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公开(公告)号：CN115799064A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211424049.0
申请日：2022-11-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本公开涉及半导体技术领域，具体涉及超级结肖特基二极管及制造方法、电子元件。该用于制造超级结肖特基二极管的方法包括：形成预制超级结结构，其中，预制超级结结构包括密铺设置的多个预制超级结元胞；通过对预制超级结结构进行离子注入，形成终端结构和超级结结构，其中，终端结构具有环形形状，并围绕限定出超级结结构的有源区；以及形成金属层，其中，金属层位于有源区，金属层与超级结结构实现肖特基接触。本公开在有源区和终端区采用密铺的超级结元胞设计，能够解决在超级结器件制备过程中因对准标记损坏引发的对准问题。
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公开(公告)号：CN115602528A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211213113.0
申请日：2022-09-30
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心(CN)
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅的沉积方法及其制品和应用。该沉积方法包括：提供晶圆；设定装置起始温度为300℃‑600℃，达到起始温度后，以5cm/min‑15cm/min移入晶圆；设定装置为真空并保持起始温度；以2℃/min‑6℃/min升温至沉积温度并保持；将晶圆分次沉积；沉积完保持沉积温度；以1℃/min‑5℃/min降温至300℃‑600℃，破真空并以2cm/min‑12cm/min移出晶圆，得到表面沉积二氧化硅的晶圆。采用该沉积方法能够在提高二氧化硅厚度的同时降低裂纹的产生率，使表面沉积二氧化硅的晶圆介电性能优异，用于半导体器件能够提高半导体器件的良率和可靠性。
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公开(公告)号：CN115548101A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211488433.7
申请日：2022-11-25
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本申请涉及一种碳化硅MOSFET晶体管器件，在相邻的两个元胞结构之间设计了一个互联结构，使得相邻的两个元胞结构通过互联结构相连接，在浪涌冲击或短路故障发生的瞬间，可以使等离子体迅速地从一个元胞结构扩散到相邻的元胞结构中，从而获得载流子浓度和电流密度的均匀分布，避免器件内部发生局部热量集中和温升严重的现象，提高器件的浪涌与短路可靠性。
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公开(公告)号：CN115394647A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210871559.6
申请日：2022-07-22
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/324 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开一种碳化硅半导体欧姆接触退火的方法，在待加工晶圆表面沉积金属薄膜，然后在晶圆的正背面生长多晶硅，然后将晶圆直接放入快速退火炉进行700～1100℃退火，退火完成后，待晶圆冷却至室温后取出。本发明通过在碳化硅表面形成多晶的方式降低碳化硅晶圆的透光率，使得碳化硅晶圆可以直接吸收快速退火炉中灯管的辐射热量，不需要再依赖石墨或其他吸热介质承载，改善了欧姆接触退火的均一性。
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公开(公告)号：CN114861440A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210498782.0
申请日：2022-05-09
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种预测刻蚀开口面积及刻蚀掩膜厚度和刻蚀深度模型的方法，采用不同掩膜工艺得到不同掩膜厚度；保证刻蚀开口面积相同，采用相同刻蚀工艺刻蚀不同掩膜厚度并量测刻蚀深度；建立刻蚀掩膜厚度和刻蚀深度的模型；采用同一掩膜工艺得到同一掩膜厚度；保证刻蚀掩膜厚度相同，采用相同刻蚀工艺刻蚀掩膜掩蔽之外的不同刻蚀开口面积并量测刻蚀深度；建立刻蚀开口面积比和刻蚀深度的模型；根据刻蚀深度和刻蚀掩膜厚度的关系、刻蚀深度和刻蚀开口面积的关系，建立刻蚀掩膜厚度及刻蚀开口面积和刻蚀深度的模型。本发明用以预测不同刻蚀开口面积和不同刻蚀掩膜厚度所需刻蚀参数，进一步的指导刻蚀工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114818387A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210696369.5
申请日：2022-06-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种非线性电导材料的性能评价方法，包括：S1）以非线性电导材料的电气性能、热性能与机械性能为性能评价指标，利用AHP法得到性能评价指标的权重；S2）采用TOPSIS模型，将非线性电导材料的电气性能、热性能与机械性能的测量数据进行正向归一化处理，并结合性能评价指标的权重得到非线性电导材料与最优解及最劣解的距离，进行综合距离评分，得到综合性能评价结果。与现有技术相比，本发明提供的方法在同时考虑了电、热、机械特性的情况下对添加不同掺杂质量分数填料的非线性电导材料进行了综合评价，从而使评价结果更符合工程实际的需要，对非线性电导封装材料中掺杂质量分数的优化设计具有一定的指导意义。
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公开(公告)号：CN114284175A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111565493.X
申请日：2021-12-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种用于优化晶圆激光打标后表面颗粒控制的方法。激光打标其原理是通过高能量的激光束聚焦在材料表面上,使表面材料瞬间熔融，甚至气化,形成凹坑，由凹坑组成指定的标识性图案。打标的副产物则会堆积在凹坑的四周，现有激光打标即使配备了颗粒清理装置，能实时吸走大部分打标时溅起的颗粒，但是仍不能避免有部分颗粒掉落在打标处。颗料控制是晶片加工过程、器件制造过程中重要的一个环节,打标后清洗是去除打标颗粒必不可少的步骤。本发明涉及打标机与打标后清洗的配合作业，最大限度的避免打标不稳定和清洗不稳定引起的打标颗粒残留问题，以达到颗粒控制的目标。
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公开(公告)号：CN114284153A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111458413.0
申请日：2021-12-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/425 , H01L21/477 , H01L21/471
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种氧化物半导体的P型掺杂方法，包括离子注入、高温退火和退火掩膜保护，离子注入是向半导体衬底上生长的外延层注入N元素，N元素是为了提供空穴，形成受体掺杂的杂质，高温退火是通过将注入后的晶圆放入高温退火炉中以1300℃及以上的温度退火，相比于传统的后退火工艺，采用了更高的温度以修复注入产生的晶格损伤，并提高注入掺杂受体的激活率，以形成有效的掺杂。退火掩膜保护层是通过在注入后的表面形成一层AlN薄膜，从而阻止在高温退火时N的扩散，并且可以有效阻止高温下衬底材料在高温下的升华。
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公开(公告)号：CN114268122A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111295656.7
申请日：2021-11-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种光伏能驱动的电网发电、制氢和蓄电耦合系统，属于光伏发电制氢系统。本发明利用光伏板收集的太阳能转化为电能，经逆变器系统转化后的电能可接入电网向电网供电、电解水制备氢气或给蓄电池蓄电，进而达到综合高效利用光伏能的目的。上述系统可高效利用白天的光伏能用于向电网供电、制备氢气和给蓄电池蓄电，进而达到降低家庭用电量，减少碳排放。
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公开(公告)号：CN113298126B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110515572.3
申请日：2021-05-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 一种半导体功率芯片的批量分类方法，包括：选取一组半导体功率芯片获得其电学特性数据，通过对数据进行分类处理，筛选出不同等级的半导体功率芯片；其中所述分类处理包括将测量数据值进行预处理得到矫正电学特性值，计算每一半导体功率芯片的两个矫正电学特性值的比值得到其特征值，然后根据计算值得到不同值下的数量累积分布曲线的反曲线，然后计算该曲线上所有二阶导数绝对值的极大值的点，并取其中大于该曲线一阶导数最大值点的第一个，记为上分界值，据此对每一半导体功率芯片按照其特征值的大小进行分类。本发明实现了一个多变量综合的、自适应的、快速的、基于物理的、低运算量的批量分类方法。
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