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公开(公告)号：CN103887153B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201210554051.X
申请日：2012-12-19
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: H01L21/22 , H01L21/228
Abstract: 本发明的名称为一种Al‑Ga复合扩散掺杂方法。属于电力半导体功率器件制造工艺技术领域。它主要是解决现有Al‑Ga杂质同步扩散时互相干扰、影响均匀性的问题。它的主要特征是：⑴在第一源盒中装入铝杂质源，在第二源盒中装入镓杂质源，再装入源盒、档片、硅片、陪片，最后将封管放入真空扩散炉中；⑵将真空扩散炉抽真空，再升温至铝杂质源预沉积扩散温度范围进行铝杂质源预沉积恒温扩散；⑶再将真空扩散炉升温至镓杂质源扩散温度范围进行镓杂质源、预沉积铝杂质再分布双杂质恒温扩散；⑷最后降温出炉。本发明具有可显著改善P型扩散掺杂的均匀性、重复性、降低成本、提高工效的特点，用于电力半导体功率器件制造中铝镓杂质复合扩散掺杂工艺。
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公开(公告)号：CN104409491A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201310374762.3
申请日：2013-08-26
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/06 , H01L21/332 , H01L29/43
CPC classification number: H01L29/74 , H01L29/0834 , H01L29/0839 , H01L29/1012 , H01L29/66363
Abstract: 本发明的名称为高压快开通晶闸管及其制造方法。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有半导体器件阴极因放大门极渐开线指条太长而存在di/dt耐量低、门极控制开通均匀性差等缺点。它的主要特征是：所述半导体芯片为三端PNPN四层结构，三个端子分别为阳极、阴极和门极；所述的PNPN四层结构，分为P1阳极区、N1长基区、P2短基区和N+阴极区；所述P1阳极区表面增设有阳极P+层，阴极区面的中心门极、放大门极、短路点、短路环区设有P+层。本发明具有降低门极、短路点处的横向电阻，降低器件压降，提高门极触发开通的均匀性和高压器件开通速度，满足节能降耗的特点，主要应用于大功率脉冲电源、大功率串联逆变电源等装置。
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公开(公告)号：CN103811424B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201210448143.X
申请日：2012-11-12
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
Abstract: 本发明的名称为全压接封装高压半导体器件，属于高压半导体器件技术领域。它主要是解决现有芯片和电极片通过焊料高温焊结而存在焊接应力和焊接空洞的问题。它的主要特征是：管壳下封接件、下钼圆片、半导体芯片、上钼圆片、门极引线组件和管壳上封接件依次为压接接触；管壳上封接件中心设有安装孔；上钼圆片中心设有定位孔，门极引线组件卡入该定位孔内。本发明具有可消除芯片高温焊接产生的形变和应力，能满足电压5000V以上或芯片直径4吋及以上的高压半导体器件要求的特点，主要用于高压软启动电源、高压静止无功补偿电源、高压脉冲功率电源、高压直流输电等领域的高压半导体器件。
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公开(公告)号：CN103531622A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201210232183.0
申请日：2012-07-06
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/332
CPC classification number: H01L29/744 , H01L29/0634 , H01L29/66363
Abstract: 本发明高压快速晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有快速晶闸耐压不够高的问题。它的主要特征是：包括管壳下封接件、定位环、半导体芯片、垫片、门极组件、上封接件，硅片包括PNPN三端结构，分为阳极区P1、长基区N1、短基区P2和阴极区N2，三端分别为阳极A、阴极K和门极G，在阳极区P1表面增设阳极区P+，使硅片为P+PNPN三端结构；所述的阴极区N2为均匀分布有旋转环绕门极G的区域，门极G为与阴极区N2对应的渐开线指条。本发明具有能明显提高器件的耐压、保持原设计晶闸管的开通时间不变、并降低通态压降、改善器件的阻断电压水平和通态能力的特点，主要应用于大功率变流电源、串联逆变电源装置。
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公开(公告)号：CN103378143A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210117710.3
申请日：2012-04-20
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
Abstract: 本发明的名称为一种带缓冲层结构晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有晶闸管在应用于高频大功率变流电源和脉冲功率电源时，存在压降大和开通速度慢等问题。它的主要特征是包括管壳和封装在该管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片；半导体芯片在P1区和N1区之间加入一个缓冲层N0区，N1区的表面浓度比N0区高10~200倍，又比P1区表面浓度低50~500倍。本发明具有在应用于大功率变流电源和脉冲功率电源时，能明显降低通态压降，从而改善通态能力和提高工作可靠性，同时可更优化内部结构，降低大注入的储存电荷，改善恢复软度的特点，主要用于大功率脉冲电源装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103887153A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210554051.X
申请日：2012-12-19
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: H01L21/22 , H01L21/228
CPC classification number: H01L21/2225
Abstract: 本发明的名称为一种Al-Ga复合扩散掺杂方法。属于电力半导体功率器件制造工艺技术领域。它主要是解决现有Al-Ga杂质同步扩散时互相干扰、影响均匀性的问题。它的主要特征是：⑴在第一源盒中装入铝杂质源，在第二源盒中装入镓杂质源，再装入源盒、档片、硅片、陪片，最后将封管放入真空扩散炉中；⑵将真空扩散炉抽真空，再升温至铝杂质源预沉积扩散温度范围进行铝杂质源预沉积恒温扩散；⑶再将真空扩散炉升温至镓杂质源扩散温度范围进行镓杂质源、预沉积铝杂质再分布双杂质恒温扩散；⑷最后降温出炉。本发明具有可显著改善P型扩散掺杂的均匀性、重复性、降低成本、提高工效的特点，用于电力半导体功率器件制造中铝镓杂质复合扩散掺杂工艺。
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公开(公告)号：CN104409491B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201310374762.3
申请日：2013-08-26
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/06 , H01L21/332 , H01L29/43
Abstract: 本发明的名称为高压快开通晶闸管及其制造方法。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有半导体器件阴极因放大门极渐开线指条太长而存在di/dt耐量低、门极控制开通均匀性差等缺点。它的主要特征是：所述半导体芯片为三端PNPN四层结构，三个端子分别为阳极、阴极和门极；所述的PNPN四层结构，分为P1阳极区、N1长基区、P2短基区和N+阴极区；所述P1阳极区表面增设有阳极P+层，阴极区面的中心门极、放大门极、短路点、短路环区设有P+层。本发明具有降低门极、短路点处的横向电阻，降低器件压降，提高门极触发开通的均匀性和高压器件开通速度，满足节能降耗的特点，主要应用于大功率脉冲电源、大功率串联逆变电源等装置。
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公开(公告)号：CN104392910B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201310402933.9
申请日：2013-09-06
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: H01L21/22
Abstract: 本发明的名称为一种缓冲层的扩散方法。属于半导体制造技术领域。它主要是解决现有离子注入加高温推进制作缓冲层存在成本较高、功效低对其他参数影响很大和较难控制的问题。它的主要特征是包括以下工艺步骤：先将桶形舟、弧形舟、陪片和硅晶片清洗、烘干，再将其放入扩散管内进行通源掺杂扩散，使表面积累一层均匀的杂质原子；将其清洗烘干后，陪片与硅晶片以1片陪片和2片硅晶片叠片式排列；将其放入扩散炉管内进行高温预扩散；取出硅晶片转放在弧形舟上，放入高温扩散炉进行缓冲层推进扩散。本发明具有在现有普通工艺线能实现缓冲层扩散、成本较低、推进扩散时间短、不受杂质种类影响的特点，主要应用于功率半导体器件芯片的缓冲层扩散。
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公开(公告)号：CN104392910A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201310402933.9
申请日：2013-09-06
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: H01L21/22
CPC classification number: H01L21/2205
Abstract: 本发明的名称为一种缓冲层的扩散方法。属于半导体制造技术领域。它主要是解决现有离子注入加高温推进制作缓冲层存在成本较高、功效低对其他参数影响很大和较难控制的的问题。它的主要特征是包括以下工艺步骤：先将桶形舟、弧形舟、陪片和硅晶片清洗、烘干，再将其放入扩散管内进行通源掺杂扩散，使表面积累一层均匀的杂质原子；将其清洗烘干后，陪片与硅晶片以1片陪片和2片硅晶片叠片式排列；将其放入扩散炉管内进行高温预扩散；取出硅晶片转放在弧形舟上，放入高温扩散炉进行缓冲层推进扩散。本发明具有在现有普通工艺线能实现缓冲层扩散、成本较低、推进扩散时间短、不受杂质种类影响的特点，主要应用于功率半导体器件芯片的缓冲层扩散。
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公开(公告)号：CN103811424A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201210448143.X
申请日：2012-11-12
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
Abstract: 本发明的名称为全压接封装高压半导体器件，属于高压半导体器件技术领域。它主要是解决现有芯片和电极片通过焊料高温焊结而存在焊接应力和焊接空洞的问题。它的主要特征是：管壳下封接件、下钼圆片、半导体芯片、上钼圆片、门极引线组件和管壳上封接件依次为压接接触；管壳上封接件中心设有安装孔；上钼圆片中心设有定位孔，门极引线组件卡入该定位孔内。本发明具有可消除芯片高温焊接产生的形变和应力，能满足电压5000V以上或芯片直径4吋及以上的高压半导体器件要求的特点，主要用于高压软启动电源、高压静止无功补偿电源、高压脉冲功率电源、高压直流输电等领域的高压半导体器件。
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