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公开(公告)号：CN109781788A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910094590.1
申请日：2019-01-30
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明揭示了一种纳米级绝缘薄膜电压-电流特性测量系统，其中导电测试探针由金属探针针套、铜质丝线、微铟球构成，金属探针针套的内部孔径与铜质丝线的直径相匹配，使得铜质丝线恰好穿过金属探针针套而不晃动；铜质丝线的长度大于金属探针针套的长度，使得铜质丝线穿过金属探针针套仍然有一部分露出金属探针针套外；铜质丝线穿过金属探针针套，金属探针针套的尾端使用机械夹具施压后压扁使得铜质丝线固定在金属探针针套中不会滑出；铜质丝线露出金属探针针套的一端，焊有微铟球，在测试时，微铟球与纳米薄膜的电极相接触；导电测试探针的一端以倾斜方式固定在探针夹持器中，露出金属探针针套外的铜质丝线在微铟球的重力作用下能保持形状不下弯。
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公开(公告)号：CN107447202B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201710579276.3
申请日：2015-11-11
Applicant: 南通大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/52 , C23C16/455
Abstract: 一种制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜的气体脉冲序列，由有机铋源气体脉冲、有机铝源气体脉冲、有机镓源气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲组成，在一个生长周期中，各气体脉冲数量为4的倍数且不小于12，有机铋源气体脉冲和有机铝源气体脉冲的数量之和等于氧前驱体脉冲的数量，有机铋源气体脉冲、有机铝源气体脉冲和氧前驱体气体脉冲的数量之和等于惰性气体脉冲的数量，在任意一个有机铋源气体脉冲或氧前驱体气体脉冲或有机铝气体脉冲的之前或之后，都具有一个惰性气体脉冲；在任一个有机铋源气体脉冲或有机铝气体脉冲的次邻近处，都还具有一个氧前驱体气体脉冲。可以实现Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控。
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公开(公告)号：CN107475688B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710579316.4
申请日：2015-11-11
Applicant: 南通大学
Abstract: 一种用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔，包括有多个分隔空间，分别用于通入铋前驱体气体、镓前驱体气体、氧前驱体气体、惰性气体；BiGaO3薄膜材料采用前驱体自限制性表面吸附反应得到，化学吸附反应在真空反应腔中进行。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定，薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数，工艺变得极为简单、可靠。
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公开(公告)号：CN105676154B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201610006172.9
申请日：2016-01-05
Abstract: 一种专门适用于PPMS的铁磁性材料的磁熵变测量方法。本发明的建议分类号为G01N 27/72。本发明既不是对现有热力学理论的改进，也不是对现有磁熵变的计算机计算方法作出的算法改进，而是专门针对利用PPMS系统进行磁性材料的测量得到磁矩—磁场—温度测试数据并进行技术处理而得到测量磁性材料的磁熵变‑温度特性的技术方案，通过技术处理后的测试数据可利用常规的计算方法来得到磁性材料的磁熵变‑温度特性，不仅解决了现有技术中PPMS测量得到的数据难以评估磁性材料的磁熵变—温度特性的难题，且其效率大大提升，极大地降低了科研人员的人力成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104862664B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510257345.X
申请日：2015-05-19
Applicant: 南通大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种专门用于原子层化学气相沉积技术的图形化的氧化铝超薄薄膜的制备方法，所使用的原料包括三甲基铝、惰性气体、臭氧和片状衬底，所述图形化的氧化铝超薄薄膜的制备方法，利用磁力夹持法将衬底固定于特制的样品托盘上，在衬底上表面覆盖有具有所需图形的金属掩膜版，采用原子层化学气相沉积技术制备得到图形化的氧化铝超薄薄膜。该方法可使氧化铝超薄薄膜免受杂质离子污染，图形边缘清晰，无侧向侵入现象，薄膜不易受损伤，工艺简单。
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公开(公告)号：CN105386005B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510764503.0
申请日：2015-11-11
Abstract: 一种制备组分渐变、跨越准同型相界的Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，薄膜材料采用自限制性表面吸附反应得到。在由程序控制的每个生长周期中，设置两个计数器分别用于设定和控制每一个生长周期中有机铝源气体脉冲、有机镓源气体脉冲的数量，在逐次生长过程中，其中一个计数器的值逐渐增加，另一个计数器的值逐渐减小。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，可以实现组分渐变、跨越准同型相界的Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料，且Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控。由于Bi(AlxGa1‑x)O3为无铅材料，使其成为Pb(Zr1‑xTix)O3的潜在替换者。
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公开(公告)号：CN106328752A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610998192.9
申请日：2016-11-14
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/101 , H01L31/03046 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片，包括N型InP衬底、N型InP层、铟镓砷本征吸收层、N型InP帽层、氮化硅扩散掩膜层、载流子侧向收集扩散阻挡区，扩散形成的PN结区和载流子侧向收集区；在光敏元四周生长单层Au形成P电极，在芯片表面淀积二氧化硅形成二氧化硅增透层，通过湿法腐蚀工艺打开P电极孔，依次生长Cr、Au形成加厚电极；所述载流子侧向收集扩散阻挡区至少有两个，形状为矩形，边长尺寸为5～10μm，线列或者面阵排列，中心距相同；所述P电极和加厚电极均为环形遮盖电极，内围尺寸相同。本发明减少了热扩散区域从而有效地减少了扩散热损伤，在保持光敏元响应均匀的同时降低器件的暗电流和盲元率。
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公开(公告)号：CN105675711A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610008914.1
申请日：2016-01-05
Abstract: 一种批量获取磁性材料M-T、ΔS-T曲线的方法，建议分类号为G01N 27/72。本发明既不是对现有热力学理论的改进，也不是对现有磁熵变的计算机计算方法作出的算法改进，而是专门针对利用PPMS系统进行磁性材料的测量得到磁矩—磁场—温度测试数据并进行技术处理而得到测量磁性材料的磁熵变-温度特性的技术方案，不仅解决了现有技术中PPMS测量得到的数据难以评估磁性材料的磁熵变—温度特性的难题，其效率大大提升，极大地降低了对计算机内存的需求。
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公开(公告)号：CN104032372B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410271430.7
申请日：2014-06-17
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及一种ZnO/VO2复合纳米材料及其制备方法。所述材料依附在氧化铝衬底上并具有呈周期性排列分布的单元，每个单元是由包覆VO2多晶壳层的若干ZnO四角棒构成的单晶纳米结构，相变温度为71.2oC，具有可逆的金属—绝缘相变特性。该材料的制备首先以ZnO粉末和石墨粉为原料通过热蒸发法合成单晶四角棒状ZnO纳米材料；再通过化学气相沉积法，以乙酰丙酮氧钒（VO(acac)2）为原料，在氧气占8%~11%的氮氧混合气环境下，在ZnO纳米材料表面沉积多晶VO2薄膜；最后移除模板得到图形化VO2/ZnO复合相变材料。优点是，该方法制得的VO2纳米结构形貌丰富，具有VO2的金属—半导体相变特性，又结合了ZnO的宽禁带半导体的特性，具有很好的应用前景。
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