘体具有位于栅电极上的包括无机栅极绝缘体和有机栅极绝缘体的叠层结构。有机半导体层位于栅极绝缘体上来与栅电极重叠。因此，形成具有柔性、减小的泄漏电流和低阈值电压的有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1707812A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510081791.6
申请日：2005-06-08
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L51/20 , G02F1/136 , G09G3/38
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L27/3244 , H01L51/0036 , H01L51/0055 , H01L51/0541
Abstract: 一种薄膜晶体管(TFT)，其包括：栅极；均与栅极绝缘的源极和漏极；及适于与源极和漏极均接触的有机半导体层，该有机半导体层与栅极绝缘；其中该有机半导体层包括其粒径比有机半导体层其他部分粒径小的边界区，该边界区包围有机半导体层的至少一个沟道区以及源和漏区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1661774A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200410081921.1
申请日：2004-12-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/38207 , B41M5/395 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L27/3244 , H01L29/04 , H01L29/78681 , H01L29/7869 , H01L51/0013 , H01L51/0097 , H01L2251/5338 , H01L2251/5369 , Y10S977/773 , Y10T428/31504
Abstract: 一种柔性平板显示器，其中毫微粒子用于活性层并且衬底是柔性塑料，一种制造所述柔性平板显示器的方法，一种使用施主薄片制造薄膜晶体管(TFT)的方法，以及一种使用施主薄片制造平板显示器的方法。在制造显示器内的TFT中，施主薄片用来把毫微粒子从薄片转移到衬底。所述施主薄片可以在室温下制造。所述施主薄片具有底膜和转移层，所述转移层排列在所述底膜的一个侧面上并且是可转移的，其中所述转移层包括多个被排列成大约彼此平行的毫微粒子。
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公开(公告)号：CN1604702A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410092128.1
申请日：2004-08-09
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L51/5284 , H01L2251/5346
Abstract: 本发明的发光显示器件包括具有其上形成薄膜晶体管的绝缘衬底。该薄膜晶体管包括源电极和/或漏电极。在薄膜晶体管的至少一部分上的绝缘衬底上形成钝化层，并且该钝化层具有形成于其中的导通孔，该导通孔电接触源电极或者漏电极。在导通孔中形成像素电极。在除了对应于像素电极的区域之外的钝化层的整个上表面上形成阻光层。在除了对应于像素电极的区域之外的阻光层的上表面上形成平坦化层。
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公开(公告)号：CN1578569A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410054951.3
申请日：2004-07-26
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L51/5284 , H01L2251/5346
Abstract: 一种有机发光装置，通过形成具有高透射率导电材料和高反射率导电材料之间的浓度梯度的黑矩阵的栅极布线与数据布线来改善对比度。该装置包括：形成在绝缘衬底上的栅极布线与数据布线，由栅极布线与数据布线形成的像素部分，设置在像素部分中的像素，其中栅极布线与数据布线中至少一个由导电光吸收材料形成。至少一个布线由具有高透射率导电材料和高反射率导电材料之间的浓度梯度的光吸收材料形成。高反射率导电材料由Al、Mo、Ti、Cu、Ag等的至少一种构成，具有高透射率的导电材料由ITO、IO、TO、IZO、ZnO等的至少一种构成。栅极布线包括栅极线、栅电极、电容器电极或电源线，而数据布线包括数据线、源漏电极、电容器电极或电源线。
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公开(公告)号：CN1543284A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410028710.1
申请日：2004-03-10
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5218 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3295 , H01L51/5016 , H01L51/5265 , H01L2251/5315 , H01L2251/558 , Y10S428/917
Abstract: 本发明公开一种高效有机电致发光显示器及其制造方法，该显示器包括：设置在基板上的、彼此分开的R、G和B单元像素的阳极电极；形成在阳极电极上的R、G和B单元像素的有机薄膜层；和形成在基板整个表面上的阴极电极。R、G和B单元像素中的至少一个单元像素的阳极电极具有不同于其它单元像素的阳极电极的厚度。每个单元像素的阳极电极包括具有高反射率的第一膜和用于调节功函数的第二膜。单元像素中至少一个单元像素的第二膜具有不同于其它单元像素第二膜的厚度。R单元像素第二膜比其它单元像素的第二膜厚。
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公开(公告)号：CN1543269A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410004188.3
申请日：2004-02-13
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5228 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3276 , H01L51/5212 , H01L51/5221 , H01L51/525 , H01L51/5284
Abstract: 提供一种电致发光显示器件，其具有阴极的可忽略的小电压降、没有外部光反射和具有高对比度和亮度。该电致发光显示器件包括后基板、形成在后基板上的第一电极层、形成在第一电极层上并面对第一电极层的第二电极层、置于第一电极层和第二电极层之间并至少具有发射层的发光层、面对后基板并与第二电极层的上表面接触的前基板、和形成在第二电极层和前基板之间的功能薄膜，该功能薄膜至少在其接触第二电极层的部分中具有导电材料。
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