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公开(公告)号：CN101350313A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810133317.7
申请日：2008-07-15
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/363 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/24 , C23C14/34 , C23C14/08
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/3464 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明公开了一种制备IGZO活性层的方法，其包括由第一靶沉积包括In、Ga和Zn的离子，和由第二靶沉积包括In的离子，所述第二靶具有不同于所述第一靶的原子组成。由第二靶沉积的离子可被控制以将IGZO活性层中In的原子％调节为约45原子％～约80原子％。
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公开(公告)号：CN1979910A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510121739.9
申请日：2005-12-02
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0021 , H01L51/0036 , H01L51/0097 , H01L51/0516
Abstract: 一种薄膜晶体管，一种制造薄膜晶体管的方法以及一种包括薄膜晶体管的平板显示器。薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极、与栅极连接的第一导电层、与源极和漏极中之一连接的第二导电层、接触源极和漏极的有机半导体层以及将源极和漏极以及有机半导体层与栅极绝缘的绝缘层，其中栅极、第一导电层、源极和漏极以及第二导电层中至少之一包括导电纳米颗粒和固化树脂。薄膜晶体管的导电层可具有精密图案。薄膜晶体管可以低成本、低温工艺来制造。
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公开(公告)号：CN1980519A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610165942.0
申请日：2006-12-11
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/0248 , G02F1/136204 , H01L27/12 , H01L27/3244 , H01L27/3276
Abstract: 本发明提供一种用于电子装置的防静电组件，可包括：基板；所述基板上的缓冲层，所述缓冲层包括暴露所述基板的各区域的多个接触孔；所述缓冲层上的短路条；所述缓冲层上的焊盘电极；所述缓冲层上的金属布线，其中所述金属布线的每条的第一部分通过所述接触孔可电连接到所述基板，所述金属布线的每条的第二部分可连接到各个所述焊盘电极，并且所述金属布线的每条的第三部分可连接到所述短路条，其中所述第一部分可在所述第二部分与所述第三部分之间。
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公开(公告)号：CN1949309A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610135928.6
申请日：2006-10-13
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L2251/5338
Abstract: 一种柔性平板显示器，其甚至在柔性平板显示器被弯曲的时候也能防止诸如柔性印刷电路板和驱动IC的电子单元与柔性平板显示器分离。所述柔性平板显示器包括柔性显示单元和电子单元。该柔性显示单元包括：适于显示图像的显示区域；平行于所述显示区域的边缘的第一侧和第二侧；以及垂直于第一侧和第二侧的第三侧和第四侧，所述第三侧和第四侧适于被弯曲。该电子单元只布置在第一侧和第二侧中的至少一侧上，而没有布置在第三侧和第四侧上。
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公开(公告)号：CN1893072A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610107682.1
申请日：2006-06-27
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 一种平板显示器及其驱动方法，该平板显示器防止薄膜晶体管由于意外地施加于基板的电压、静电和外力而受到损坏。该平板显示器包括导电基板、形成在导电基板上的至少一层绝缘层、形成在导电基板上的至少一个薄膜晶体管、以及形成在导电基板的区域中用于将导电基板接地的接地端。因此，基本上防止了由意外地施加于导电基板的电压、静电或外力引起的薄膜晶体管的损坏，且改进了显示器的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1731904A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510091069.0
申请日：2005-08-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624
Abstract: 在薄膜晶体管和包括该晶体管的平板显示装置内，串扰被减小到最小。平板显示装置包括基板、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和显示元件。第一薄膜晶体管包括：形成在基板上的第一栅电极；与第一栅电极绝缘的第一电极；与第一栅电极绝缘并且在同一平面内包围第一电极的第二电极；和与第一栅电极绝缘并且与第一电极和第二电极接触的第一半导体层。第二薄膜晶体管包括：形成在基板上并且与第一电极和第二电极的其中之一电连接的第二栅电极；与第二栅电极绝缘的第三电极；与第二栅电极绝缘并且在同一平面内包围第三电极的第四电极；以及与第二栅电极绝缘并且与第三电极和第四电极接触的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN1967876A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610138192.8
申请日：2006-11-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)和一种制造该薄膜晶体管的方法，并且更具体地，提供了一种用于降低漏电流的TFT和一种制造这种TFT的方法。所述TFT包括：柔性衬底；防扩散层，其形成于所述柔性衬底上；缓冲层，其形成于所述防扩散层上；半导体层，其形成于所述缓冲层的区域上，包括沟道层以及源极和漏极区域；栅极绝缘层，其形成于包括所述半导体层的所述缓冲层上；栅极电极，其形成于所述栅极绝缘层上对应所述沟道层的区域中；夹层绝缘层，其形成于包括所述栅极电极的所述栅极绝缘层上；以及源极和漏极电极，其形成于所述夹层绝缘层中，包括预定的接触孔并且被连接到所述源极和漏极区域，所述接触孔暴露所述源极和漏极区域中的至少一个区域。
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公开(公告)号：CN1892742A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094368.4
申请日：2006-06-29
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开了一种平板显示器及其驱动和控制方法。所述平板显示器，包括：导电基板，形成具有至少一个薄膜晶体管的图像显示单元和包括多个端子的焊垫单元，其中导电基板与多层绝缘层层叠来形成图像显示单元和焊垫单元；基板暴露部分，用于暴露导电基板，其中基板暴露部分通过去除形成于焊垫单元上的绝缘层的至少一个区域来形成；系统控制板，用于通过基板暴露部分供给反向偏压，其中系统控制板与焊垫单元电连接；和金属构件，用于将反向偏压传输到导电基板，其中金属构件形成于基板暴露部分和系统控制板之间。
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公开(公告)号：CN1874001A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610099874.2
申请日：2006-05-29
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 一种平板显示器，可以防止驱动功率的电压下降，同时，还可以将位于电路区域的电子器件的性能下降最小化，在该区域中设置各种电子器件，该平板显示器包括：基板；设置在基板上的绝缘膜；包括至少一个发光二极管的像素区域，该像素区域设置在绝缘膜上并适于显示图像；设置在绝缘膜上并包括适于控制提供给像素区域的信号的电子器件的电路区域；及插在基板和绝缘膜之间对应于像素区域的区域中并与发光二极管的电极电连接的导电膜。
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公开(公告)号：CN1725522A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510092218.5
申请日：2005-05-24
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0545 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , H01L51/0004 , H01L51/0037 , H01L51/0038 , H01L51/0039 , H01L51/0062 , H01L51/0078 , H01L51/0081
Abstract: 一种薄膜晶体管和采用该薄膜晶体管的平板显示器，包括栅极，源极和漏极，有机半导体层和栅极绝缘层。第一电容是位于有机半导体层、电极和栅极绝缘层彼此接触的第一点的电容，第二电容是位于有机半导体层与栅极绝缘层相接触的第二点的电容，第三电容是位于电极与栅极绝缘层相接触的第三点的电容，第四电容是一位于有机半导体层与电极相接触的第四点的电容。第一电容比第二电容、第三电容和第四电容中的一个大。
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