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公开(公告)号：CN102904560B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201210201495.5
申请日：2012-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K17/78 , H01L27/146 , G06F3/042 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14616 , G06F3/0412 , G06F3/042 , H01L29/7869 , H01L31/1136
Abstract: 本发明涉及光感测电路、装置及方法、图像获取装置及光触摸屏装置。在简化的光感测电路、包括光感测电路的光感测装置、驱动光感测装置的方法、以及包括光感测装置的光触摸屏装置和图像获取装置中，光感测电路包括针对每个像素包括沟道层的氧化物半导体晶体管，该沟道层包含氧化物半导体材料。氧化物半导体晶体管作为感测光的光感测器件和输出光感测数据的开关两者来操作。
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公开(公告)号：CN101630692B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN200910140008.7
申请日：2009-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种沟道层和一种包括该沟道层的晶体管。所述沟道层可以包括多层结构。形成所述沟道层的层可以具有不同的迁移率和/或载流子密度。所述沟道层可以具有包括可以由不同的氧化物形成的上层和下层的双层结构。所述晶体管的特性可以根据用于形成下层和上层的材料及其厚度而变化。
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公开(公告)号：CN101527318B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200810179474.1
申请日：2008-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种晶体管及其制造方法。根据示例实施例的晶体管可以包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的端部；栅电极，与沟道层分开；栅极绝缘层，设置在沟道层和栅电极之间；和/或插入层，形成在沟道层和栅极绝缘层之间。插入层的功函数可以与沟道层的功函数不同。
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公开(公告)号：CN1734773B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200510092281.9
申请日：2005-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/112 , H01L27/115 , H01L21/8246 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C11/5621 , H01L27/0688 , H01L27/11521 , H01L27/11551
Abstract: 提供了一种互补非易失性存储器件及其操作和制造方法，包括该器件的逻辑器件和半导体器件，以及用于该器件的读电路。所述互补非易失性存储器件包括第一非易失性存储器和第二非易失性存储器，它们被顺序的堆叠并具有互补关系，其中所述第二非易失性存储器被翻转，使得所述第一非易失性存储器和第二非易失性存储器的底部彼此相对，且所述第一非易失性存储器和第二非易失性存储器的顶部在所述底部之间彼此面对。
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公开(公告)号：CN100573336C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610106080.4
申请日：2006-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/70241 , G03F7/70941
Abstract: 提供了一种离轴投影光学系统，其包括离轴设置的第一和第二反射镜。第一反射镜弯曲部分的切向和径向半径分别为R1t和R1s。第二反射镜弯曲部分的切向和径向半径分别为R2t和R2s。从物点到第一反射镜10的光束入射角为i1，从第一反射镜10反射到第二反射镜30的光束入射角为i2。数值R1t、R1s、R2t、R2s、i1和i2可以满足下面的等式：R1tcosi1＝R2tcosi2；R1s＝R1tcos2i1；R2s＝R2tcos2i2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100440372C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03104485.9
申请日：2003-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00
Abstract: 一种磁阻随机存取存储器，包括MOS晶体管、下电极、第一磁层、介电阻挡层、第二磁层、上电极、第二栅极及位线。MOS晶体管由在半导体衬底上的第一栅极和源结及漏结构成。下电极和源结相连。第一磁层形成在下电极上。介电阻挡层形成在第一磁层上，并至少包括铝和铪，和第一磁层一道形成势阱。第二磁层形成在和第一磁层相对的介电阻挡层上。上电极形成在第二磁层上。第二栅极插在第一栅极和下电极之间，用于控制第一磁层和第二磁层中之一的磁数据。位线和第一栅极垂直，和上电极实现电连接。如添加有铪的氧化铝层这种氧化层作为阻挡层，则可改善阻挡层的特性，从而增加磁阻比。可改善磁阻随机存取存储器的数据存储能力。
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公开(公告)号：CN101060139A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200610148646.X
申请日：2006-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种非晶氧化锌(ZnO)薄膜晶体管(TFT)及其制造方法，所述非晶ZnO TFT包括：衬底；半导体沟道，在衬底上由包括n(GaO3)、m(InO3)和(ZnO)k的非晶ZnO基化合物半导体材料形成；源极和漏极电极，电接触半导体沟道的两端；栅极，形成围绕半导体沟道的电场；和栅极绝缘体，设置于栅极和半导体沟道之间。可以满足不等式条件n≥1.5、m≥1.5、k＞0。
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公开(公告)号：CN1908702A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610125718.9
申请日：2006-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B5/12 , G03F1/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G21K1/062
Abstract: 一种反射器件可包括基板和形成在基板上的多反射层。该多反射层由能反射EUV射线的材料形成。通过堆叠多个层组可形成所述多反射层，每个层组都包括第一材料层、通过对第一材料层进行表面处理而获得的表面处理的层、和形成在该表面处理的层上的第二材料层。一种制造反射器件的方法包括制备基板和在基板上形成多反射层，该多反射层由能反射EUV射线的材料形成。通过重复形成层组来实施形成多反射层。形成该层组包括：形成第一材料层、对第一材料层进行表面处理、和在表面处理过的第一材料层上形成第二材料层。
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公开(公告)号：CN1881091A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610106080.4
申请日：2006-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/70241 , G03F7/70941
Abstract: 提供了一种离轴投影光学系统，其包括离轴设置的第一和第二反射镜。第一反射镜弯曲部分的切向和径向半径分别为R1t和R1s。第二反射镜弯曲部分的切向和径向半径分别为R2t和R2s。从物点到第一反射镜10的光束入射角为i1，从第一反射镜10反射到第二反射镜30的光束入射角为i2。数值R1t、R1s、R2t、R2s、i1和i2可以满足下面的等式：R1tcosi1＝R2tcosi2，R1s＝R1tcos2i1，R2s＝R2tcos2i2。
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公开(公告)号：CN1811593A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510121654.0
申请日：2005-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 用于光刻的掩模及其制造方法。掩模包括衬底，由能反射电磁辐射的材料在衬底上形成的反射层，和以希望的图案形成的吸收图案以使得形成对于电磁辐射的吸收区和电磁射线通过的窗口区，其中吸收图案包括至少一个邻近窗口并且相对于反射层倾斜的侧面。该方法可以包括在衬底上形成由能够反射电磁射线的材料形成的反射层，在反射层上形成由能够吸收电磁射线的材料形成的吸收层，和图案化吸收层以形成具有至少一个邻近窗口的侧面并且具有相对于反射层倾斜的侧面的吸收图案。
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