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公开(公告)号:CN101355067B
公开(公告)日:2012-11-21
申请号:CN200810130008.4
申请日:2008-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L25/00 , H01L25/18 , H01L23/488 , H01L21/60 , G06K19/077 , G11C5/00 , G11C5/06
CPC classification number: H01L23/5286 , H01L23/3121 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05568 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/32145 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48145 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/49111 , H01L2224/4912 , H01L2224/49171 , H01L2224/731 , H01L2224/81801 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种多芯片模块的改进的电连接。一种半导体封装包括安装在基底上的第一半导体芯片和安装在第一半导体芯片的顶部的第二半导体芯片。在第一半导体芯片的顶部布置多个金属线,金属线与第一半导体芯片中的电路隔离。引线键合将第二半导体芯片上的焊盘连接到第一半导体芯片上的金属线。另外的引线键合将第一半导体芯片上的金属线连接到基底上的端子。导电的硅通孔或焊料凸点可代替引线键合,另外的芯片可包括在所述封装中。
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公开(公告)号:CN102130025A
公开(公告)日:2011-07-20
申请号:CN201010551676.1
申请日:2010-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/00 , H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/98 , H01L25/065
CPC classification number: H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本公开公开了一种晶片、一种处理晶片的方法和一种制造半导体装置的方法。处理晶片的方法包括:提供半导体基底;在半导体基底的第一裸片区中形成包括第一电路的电路部并在半导体基底的第二裸片区中形成包括第二电路的电路部;形成与第一电路电通信的第一焊盘和与第二电路电通信的第二焊盘;在形成第一电路和第二电路后,形成至少一部分在第一裸片区和第二裸片区的边界内的导线,所述导线与第一电路和第二电路电隔离。导线形成在包含多个电路的晶片上。导线与形成在晶片内的电路隔离。芯片安装在晶片上,并且具有连接到晶片的导线的各自的芯片焊盘。然后,可以利用封装树脂来保护晶片并将晶片单片化。
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公开(公告)号:CN108089817B
公开(公告)日:2023-12-19
申请号:CN201711180803.X
申请日:2017-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了一种执行数据去重的存储系统、操作存储系统的方法和操作数据处理系统的方法。存储系统包括:存储装置,其构造为存储从主机接收的数据;和控制器,其构造为从主机接收数据和索引,索引与从主机接收的数据关联。控制器包括:存储器,其构造为存储映射信息和参考计数,映射信息将从主机接收的索引与存储系统的物理地址关联,参考计数与从主机接收的索引关联。控制器构造为通过从存储器读取映射信息和参考计数来确定从主机接收的数据是否对应于先前存储在存储装置中的数据的副本,所述读取操作基于从主机接收到的索引。控制器构造为通过在从主机接收的数据对应于先前存储在存储装置中的数据的副本的情况下更新参考计数来执行去重处理。
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公开(公告)号:CN108089817A
公开(公告)日:2018-05-29
申请号:CN201711180803.X
申请日:2017-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F3/0641 , G06F3/0608 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F16/134 , G06F16/1748 , H04L67/1097 , G06F3/0607 , G06F3/0671
Abstract: 提供了一种执行数据去重的存储系统、操作存储系统的方法和操作数据处理系统的方法。存储系统包括:存储装置,其构造为存储从主机接收的数据;和控制器,其构造为从主机接收数据和索引,索引与从主机接收的数据关联。控制器包括:存储器,其构造为存储映射信息和参考计数,映射信息将从主机接收的索引与存储系统的物理地址关联,参考计数与从主机接收的索引关联。控制器构造为通过从存储器读取映射信息和参考计数来确定从主机接收的数据是否对应于先前存储在存储装置中的数据的副本,所述读取操作基于从主机接收到的索引。控制器构造为通过在从主机接收的数据对应于先前存储在存储装置中的数据的副本的情况下更新参考计数来执行去重处理。
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公开(公告)号:CN102130025B
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201010551676.1
申请日:2010-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/00 , H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/98 , H01L25/065
CPC classification number: H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本公开公开了一种晶片、一种处理晶片的方法和一种制造半导体装置的方法。处理晶片的方法包括:提供半导体基底;在半导体基底的第一裸片区中形成包括第一电路的电路部并在半导体基底的第二裸片区中形成包括第二电路的电路部;形成与第一电路电通信的第一焊盘和与第二电路电通信的第二焊盘;在形成第一电路和第二电路后,形成至少一部分在第一裸片区和第二裸片区的边界内的导线,所述导线与第一电路和第二电路电隔离。导线形成在包含多个电路的晶片上。导线与形成在晶片内的电路隔离。芯片安装在晶片上,并且具有连接到晶片的导线的各自的芯片焊盘。然后,可以利用封装树脂来保护晶片并将晶片单片化。
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公开(公告)号:CN103178054A
公开(公告)日:2013-06-26
申请号:CN201210560798.6
申请日:2012-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/50 , H01L23/5223 , H01L23/525 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L28/40 , H01L2224/02166 , H01L2224/02375 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05567 , H01L2224/06102 , H01L2224/06135 , H01L2224/131 , H01L2224/16135 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/48195 , H01L2224/48227 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/49109 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/49177 , H01L2224/73207 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06527 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15184 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
Abstract: 提供了一种包括堆叠半导体芯片的半导体封装件。半导体封装件可以包括顺序地堆叠在板上的第一半导体芯片和第二半导体芯片。半导体封装件还可以包括位于第一半导体芯片上的布线层,布线层可以包括再分布图案和再分布焊盘。每个第一半导体芯片可以包括数据焊盘。第一半导体芯片的数据焊盘可以经由第二半导体芯片、一些再分布图案和一些再分布焊盘电连接到板。
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公开(公告)号:CN101355067A
公开(公告)日:2009-01-28
申请号:CN200810130008.4
申请日:2008-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L25/00 , H01L25/18 , H01L23/488 , H01L21/60 , G06K19/077 , G11C5/00 , G11C5/06
CPC classification number: H01L23/5286 , H01L23/3121 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05568 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/32145 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48145 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/49111 , H01L2224/4912 , H01L2224/49171 , H01L2224/731 , H01L2224/81801 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种多芯片模块的改进的电连接。一种半导体封装包括安装在基底上的第一半导体芯片和安装在第一半导体芯片的顶部的第二半导体芯片。在第一半导体芯片的顶部布置多个金属线,金属线与第一半导体芯片中的电路隔离。引线键合将第二半导体芯片上的焊盘连接到第一半导体芯片上的金属线。另外的引线键合将第一半导体芯片上的金属线连接到基底上的端子。导电的硅通孔或焊料凸点可代替金属键合,另外的芯片可包括在所述封装中。
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