公开(公告)号：CN111239594A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201910780571.4

申请日：2019-08-22

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 肖彦 ,  唐金龙 ,  吴拥军 ,  罗泽泉 ,  邹宗林 ,  曾庆泉

IPC: G01R31/327

Abstract: 本发明名称为一种高压功率阀组在线监测系统。属于高压技术领域。它主要是解决现有的在线监测系统不能有效监测功率半导体阀片失效超过一定冗余数量的问题。它的主要特征是：由阀片均压监测单元、驱动监测单元和信号处理单元三部分组成；所述阀片均压监测单元包括与待监测阀片数目相同的分阀片均压监测单元；所述驱动监测单元包括与待监测阀片数目相同的分驱动监测单元；所述各分阀片均压监测单元、各分驱动监测单元通过光纤与信号处理单元连接，信号处理单元将接收的信号频率偏差转换成均压偏差进行逻辑运算，出现无信号输出视为击穿时，输出频率按相应的逻辑运算反馈为电压。本发明可广泛应用到高压功率半导体器件串并联驱动场合。

公开(公告)号：CN105428342B

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201510036757.0

申请日：2015-01-26

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 孙伟 ,  杨成标 ,  刘婧 ,  邢雁 ,  李新安 ,  王维 ,  孙娅男 ,  周霖

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明的名称为一种大电流功率半导体模块。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有安装外形的功率半导体模块通态电流不够的问题。它的主要特征是：包括散热底板、外壳、绝缘导热片、第一、第二折弯电极、电极、第一、第二半导体芯片、塑胶紧固件、门极组件以及内填充的硅凝胶或硅凝橡胶层；第一、第二半导体芯片钼片面均为朝下的正装方式；第一折弯电极、第二折弯电极、电极均为片状结构电极，其与第一半导体芯片、第二半导体芯片阴极接触部分增加了凸起台面，且为一次冲压成型的电极。本发明具有使功率半导体模块通流能力高的特点，能够满足交直流电机、整流电源、变频器、电焊机等设备中对功率半导体模块外形尺寸小且通流能力高的需求。

公开(公告)号：CN105633025A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201410602961.X

申请日：2014-10-31

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 李新安 ,  刘婧 ,  邢雁 ,  王维 ,  孙娅男 ,  杨成标 ,  周霖 ,  孙伟

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/24 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明的名称为高绝缘耐压功率半导体模块。属于功率半导体模块制造技术领域。它主要是解决现有高绝缘耐压模块的制造存在成品率低、生产效率很低的问题。它的主要特征是：在散热底板上与芯片对应的部位设有圆形凸台；外壳底部设有与侧壁连为一体的外壳底面，外壳底面上设有圆形通孔；圆形凸台的高度大于外壳底面的厚度，且圆形凸台直径小于绝缘导热片的直径；在芯片与压板之间设有绝缘板；绝缘导热片、电极下端、芯片和压块均位于硅凝胶或硅橡胶层中。本发明具有绝缘耐压达到4500V或以上，能够满足软启动、变频和无功补偿等设备中对模块有高绝缘耐压需求的特点，并且满足高效生产，主要用于高绝缘耐压功率半导体模块的批量化生产。

公开(公告)号：CN101931001A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200910062813.2

申请日：2009-06-24

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 颜家圣 ,  吴拥军 ,  张桥 ,  杨成标 ,  刘小俐 ,  刘鹏 ,  肖彦

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明的名称为一种非对称快速晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有快速晶闸管在应用于串联逆变时，存在压降大和动态特性较差等问题。它的主要特征是包括管壳和封装在该管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片；半导体芯片的P1阳极区1的结深是阴极端P2区3结深的20～70％，P1阳极区1中设有P+高浓度区8。本发明具有在应用于串联逆变时，能明显降低通态压降，从而改善通态能力和提高工作可靠性，同时可更优化内部结构，降低大注入的储存电荷，改善恢复软度的特点，主要用于大功率串联逆变电源装置。

公开(公告)号：CN108063164A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201711329371.4

申请日：2017-12-13

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 张桥 ,  刘小俐 ,  颜家圣 ,  刘鹏 ,  肖彦 ,  黄智 ,  李娴 ,  任丽

IPC: H01L29/747 ,  H01L21/332

Abstract: 本发明的名称为高压双向晶闸管及其制造方法。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有高压晶闸管反并联后串联，结构件较多、复杂等缺点。它的主要特征是：所述半导体芯片为四端P+ N+PP‑N‑P‑PN+P+九层结构，四个端子分别为T1极、上部门极、T2极和下部门极，为2个晶闸管反并联；中心门极为PNP型结构对反并联晶闸管进行隔离；晶闸管器件正向、反向阻断电压可达到6500V以上，通过控制信号可控制双压晶闸管正向、反向导通；反并联晶闸管间设有低掺杂浓度的隔离层，减小反并联晶闸管的相互影响。具有能明显提高双向晶闸管器件的耐压，又简单、易用、工艺简化特点，简化结构并提高工作可靠性。主要应用于交流电机控制、高压防爆软启动器装置。

公开(公告)号：CN103887153A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201210554051.X

申请日：2012-12-19

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 杨宁 ,  张桥 ,  周霖 ,  楚奇

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/228

CPC classification number: H01L21/2225

Abstract: 本发明的名称为一种Al-Ga复合扩散掺杂方法。属于电力半导体功率器件制造工艺技术领域。它主要是解决现有Al-Ga杂质同步扩散时互相干扰、影响均匀性的问题。它的主要特征是：⑴在第一源盒中装入铝杂质源，在第二源盒中装入镓杂质源，再装入源盒、档片、硅片、陪片，最后将封管放入真空扩散炉中；⑵将真空扩散炉抽真空，再升温至铝杂质源预沉积扩散温度范围进行铝杂质源预沉积恒温扩散；⑶再将真空扩散炉升温至镓杂质源扩散温度范围进行镓杂质源、预沉积铝杂质再分布双杂质恒温扩散；⑷最后降温出炉。本发明具有可显著改善P型扩散掺杂的均匀性、重复性、降低成本、提高工效的特点，用于电力半导体功率器件制造中铝镓杂质复合扩散掺杂工艺。

公开(公告)号：CN101931001B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910062813.2

申请日：2009-06-24

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 颜家圣 ,  吴拥军 ,  张桥 ,  杨成标 ,  刘小俐 ,  刘鹏 ,  肖彦

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明的名称为一种非对称快速晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有快速晶闸管在应用于串联逆变时，存在压降大和动态特性较差等问题。它的主要特征是包括管壳和封装在该管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片；半导体芯片的P1阳极区1的结深是阴极端P2区3结深的20～70％，P1阳极区1中设有P+高浓度区8。本发明具有在应用于串联逆变时，能明显降低通态压降，从而改善通态能力和提高工作可靠性，同时可更优化内部结构，降低大注入的储存电荷，改善恢复软度的特点，主要用于大功率串联逆变电源装置。

公开(公告)号：CN116779687A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310774774.9

申请日：2023-06-28

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 张桥 ,  颜家圣 ,  黄智 ,  刘鹏 ,  张灿阳 ,  肖彦 ,  刘晓 ,  任丽

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明名称为一种高压低阻尼振荡软恢复二极管及制造方法，以N‑区为衬底，包括阳极外端P+环、阳极P+块、P‑缓冲层、阴极外端N缓冲层、N缓冲层块环、阴极外端N+环、阴极N+区和阴极P+块，所述的N‑区的阴极K侧均匀设置了N缓冲层块和N缓冲层环，N缓冲层环、N缓冲层块和N‑区上交替设置了高浓度的阴极外端N+环、阴极N+区和阴极P+块，N+区交叠和包围N缓冲层，N缓冲层块包围阴极P+块，阴极P+块与阴极N+区之间由N缓冲层隔离；N‑区与阳极P+块之间设置了P‑缓冲层。本发明方法高压二极管具有更高的反向阻断电压、特软的反向恢复特性和较低的反向恢复阻尼振荡，阴极外端N缓冲层环可提高抗动态雪崩能力，具有更高的可靠性。

公开(公告)号：CN108305896A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201711364219.X

申请日：2017-12-18

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 颜家圣 ,  刘鹏 ,  张桥 ,  刘小俐 ,  肖彦 ,  朱玉德

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/423 ,  H01L23/10

Abstract: 本发明的名称为大尺寸高功率脉冲晶闸管。属于功率半导体器件技术和脉冲功率技术领域。它主要是解决普通晶闸管开通di/dt低于1200A/µS和瞬态浪涌电流Itsm低于90kA的问题。它的主要特征是：芯片直径为4英寸～8英寸，为硅基PNPN四层三端结构；芯片两个端面镀金属薄层以连接外电极，放大门极分布区与阴极交叉排布；芯片、绝缘胶圈、阴极钼片、阳极钼片、门极组件、管壳上封接件和管壳下封接件采用悬浮式组装和压接封装；放大门极中心区外缘与阴极的阴极区的交界线位于20%芯片直径以外，放大门极分布区呈雪花型排列。本发明单只器件的脉冲峰值电流Ipm可达200kA~500kA，阻断电压达到4500V~7500V，di/dt达到2kA/µS~5kA/µS。

公开(公告)号：CN104409491B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201310374762.3

申请日：2013-08-26

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 张桥 ,  刘鹏 ,  颜家圣 ,  邢雁 ,  吴拥军 ,  杨宁 ,  肖彦 ,  刘小俐 ,  任丽

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L21/332 ,  H01L29/43

Abstract: 本发明的名称为高压快开通晶闸管及其制造方法。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有半导体器件阴极因放大门极渐开线指条太长而存在di/dt耐量低、门极控制开通均匀性差等缺点。它的主要特征是：所述半导体芯片为三端PNPN四层结构，三个端子分别为阳极、阴极和门极；所述的PNPN四层结构，分为P1阳极区、N1长基区、P2短基区和N+阴极区；所述P1阳极区表面增设有阳极P+层，阴极区面的中心门极、放大门极、短路点、短路环区设有P+层。本发明具有降低门极、短路点处的横向电阻，降低器件压降，提高门极触发开通的均匀性和高压器件开通速度，满足节能降耗的特点，主要应用于大功率脉冲电源、大功率串联逆变电源等装置。