公开(公告)号：CN1700850A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510072830.6

申请日：2005-05-20

Applicant: 日本电气株式会社 ,  株式会社瑞萨东日本半导体 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 今里雅治 ,  中村淳 ,  渡边敬行 ,  常田健祐 ,  片桐光昭 ,  清水浩也 ,  永田达也

IPC: H05K9/00

CPC classification number: G11C5/04 ,  H05K1/0218 ,  H05K9/0064

Abstract: 在存储模块中，参考电势连接构图置于高频信号线和/或从信号线的引线端延伸的延伸线上，以及用于覆盖半导体存储芯片的屏蔽盖置于衬底上，并且通过金属盖接触部件将参考电势连接构图连接到屏蔽盖。

公开(公告)号：CN100474514C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200410048123.9

申请日：2004-06-16

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  株式会社瑞萨东日本半导体

Inventor： 小泽毅 ,  佐藤康幸

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种通过自动地探测室中的清洗终点能够提高生产量、降低清洗气体的成本以及延长工艺套件的寿命的半导体集成电路器件的制造方法。将在等离子气体发生器中转变为等离子体的清洗气体引入室，以除去室的内壁或电极上方淀积的不必要薄膜。通过调整RF电源为薄膜形成时的低输出，将高频电压施加到底电极和上电极。通过RF传感器探测该电压并通过电子模块放大。将通过电子模块因此放大的电压输入到终止控制器。当因此输入的电压变得基本上恒定在预定电压或更大的电压时，终止控制器自动地判断清洗的终止。

公开(公告)号：CN101189717A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200680019714.0

申请日：2006-11-28

Applicant: 日本CMK株式会社 ,  株式会社瑞萨东日本半导体

Inventor： 吉野裕 ,  白井孝浩 ,  上远野臣司 ,  川本峰雄 ,  榎本实 ,  后藤正克 ,  荒木诚 ,  户田直树

IPC: H01L23/12 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/023 ,  H05K1/186 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4623 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/10674 ,  Y10T29/49146 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供不受封装材料填充不够或填充过多所产生的恶劣影响、与上层的布线基板的密封性好的内装半导体元件的印刷布线板。内装半导体元件的印刷布线板，用绝缘膜覆盖内装的半导体元件的至少下表面、上表面或侧面，同时在该半导体元件的侧方及上方形成绝缘层，内装半导体元件的印刷布线板的制造方法，具有以下工序：在衬底基板上安装半导体元件，并用绝缘膜覆盖该半导体元件的至少下表面、上表面或侧面的工序；在前述半导体元件的侧方配置并层叠半固化状态的绝缘片的工序；以及在前述半导体元件的上方配置并层叠半固化状态的绝缘片的工序。

公开(公告)号：CN1495739A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03128462.0

申请日：1999-08-04

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  株式会社瑞萨东日本半导体

Inventor： 有川康之 ,  橘进 ,  重松和男 ,  田口英夫 ,  中村滋 ,  友部哲哉

IPC: G11B7/125 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明涉及装载半导体激光芯片和反射面的激光模块，为高精度确定半导体激光芯片的位置，同时缩短生产时间、实现小型化和低成本，使在硅基板上设置的反射面上具有台阶，通过将这些反射面作为出射激光的反射面和激光芯片的位置确定面，可高精度确定位置。对于记录中需要大功率的激光模块，在与半导体激光芯片纵向方向的侧面相对的倾斜面上设置台阶，在从激光芯片的下部电极的下陷底部到硅基板上部的布线中，设置与激光芯片的纵向方向成角度的倾斜面来平缓斜面，经过该平缓斜面缓解迁移的产生。