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公开(公告)号：CN108572510A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810188719.0
申请日：2018-03-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及半色调相移光掩模坯料，该半色调相移光掩模坯料具有在透明衬底上的用作半色调相移膜的第一膜、用作遮光膜的第二膜、用作硬掩模膜的第三膜、和第四膜。第一膜和第三膜由含硅材料形成，该含硅材料耐氯基干法刻蚀并通过氟基干法刻蚀可除去。第二膜和第四膜由无硅的含铬材料形成，该含铬材料耐氟基干法刻蚀并通过氯基干法刻蚀可除去。
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公开(公告)号：CN108241250A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711429614.1
申请日：2017-12-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/08 , G03F1/142 , G03F1/26 , G03F1/54 , G03F1/80 , G03F1/84 , G03F1/38 , G03F1/48 , G03F1/50 , G03F1/68
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯及其制造方法。本发明的光掩模坯，包括透明基材、至少一个含铬且不含硅的膜(A)、以及至少一个含硅和氧或含硅、氧和氮且不含过渡金属的膜(B)，膜(A)和膜(B)彼此接触。在该光掩模坯中，当通过飞行时间二次离子质谱法(TOF-SIMS)沿膜的厚度方向测量二次离子强度时，在位于膜(A)和膜(B)的界面或其附近且具有源自SiCrO5的二次离子最大强度的位置处，源自Cr2O5的二次离子的强度低于源自Cr的二次离子的强度。
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公开(公告)号：CN103149791B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201210599085.0
申请日：2012-11-21
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光图案曝光方法，半色调相移掩模及半色调相移掩模坯料。光图案曝光方法是通过半色调相移掩模向抗蚀膜照射ArF准分子激光。该掩模包括透明衬底和包含过渡金属、硅、氮和氧的材料的半色调相移膜的图案，且所述材具有0.18‑0.25的原子比(Met/Si)，25‑50原子％的氮含量，以及5‑20原子％的氧含量。该掩模可用ArF准分子激光以至少10kJ/cm2的累积剂量照射。
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公开(公告)号：CN106502043A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610791249.8
申请日：2016-08-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/50
Abstract: 本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由一个或多个铬化合物层构成，铬化合物层由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr含量≥30at％，Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。满足第一组成的铬化合物层的厚度在所述含铬膜的总厚度的大于70％～100％的范围内，所述第一组成是：N/Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40at％，Cr+N总含量≥80at％，O含量≤10at％。
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公开(公告)号：CN105425535A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510575362.8
申请日：2015-09-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/50
Abstract: 光掩模坯包括铬系材料膜作为遮光膜，其中该铬系材料膜具有至少0.050/nm的波长193nm下的每单位厚度的光学密度，并且该铬系材料膜具有对应于50nm以下的翘曲量的拉伸应力或压缩应力。本发明提供具有铬系材料的薄膜的光掩模坯，该铬系材料的薄膜在保持高的每单位膜厚度的光学密度的同时膜应力降低。这使得能够进行铬系材料膜的高精度图案化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103229099B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201180056117.6
申请日：2011-11-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/80 , B32B15/01 , C22C27/06 , C23C14/0641 , C23C14/0676 , G03F1/00 , G03F1/30 , G03F1/50 , G03F1/54
Abstract: 在本发明的含铬材料膜中，添加有能够使与铬的混合体系在400℃以下的温度下成为液相的元素。当将所述含铬材料膜用作可用于光掩模坯料中的光学膜(例如遮光膜、蚀刻掩膜、蚀刻停止膜)时，可在不依赖于特别膜设计的情况下，在维持常规含铬材料膜的光学特性等的同时，提高氯干蚀刻的速度，并且可提高图案化的精度。
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公开(公告)号：CN102656516B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201080056696.X
申请日：2010-12-03
Applicant: 凸版印刷株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/56 , G03F1/80 , H01L21/027
Abstract: 在含有铬、在氟类干式蚀刻中不受到实质性的蚀刻并且在含氧氯类干式蚀刻中能够蚀刻的遮光膜（13）之上，层叠不含有铬、在氟类干式蚀刻且含氧氯类干式蚀刻中能够蚀刻的膜（14）。
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公开(公告)号：CN104698737A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510140000.6
申请日：2011-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4×CSi/100-6×CM/100>1，其中CSi是以原子％计的硅含量和CM是以原子％计的过渡金属含量。
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公开(公告)号：CN104694901A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410738665.2
申请日：2014-12-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C23C14/3464 , C23C14/0676 , C23C14/352 , G03F1/68 , H01J37/3417 , H01J37/3441 , H01J37/3447
Abstract: 本发明提供了溅射沉积方法、溅射系统、光掩模坯料的制造及光掩模坯料。通过以下方法在衬底上溅射沉积膜：向真空室(3)提供第一和第二靶材(1，2)，使得第一和第二靶材(1，2)的溅射表面(11，21)可面向衬底(5)并且彼此平行或倾斜布置，同时向第一和第二靶材(1，2)供应电能，并且在衬底上沉积溅射颗粒同时控制溅射条件，使得从一个靶材射出的溅射颗粒到达另一个靶材的溅射表面并且沉积在其上的速率不大于通过溅射从该另一个靶材移除该溅射颗粒的速率。
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公开(公告)号：CN102621802B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201210112732.0
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明提供一种光掩模基板，其包括：设置在透明衬底上，耐氟干法蚀刻并且可通过氯干法蚀刻去除的蚀刻截止膜、设置在蚀刻截止膜上，并且至少包括一层由过渡金属/硅材料构成的层的光屏蔽膜，和设置在光屏蔽膜上的减反射膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度依赖性所引起的图案尺寸变化被减小，使得能够以高精确度制作光掩模。
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