公开(公告)号：CN105321591A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510275760.8

申请日：2015-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文庚奭 ,  金相壹 ,  金世润 ,  朴喜正 ,  李孝锡 ,  崔在荣

IPC: H01B1/10 ,  H01B1/06 ,  C01B19/04 ,  H01L51/52

CPC classification number: C01B19/007 ,  C01B19/04 ,  C01P2006/40 ,  H01B1/06 ,  H01L21/02562 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/54

Abstract: 公开导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Ru、Os、Re、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag、或者Au，和Ch为硫、硒、碲、或其组合。化学式1：MeCh2。

公开(公告)号：CN101252169A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810009506.3

申请日：2008-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申雄澈 ,  金基俊 ,  许智贤 ,  李孝锡

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

Abstract: 一种相变存储器件及其制造方法，所述相变存储器件在其存储节点中包括相变层，还包括：底部电极；安置在底部电极上、由相变材料制成的底部电极接触层；安置在底部电极接触层上、宽度小于底部电极接触层的第一相变层；安置在第一相变层上、宽度大于第一相变层的第二相变层；以及安置在第二相变层上的上部电极。

公开(公告)号：CN105280269B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201510315771.4

申请日：2015-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相壹 ,  金世润 ,  文庚奭 ,  黄成宇 ,  孙崙喆 ,  李孝锡

IPC: H01B5/14

Abstract: 本发明公开导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1或化学式2表示并且具有层状晶体结构的化合物，在化学式1中，M1是钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、钽(Ta)、或铌(Nb)；和在化学式2中，M2是钒(V)或钽(Ta)。化学式1M1Te2化学式2M2Se2。

公开(公告)号：CN105280269A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510315771.4

申请日：2015-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相壹 ,  金世润 ,  文庚奭 ,  黄成宇 ,  孙崙喆 ,  李孝锡

IPC: H01B5/14

CPC classification number: C01B19/04 ,  C01P2006/40 ,  C03C17/10 ,  C30B29/46 ,  H01B1/02 ,  H01B1/06

Abstract: 本发明公开导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1或化学式2表示并且具有层状晶体结构的化合物，在化学式1中，M1是钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、钽(Ta)、或铌(Nb)；和在化学式2中，M2是钒(V)或钽(Ta)。化学式1M1Te2化学式2M2Se2。

公开(公告)号：CN105278787A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510422696.1

申请日：2015-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭灿 ,  崔在荣 ,  金光熙 ,  卢钟旭 ,  朴贤哲 ,  辛源镐 ,  禹轮成 ,  李孝锡 ,  黄珍荣

IPC: G06F3/044

Abstract: 本公开提供了电极结构以及利用其的触摸检测传感器。该电极结构包括：第一非导电层；第一导电层，设置在第一非导电层上；第二非导电层，设置在第一导电层上；第二导电层，设置在第二非导电层上；以及第三非导电层，设置在第二导电层上，其中第一导电层和第二导电层中的至少一个包括二维导电材料。

公开(公告)号：CN101290969A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200710185796.2

申请日：2007-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许智贤 ,  姜闰浩 ,  李孝锡 ,  崔赫洵 ,  申在光 ,  吴在浚

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C11/5678 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供了一种存储节点，具有存储节点的相变存储器件，制造相变存储器件的方法以及操作相变存储器件的方法。相变存储器件包括开关器件和连接到开关器件的存储节点。存储节点包括底部电极，形成在底部电极上的相变层，形成在相变层上的材料层以及围绕材料层形成在相变层上的上部电极。