公开(公告)号：CN103165186B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201210554849.4

申请日：2012-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 庆允英 ,  金男镐 ,  崔贤镇

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/06

Abstract: 一种对存储器件编程的方法，包括：在该存储器件的控制器处响应于第一信息确定要进入多个编程模式的第一编程模式，其中第一信息包括与温度、功耗或输入/输出工作负载关联的参数；以及在第一编程模式中使用该控制器改变该存储器件的第一编程和第二编程的编程比率。

公开(公告)号：CN117953942A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202310966955.1

申请日：2023-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔贤镇 ,  卢晟铉 ,  赵仁顺 ,  文贵妍 ,  郑明珍

IPC: G11C11/4093

Abstract: 一种存储器系统，包括：闪存，其包括元块和数据块；以及存储器控制器，其包括元数据管理模块，管理要存储在元块中的元数据。元块包括多个页。元数据管理模块将多个页中的空闲页的数量与预先设置数量的空闲页进行比较，并且根据比较结果，通过使用连续元写入操作或脏元写入操作之一来选择元数据的写入目标页。

公开(公告)号：CN107845394A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710482651.2

申请日：2017-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁相元 ,  庆允英 ,  崔贤镇 ,  金志守 ,  李俊镐 ,  全镇完 ,  郑在成 ,  朴埈奭 ,  郑镛祐

IPC: G11C7/10 ,  G11C8/08

CPC classification number: G06F3/0659 ,  G06F3/0613 ,  G06F3/0673 ,  G06F13/00 ,  G06F2212/70 ,  G11C7/1084 ,  G11C7/22 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3495 ,  G11C2211/5641 ,  G11C7/109 ,  G11C8/08

Abstract: 一种存储装置及操作存储装置的方法。所述存储装置包括第一存储区及第二存储区。所述方法包括：响应于来自主机的写入请求为从所述主机接收到的写入数据调整所述第一存储区对所述第二存储区的写入比率；以及，以经调整的写入比率将所述写入数据写入至所述第一存储区及所述第二存储区。所述第一存储区包括具有第一写入速度的存储单元，且所述第二存储区包括具有与所述第一写入速度不同的第二写入速度的存储单元。

公开(公告)号：CN106484320A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610796626.7

申请日：2016-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文相权 ,  李澈 ,  崔贤镇

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G11C16/349 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0652 ,  G06F3/0679 ,  G11C13/0035 ,  G11C16/3495

Abstract: 一种存储设备，包括闪速存储器和存储器控制。闪速存储器包括多个存储器块。存储器控制器被配置为确定与多个存储器块之中的所选择的存储器块的重用时段相对应的快速循环权重，并且使用快速循环权重来管理所选择的存储器块的耗损均衡。

公开(公告)号：CN119806382A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202410963405.9

申请日：2024-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔贤镇 ,  卢晟铉 ,  李赫 ,  文贵妍

IPC: G06F3/06 ,  G06F12/10

Abstract: 公开了一种存储设备以及操作该存储设备的方法，该存储设备包括非易失性存储器件和被配置为控制非易失性存储器件的存储控制器，该方法包括：将非易失性存储器件划分为多个域；基于与从主机设备提供的多个逻辑地址之中的逻辑地址的多个地址比特的第一部分相对应的种子比特的种子值，确定加扰函数；基于加扰函数和与多个逻辑地址之中的逻辑地址的多个地址比特的第二部分相对应的域比特的域值，产生加扰后的域值；以及将与该逻辑地址相对应的写入操作分配到多个域之中与加扰后的域值相对应的域。

公开(公告)号：CN118672936A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202311519573.0

申请日：2023-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄珠荣 ,  崔贤镇

IPC: G06F12/02

Abstract: 提供了存储装置、电子装置和电子装置的操作方法。存储装置包括包含多个擦除单位的非易失性存储器装置和存储器控制器。多个擦除单位中的每一个包括多个存储器单元。存储器控制器被配置为将多个擦除单位中的第一擦除单位中的每一个的第一存储器单元指定为y电平单元，将多个擦除单位中的第二擦除单位中的每一个的第二存储器单元指定为x电平单元，将分区分配给第一擦除单位中的至少一个第一擦除单位并允许针对分区的顺序写入，通过使用第二擦除单位中的至少一个第二擦除单位来缓冲将被写入分区中的数据，以及将关于缓冲将被写入分区中的数据的至少一个第二擦除单位的信息提供给外部主机装置。

公开(公告)号：CN106484320B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201610796626.7

申请日：2016-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文相权 ,  李澈 ,  崔贤镇

IPC: G06F3/06

Abstract: 一种存储设备，包括闪速存储器和存储器控制。闪速存储器包括多个存储器块。存储器控制器被配置为确定与多个存储器块之中的所选择的存储器块的重用时段相对应的快速循环权重，并且使用快速循环权重来管理所选择的存储器块的耗损均衡。

公开(公告)号：CN109783405A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811274577.6

申请日：2018-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李世焕 ,  崔贤镇

IPC: G06F12/1009

Abstract: 存储设备包括存储器设备和控制器，该控制器将从主机接收的逻辑地址转换为存储器设备的物理地址。该控制器管理对应信息和映射函数，该对应信息指示逻辑地址和物理地址之间的对应关系，该映射函数用于在由对应信息中管理的物理地址所指示的存储器设备上的部分存储器区域中确定与所接收的逻辑地址相对应的映射单元。与所接收的逻辑地址相对应的映射单元是由所接收的逻辑地址指示的存储器设备上的区域。控制器参考对应信息来确定包括与所接收的逻辑地址相对应的映射单元的部分存储器区域，并且通过使用映射函数从该部分存储器区域中确定映射单元。

公开(公告)号：CN111176550B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201910705813.3

申请日：2019-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔完守 ,  崔贤镇 ,  金镇佑 ,  全裕勋

IPC: G06F3/06

Abstract: 公开一种电子装置及其操作方法。一种包括核的电子装置的操作方法包括：从独立于所述核驱动的第一功能块的第一状态寄存器读取第一状态信息；从独立于所述核驱动的第二功能块的第二状态寄存器读取第二状态信息；从第一功能块的第一标志寄存器读取第一改变信息；从第二功能块的第二标志寄存器读取第二改变信息；基于读取的第一状态信息和第二状态信息以及读取的第一改变信息和第二改变信息，确定电子装置的操作状态是否是空闲状态和忙碌状态中的任何一种状态；以及在与确定的操作状态对应的操作模式下进行操作。

公开(公告)号：CN116136829A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211427871.2

申请日：2022-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东殷 ,  康贞旭 ,  崔贤镇

IPC: G06F12/0891 ,  G06F12/0804

Abstract: 提供了一种存储控制器和包括该存储控制器的存储设备。用于通过对第一存储器单元执行N次编程来将第一数据写入第一存储器单元的存储控制器包括写入放大管理器和中央处理单元，其中N是大于1的正整数。写入放大管理器在执行第一存储器单元的第N次编程之前检查第一数据是否是无效数据，并且当第一数据是无效数据时，中央处理单元不执行第一存储器单元的第N次编程。