公开(公告)号：CN1312778C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN02808393.8

申请日：2002-04-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上彰 ,  高木刚 ,  原义博 ,  久保实

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/783 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/802

Abstract: 一种半导体装置，倾斜SiGe-HDTMOS的半导体层(30)，由上部Si膜(12)、Si缓冲层(13)、Si1-xGex膜(14)以及Si罩层(15)所构成。在半导体层(30)中的源区域(20a)和漏区域(20b)之间的区域设置高浓度的n型本体区域(22)、n-Si区域(23)、Si罩区域(25)、SiGe沟道区域(24)。Si1-xGex膜(14)的Ge组成比x，成为从Si缓冲层(13)向Si罩层(15)增大的组成。在p型HDTMOS中，可以减少衬底电流中的电子电流成分。

公开(公告)号：CN1215569C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN00102992.4

申请日：2000-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 浅井明 ,  大西照人 ,  高木刚 ,  斋藤彻 ,  原义博 ,  幸康一郎 ,  能泽克弥 ,  神泽好彦 ,  片上幸治 ,  市川洋

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L21/763 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/7378

Abstract: 在硅基板100内，由浅沟槽103所夹的区域里形成集电极层102，在基板上沉积第一沉积氧化膜108并开一个跨越浅沟槽的一部分的集电极开口部110。在露出于该开口部的基板上，使Si/Si1-xGex层外延生长。在基板上沉积第二沉积氧化膜112，而在Si/Si1-xGex层的中央部上形成基极开口部118；在端部形成基极结用开口部114。从该开口部114往基板内注入杂质离子，以形成导电型与外部电极相同的结漏电流防止层113。这样，使集电极开口宽度W3大于活性区宽度W2。

公开(公告)号：CN1153300C

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN98123113.6

申请日：1998-12-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高木刚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/802

Abstract: 一种具有场效应晶体管的半导体装置，在硅衬底10上依次沉积第1硅层12(Si层)、含碳的第2硅层13(Si1-yCy层)和不含碳的第3硅层14。由于Si1-yCy层的晶格常数比Si层的小，第2硅层13的导带和价带受到拉伸应变而被分离。被施加给栅极电极16的电场激发了的有效质量小的电子被关在第2硅层13中，在沟道方向上移动。这样，能得到移动速度极高的n-MOSFET。如果由Si1-x-yGexCy构成第2硅层13，就成为适应于高性能CMOS器件的结构。

公开(公告)号：CN1398432A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN01801372.4

申请日：2001-05-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 浅井明 ,  大西照人 ,  高木刚

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7378 ,  Y10S438/936

Abstract: 本发明提供一种新型双极晶体管及其制造方法。在Si衬底的集电极层102上，顺序外延生长SiGe衬垫层151、含硼的倾斜SiGe基极层152和Si盖层153。在Si盖层153上形成具有基极开口部118的第2堆积氧化膜112和填埋基极开口部并构成发射极引出电极的P+多晶硅层115，在Si盖层153上扩散磷形成发射极扩散层153a。在生长Si盖层153时、由于采用in－situ掺杂、仅仅在Si盖层153的上部含有硼，因而减少了耗尽层154的宽度、减少了复合电流、提高了电流特性的线性度。