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公开(公告)号：CN1510721A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN200310122485.3
申请日：2003-12-25
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 株式会社瑞萨东日本半导体
IPC: H01L21/302 , H01L21/304 , B08B3/00
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/02063 , H01L21/2253 , H01L21/67046 , H01L29/665 , H01L29/6659
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，目的在于防止半导体晶片的背面清洗工艺中的静电破坏或干燥不良，提高半导体器件的可靠性。在半导体晶片(1)的背面(1b)朝上的状态下，使半导体晶片(1)旋转。从喷嘴(35)向半导体晶片(1)的背面(1b)供给冲洗液(36)，借助于刷子进行清洗。其间，对半导体晶片(1)的表面(1a)，从配置在其下方的喷嘴(38)供给冲洗液(39)。这时，使来自喷嘴(38)的冲洗液(39)的排出方向成为相对于半导体晶片(1)的表面(1a)垂直的方向，使从喷嘴(38)排出的冲洗液(39)的液流命中到离开半导体晶片(1)的表面(1a)的中心的位置上。
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公开(公告)号：CN1728573A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510054772.4
申请日：2001-03-21
Applicant: 株式会社日立制作所 , 株式会社瑞萨东日本半导体 , 秋田电子系统株式会社
CPC classification number: H01L23/645 , H01F17/02 , H01F27/292 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6644 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15313 , H01L2924/19041 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H03F3/24 , H03F3/602 , H03F3/72 , H03F2200/429 , H03F2203/7236 , H04B2001/0408 , H05K1/181 , H05K13/028 , Y02P70/611 , H01L2924/00 , H01L2924/2076 , H01L2224/05599
Abstract: 提供一种无线通信装置，其发送部中具有高频功率放大装置，将上述高频功率放大装置的输出信号输出给天线，该无线通信装置的特征在于：上述高频功率放大装置包括：输入端子；输出端子；电源电压端子；以及串联连接在上述输入端子和上述输出端子之间、同时从上述电源电压端子供给电源电压的多个放大级，电气连接在上述放大级上的电感器中的一个至全部由将表面被覆了绝缘膜的线材缠绕成螺旋状、将两端作为电极的线圈构成。
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公开(公告)号：CN1232968C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN03128462.0
申请日：1999-08-04
Applicant: 株式会社日立制作所 , 株式会社瑞萨东日本半导体
Abstract: 本发明涉及装载半导体激光芯片和反射面的激光模块，为高精度确定半导体激光芯片的位置，同时缩短生产时间、实现小型化和低成本，使在硅基板上设置的反射面上具有台阶，通过将这些反射面作为出射激光的反射面和激光芯片的位置确定面，可高精度确定位置。对于记录中需要大功率的激光模块，在与半导体激光芯片纵向方向的侧面相对的倾斜面上设置台阶，在从激光芯片的下部电极的下陷底部到硅基板上部的布线中，设置与激光芯片的纵向方向成角度的倾斜面来平缓斜面，经过该平缓斜面缓解迁移的产生。
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公开(公告)号：CN1681078A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510054771.X
申请日：2001-03-21
Applicant: 株式会社日立制作所 , 株式会社瑞萨东日本半导体 , 秋田电子系统株式会社
CPC classification number: H01L23/645 , H01F17/02 , H01F27/292 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6644 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15313 , H01L2924/19041 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H03F3/24 , H03F3/602 , H03F3/72 , H03F2200/429 , H03F2203/7236 , H04B2001/0408 , H05K1/181 , H05K13/028 , Y02P70/611 , H01L2924/00 , H01L2924/2076 , H01L2224/05599
Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法以及半导体制造装置。在该制造方法中，用捕捉筒将在散料送料器的散料供给部中以纵列状态排列成一列供给的电子零件中的开头的电子零件真空吸附保持着，输送到模块衬底上，然后通过重流，使预先被覆在上述模块衬底等上的焊料熔化，将上述电子零件固定在模块衬底上，该半导体装置的制造方法的特征在于：作为上述电子零件，将把利用绝缘膜被覆了其表面的线材紧密地缠绕成螺旋状、同时将两端作为电极的线圈以纵列状态供给上述散料供给部，使以纵列状态供给的上述电子零件中的开头的电子零件以规定的间隔离开后继的电子零件，然后用上述捕捉筒真空吸附保持上述电子零件。
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公开(公告)号：CN1574231A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410048123.9
申请日：2004-06-16
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 株式会社瑞萨东日本半导体
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/82
CPC classification number: H01L21/67069 , C23C16/4405 , C23C16/52 , H01J37/32082 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/31612 , H01L21/67253 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76829 , H01L21/76834 , H01L23/53223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种通过自动地探测室中的清洗终点能够提高生产量、降低清洗气体的成本以及延长工艺套件的寿命的半导体集成电路器件的制造方法。将在等离子气体发生器中转变为等离子体的清洗气体引入室，以除去室的内壁或电极上方淀积的不必要薄膜。通过调整RF电源为薄膜形成时的低输出，将高频电压施加到底电极和上电极。通过RF传感器探测该电压并通过电子模块放大。将通过电子模块因此放大的电压输入到终止控制器。当因此输入的电压变得基本上恒定在预定电压或更大的电压时，终止控制器自动地判断清洗的终止。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1547248A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200410006852.8
申请日：1998-07-10
Applicant: 株式会社日立制作所 , 株式会社瑞萨东日本半导体 , 株式会社日立超大规模集成电路系统
CPC classification number: H01L24/50 , H01L21/6835 , H01L24/11 , H01L24/86 , H01L2224/11003 , H01L2224/11334 , H01L2224/13099 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H05K3/3478 , H05K2201/10681 , H05K2203/0338 , H05K2203/041 , H05K2203/081 , H05K2203/082 , H05K2203/1545 , Y10T29/5137 , Y10T29/5142 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体封装体的凸点形成方法中，将半导体芯片安装到柔性基板上。使用导电性糊剂将导电性球暂时固定在与设置在上述柔性基板上的半导体芯片进行电连接的连接端子上。将暂时固定了上述导电性球的上述柔性基板卷绕到卷轴上。其次，从卷轴抽出柔性基板，对暂时固定了导电性球的柔性基板进行加热，以形成凸点。将形成了凸点的柔性基板卷绕到卷轴上。通过清洗、切割柔性基板形成半导体封装体。
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公开(公告)号：CN101189717B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680019714.0
申请日：2006-11-28
Applicant: 日本CMK株式会社 , 株式会社瑞萨东日本半导体
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L25/105 , H01L2224/16237 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/82039 , H01L2924/01004 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , H05K1/023 , H05K1/186 , H05K3/4602 , H05K3/4623 , H05K3/4652 , H05K2201/0187 , H05K2201/10674 , Y10T29/49146 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供不受封装材料填充不够或填充过多所产生的恶劣影响、与上层的布线基板的密封性好的内装半导体元件的印刷布线板。内装半导体元件的印刷布线板，用绝缘膜覆盖内装的半导体元件的至少下表面、上表面或侧面，同时在该半导体元件的侧方及上方形成绝缘层，内装半导体元件的印刷布线板的制造方法，具有以下工序：在衬底基板上安装半导体元件，并用绝缘膜覆盖该半导体元件的至少下表面、上表面或侧面的工序；在前述半导体元件的侧方配置并层叠半固化状态的绝缘片的工序；以及在前述半导体元件的上方配置并层叠半固化状态的绝缘片的工序。
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公开(公告)号：CN100403491C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200510054771.X
申请日：2001-03-21
Applicant: 株式会社日立制作所 , 株式会社瑞萨东日本半导体 , 秋田电子系统株式会社
CPC classification number: H01L23/645 , H01F17/02 , H01F27/292 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6644 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15313 , H01L2924/19041 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H03F3/24 , H03F3/602 , H03F3/72 , H03F2200/429 , H03F2203/7236 , H04B2001/0408 , H05K1/181 , H05K13/028 , Y02P70/611 , H01L2924/00 , H01L2924/2076 , H01L2224/05599
Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法以及半导体制造装置。在该制造方法中，用捕捉筒将在散料送料器的散料供给部中以纵列状态排列成一列供给的电子零件中的开头的电子零件真空吸附保持着，输送到模块衬底上，然后通过重流，使预先被覆在上述模块衬底等上的焊料熔化，将上述电子零件固定在模块衬底上，该半导体装置的制造方法的特征在于：作为上述电子零件，将把利用绝缘膜被覆了其表面的线材紧密地缠绕成螺旋状、同时将两端作为电极的线圈以纵列状态供给上述散料供给部，使以纵列状态供给的上述电子零件中的开头的电子零件以规定的间隔离开后继的电子零件，然后用上述捕捉筒真空吸附保持上述电子零件。
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公开(公告)号：CN100345258C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200310122485.3
申请日：2003-12-25
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 株式会社瑞萨东日本半导体
IPC: H01L21/302 , H01L21/304 , B08B3/00
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/02063 , H01L21/2253 , H01L21/67046 , H01L29/665 , H01L29/6659
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，目的在于防止半导体晶片的背面清洗工艺中的静电破坏或干燥不良，提高半导体器件的可靠性。在半导体晶片(1)的背面(1b)朝上的状态下，使半导体晶片(1)旋转。从喷嘴(35)向半导体晶片(1)的背面(1b)供给冲洗液(36)，借助于刷子进行清洗。其间，对半导体晶片(1)的表面(1a)，从配置在其下方的喷嘴(38)供给冲洗液(39)。这时，使来自喷嘴(38)的冲洗液(39)的排出方向成为相对于半导体晶片(1)的表面(1a)垂直的方向，使从喷嘴(38)排出的冲洗液(39)的液流命中到离开半导体晶片(1)的表面(1a)的中心的位置上。
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公开(公告)号：CN100502631C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200510072830.6
申请日：2005-05-20
Applicant: 日本电气株式会社 , 株式会社瑞萨东日本半导体 , 尔必达存储器株式会社
IPC: H05K9/00
CPC classification number: G11C5/04 , H05K1/0218 , H05K9/0064
Abstract: 在存储模块中，参考电势连接构图置于高频信号线和/或从信号线的引线端延伸的延伸线上，以及用于覆盖半导体存储芯片的屏蔽盖置于衬底上，并且通过金属盖接触部件将参考电势连接构图连接到屏蔽盖。
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