公开(公告)号：CN108089817B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN201711180803.X

申请日：2017-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵成国 ,  安秉英 ,  尹恩振 ,  奇亮奭 ,  张实完 ,  李硕灿

IPC: G06F3/06

Abstract: 提供了一种执行数据去重的存储系统、操作存储系统的方法和操作数据处理系统的方法。存储系统包括：存储装置，其构造为存储从主机接收的数据；和控制器，其构造为从主机接收数据和索引，索引与从主机接收的数据关联。控制器包括：存储器，其构造为存储映射信息和参考计数，映射信息将从主机接收的索引与存储系统的物理地址关联，参考计数与从主机接收的索引关联。控制器构造为通过从存储器读取映射信息和参考计数来确定从主机接收的数据是否对应于先前存储在存储装置中的数据的副本，所述读取操作基于从主机接收到的索引。控制器构造为通过在从主机接收的数据对应于先前存储在存储装置中的数据的副本的情况下更新参考计数来执行去重处理。

公开(公告)号：CN114116294A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110996951.9

申请日：2021-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权宰暎 ,  朴永真 ,  李在键 ,  尹松虎 ,  张实完

IPC: G06F11/10 ,  G06F13/12 ,  G06F13/16

Abstract: 提供了一种存储设备。所述存储设备包括：储存器件，包括被配置为存储元数据和主数据的存储单元阵列；以及配置为访问储存器件并控制储存器件的存储控制器，其中，存储控制器被配置为根据储存器件的状态以自适应地变化为第一读取速度或第二读取速度的速度从储存器件读取数据，第二读取速度快于第一读取速度。

公开(公告)号：CN107403639B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201710201596.5

申请日：2017-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊镐 ,  张实完 ,  崔贤镇 ,  咸东勋

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G06F13/16

Abstract: 本发明提供了一种存储器控制器的操作方法，所述存储器控制器配置为控制非易失性存储器装置执行刷新读操作、检测非易失性存储器装置的上电状态或断电状态以及发出刷新读命令。控制接收到刷新读命令的非易失性存储器装置以针对多个存储块中的每一个执行一次刷新读操作，所述刷新读操作包括对多条字线之一的读操作。

公开(公告)号：CN107403639A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710201596.5

申请日：2017-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊镐 ,  张实完 ,  崔贤镇 ,  咸东勋

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G06F13/16

Abstract: 本发明提供了一种存储器控制器的操作方法，所述存储器控制器配置为控制非易失性存储器装置执行刷新读操作、检测非易失性存储器装置的上电状态或断电状态以及发出刷新读命令。控制接收到刷新读命令的非易失性存储器装置以针对多个存储块中的每一个执行一次刷新读操作，所述刷新读操作包括对多条字线之一的读操作。

公开(公告)号：CN107393590A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710218129.3

申请日：2017-04-05

Applicant: 三星电子株式会社 ,  延世大学校 ,  产学协力团

Inventor： 李耀翰 ,  金志锡 ,  俞昌渊 ,  千镇泳 ,  张实完 ,  高准英 ,  郑盛旭 ,  金志秀

IPC: G11C16/08

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/24 ,  G11C16/3459 ,  G11C16/08

Abstract: 一种包括排列在多个单元串中的多个存储单元的非易失性存储设备的编程方法包括：顺序地在第一间隔期间将第一通过电压施加到连接到多个存储单元的字线的未选择的字线并在第二间隔期间将高于第一通过电压的第二通过电压施加到未选择的字线；以及在第一间隔中将编程电压施加到连接到多个存储单元的字线的选择的字线之后，将低于编程电压的放电电压施加到选择的字线，以及在第二间隔期间将编程电压施加到选择的字线。