公开(公告)号：CN103238217A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201180057732.9

申请日：2011-12-01

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  三木绫 ,  安野聪 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明的配线结构在基板上至少具有栅极绝缘膜和氧化物半导体层，所述氧化物半导体层为第1氧化物半导体层以及第2氧化物半导体层的层叠体，该第1氧化物半导体层包括选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素(Z组元素)，该第2氧化物半导体层含有选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素(X组元素)和选自Al、Si、Ti、Hf、Ta、Ge、W和Ni中的至少一种元素(Y组元素)，并且所述第2氧化物半导体层形成在所述第1氧化物半导体层与所述栅极绝缘膜之间。根据本发明，得到了开关特性和耐应力性良好、尤其是施加应力前后的阈值电压变化量小、稳定性优异的配线结构。

公开(公告)号：CN102859701A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180019734.9

申请日：2011-04-18

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  岩成裕美 ,  钉宫敏洋 ,  森田晋也 ,  寺尾泰昭 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在ZnO浓度高的区域，另外在形成保护膜后和外加应力后，仍可以稳定得到良好的特性的薄膜晶体管半导体层用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，其中，所述氧化物含有Zn和Sn，还含有从由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga和稀土类元素构成的X群中选择的至少一种元素。

公开(公告)号：CN102612859A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201080051843.4

申请日：2010-11-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 岩成裕美 ,  钉宫敏洋 ,  平野贵之 ,  前田刚彰

IPC: H05B33/26 ,  C22C21/00 ,  C23C14/34 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5218 ,  C22C21/00 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  H01L51/5271 ,  H05B33/26 ,  H05B33/28

Abstract: 提供一种具有新的Al基合金反射膜的有机EL显示器用的反射阳极电极，即便使Al反射膜与ITO和IZO等的氧化物导电膜直接接触，也能够确保低接触抵抗和高反射率，而且，作为与氧化物导电膜的层叠结构时，上层氧化物导电膜表面的功函数高达通用的Ag基合金膜和氧化物导电膜的层叠结构的功函数的同程度。一种形成于基板上的有机EL显示器用的反射阳极电极，前述反射阳极电极包括含有Ag为0.1～6原子％的Al基合金膜，和在所述Al基合金膜之上直接接触的氧化物导电膜的层叠结构。

公开(公告)号：CN102486695A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201010625209.9

申请日：2010-12-24

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/045

Abstract: 本发明提供一种尤其相对于横方向耐久性优异，难以引起断线及经时的电阻的增加，可靠性高的触摸面板传感器。本发明的触摸面板传感器，其具有透明导电膜及与所述透明导电膜连接的布线，布线自基板侧按顺序由高融点金属膜、Al合金膜、高融点金属膜构成，Al合金膜含有0.05～5原子％的稀土元素，且，杨氏模量为80～200GPa，晶粒的规定方向切线直径(Feret直径)的最大值为100～350nm。

公开(公告)号：CN100561319C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200510081886.8

申请日：2005-07-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  富久胜文 ,  中井淳一

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/1368

Abstract: 显示器及其制备方法。该显示器包括基材、在所述基材上形成的薄膜晶体管和透明导电膜以及使所述薄膜晶体管和所述透明导电膜电连接的铝合金膜，以使在所述铝合金膜和所述透明导电膜之间界面处存在所述铝合金的氧化物膜，而所述氧化物膜具有1～10nm的厚度并含有不超过44原子%的氧。该显示器具有彼此直接接触的铝合金膜和透明导电膜，避免了在它们之间需要阻挡层金属。

公开(公告)号：CN1875129A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200480031912.X

申请日：2004-10-27

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  旭硝子株式会社

Inventor： 林和志 ,  钉宫敏洋 ,  古保里隆 ,  海老泽纯一 ,  佐藤一夫 ,  吉川幸雄

IPC: C23C16/455 ,  C23F4/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/45589 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/67017

Abstract: 本发明的课题为，以简略且低成本的结构，使向基材上的均匀的气体供给成为可能，而实现高质量的表面处理。作为其解决的方法，是一边将基材(12)朝特定方向搬送，一边向其表面供给表面处理用气体，由此进行基材(12)的表面处理，作为所述表面处理用气体的供给机构，是使具有圆筒状外周面的旋转体(24)的上述外周面，与所述基材(12)的表面、或设置于从上述基材相离的位置的对向构件(20)，隔有间隙(23)而相对向，使之以与所述基材(12)的搬送方向大致垂直的方向的轴为中心而旋转。由此旋转，使所述表面处理用气体卷入旋转体(24)的外周面，导向所述间隙(23)，从此间隙(23)向所述基材(12)的表面送出表面处理用气体。

公开(公告)号：CN1847448A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610073570.9

申请日：2006-04-10

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 高木胜寿 ,  钉宫敏洋 ,  富久胜文

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14

Abstract: 一种主要包含Al的Al基溅射靶的凹面缺陷总数为45000或更少/平方毫米单位表面积，所述的凹面缺陷的最大深度为0.2μm或更大和当量面积直径为0.2μm或更大，所述的单位表面积为相当于溅射面的所述溅射靶表面的单位表面积。另一种Al基溅射靶在该表面上的凹面缺陷总数为15000或更少/平方毫米单位表面积，所述的凹面缺陷的最大深度为0.1μm或更大和当量面积直径为0.5μm或更大。这些溅射靶减少了在它们使用时发生的溅射故障(飞溅和/或弓形)的周期和数量，特别是在它们使用的早期阶段发生的溅射故障(飞溅和/或弓形)的周期和数量。