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公开(公告)号：CN101110394B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710007940.3
申请日：2007-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02647 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02469 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02551 , H01L21/02609 , H01L21/02642 , H01L21/02645
Abstract: 本发明提供了具有低缺陷密度以及优异表面形态特性的低缺陷半导体衬底以及制造其的方法。该半导体衬底包括由III-V族半导体材料形成的第一半导体层并且在其上形成有非晶区域和晶质区域，以及形成在该第一半导体层上并且从该晶质区域晶体生长的第二半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100391014C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200410062143.1
申请日：2004-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , B82Y20/00 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供了一种具有超晶格半导体层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括其中交替堆叠由不同材料形成的第一材料层和第二材料层的超晶格半导体层。在形成超晶格结构的第一材料层和第二材料层中形成有多个孔，该些孔填充有相邻材料层的材料。所提供的超晶格结构通过在保持预定光限制特性的同时经第一材料层和第二材料层中的孔输运电荷来降低驱动电压。
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公开(公告)号：CN101165979A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710096171.9
申请日：2007-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/02 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/0014 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/321 , H01S5/3213 , H01S5/3403 , H01S5/3406 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种半导体光电器件，包括：有源层，包括量子阱和势垒层；上和下波导层，分别形成在所述有源层之上和之下；上和下包层，分别形成在所述上和下波导层之上和之下；衬底，支承所得堆叠结构；上光学约束层OCL，设置在所述有源层与所述上和下波导层之间且具有小于所述上波导层的能隙且等于或大于所述势垒层的能隙的能隙；以及下OCL，具有小于所述下波导层的能隙且等于或小于所述势垒层的能隙的能隙。
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公开(公告)号：CN101017959A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610125681.X
申请日：2006-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种具有改进的电流注入结构的脊形波导半导体激光二极管。所述脊形波导半导体激光二极管包括：衬底；形成于所述衬底上的下部多半导体层；形成于所述下部多半导体层上的有源层；具有脊形部分，并且形成于所述有源层上的上部多半导体层；以及形成于所述上部多半导体层上的上部电极，其中，所述上部电极覆盖所述脊形部分的至少一个侧表面。
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公开(公告)号：CN1855562A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200510124621.1
申请日：2005-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/2003 , B82Y20/00 , H01L29/045 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0211 , H01S5/2231 , H01S5/34333
Abstract: 提供了一种氮化镓(GaN)基化合物半导体器件，该器件具有改进在衬底上生长的薄膜的表面特性的结构。该GaN基化合物半导体器件包括：AlxInyGa1－x－yN衬底(0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1)，衬底表面相对于(0001)平面朝预定方向倾斜大于0°且小于1°的偏角；以及生长在该衬底上的GaN基化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN1581528A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410062143.1
申请日：2004-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , B82Y20/00 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供了一种具有超晶格半导体层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括其中交替堆叠由不同材料形成的第一材料层和第二材料层的超晶格半导体层。在形成超晶格结构的第一材料层和第二材料层中形成有多个孔，该些孔填充有相邻材料层的材料。所提供的超晶格结构通过在保持预定光限制特性的同时经第一材料层和第二材料层中的孔输运电荷来降低驱动电压。
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