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公开(公告)号：CN100545943C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN03104482.4
申请日：2003-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C11/4091
CPC classification number: G11C11/4076 , G11C7/1072 , G11C7/12 , G11C7/22 , G11C11/4094 , G11C2207/229
Abstract: 一种半导体存储器中的自动预充电控制电路及其方法，其中自动预充电起始点可以根据至少一个控制信号、包括时钟频率信息的至少一个控制信号、频率和/或等待时间信息、或从模式寄存器设置命令接收的等待时间信号而改变。包括：控制电路，用于接收写信号、时钟信号以及至少一个控制信号，控制信号包括时钟频率信息和等待时间信息中的至少一个，并输出至少一个通道信号；自动预充电脉冲信号驱动器，用于接收至少一个通道信号、写信号、和使能信号，并产生指明自动预充电操作的起始点的自动预充电脉冲信号；以及自动预充电模式使能电路，用于接收时钟信号、自动预充电命令、有效信号、和自动预充电脉冲信号，并产生使能信号。
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公开(公告)号：CN1248206C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN02129751.7
申请日：2002-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/13922 , G11B7/123 , G11B7/1356 , G11B7/1374 , G11B7/139 , G11B7/24056
Abstract: 一种光学拾取装置包括：一种发光单元，此发光单元发出比650nm波长要长的光束并照射于介质上，还接受及检测由介质反射回来的光，并且还有单透镜组成的0.7或更大的NA的物镜，此物镜把从发光单元发射出的入射光束在记录介质上汇聚成为光点。一种具有DVD系列的记录密度或更高密度的记录介质，其形成的材料适于700nm或更长的波长，以使被记录表面反射的复制信号得到优化。因此能够实现低成本高性能的紧凑高密度的光学记录/复制的装置。
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公开(公告)号：CN1089748A
公开(公告)日：1994-07-20
申请号：CN93114141.9
申请日：1993-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李镐哲
IPC: G11C11/413 , H01L27/108
CPC classification number: G11C7/1057 , G11C7/1051 , G11C7/22
Abstract: 一种数据输出缓冲器用来同步半导体存储装置，与外部时钟同步地进行数据的读/写，半导体存储装置包括第一移位寄存器，含有转送RAS信号的大量时钟级；从第一移位电路预定级取出数据输出边缘信号的电路；第一锁存电路，产生具有RAS信号信息的大量第一等待信号；第二移位电路，具传送CAS信号的大量时钟级；第二锁存电路，产生含CAS信号信息的大量第二等待信号；等待组合电路，接收第一和第二等待信号，以产生数据输出控制信号到数据输出缓冲器。
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公开(公告)号：CN1089054A
公开(公告)日：1994-07-06
申请号：CN93119604.3
申请日：1993-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/1018 , G11C7/1045 , G11C7/1072 , G11C7/222 , G11C7/225 , G11C11/406 , G11C11/40618 , G11C11/4076 , G11C11/408 , G11C11/4082 , G11C11/4087 , G11C2207/2281
Abstract: 一同步DRAM，能同来自一外部系统的时钟同步地在其中一存贮单元阵列中存取数据。该同步DRAM接收一外部时钟并包括有大量的各有大量存贮单元并可操作在任一有效周期或一预充电周期的存贮体；一用于接收一行地址选通信号并响应该时钟而锁存该行地址选通信号的一逻辑电平的电路；用于接收一个存贮体的外部产生的地址的一地址输入电路；和用于接收该锁存的逻辑电平和来自地址输入电路的该地址的电路。
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公开(公告)号：CN110580923A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910269908.5
申请日：2019-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体存储器件、其电力去耦电容器阵列以及包括其的存储器系统。半导体存储器件包括存储器单元阵列、外围电路和多个电力去耦电容器阵列。存储器单元阵列包括多个存储器单元，并且多个存储器单元中的每一个包括单元电容器。多个电力去耦电容器阵列中的每一个包括m×n矩阵形式的m×n个电力去耦电容器子阵列。m×n个电力去耦电容器子阵列中的每一个包括多个电力去耦电容器，并且多个电力去耦电容器中的每一个具有与单元电容器相同的结构，并且多个电力去耦电容器并联连接。彼此不同的第一电压和第二电压被施加到电力去耦电容器子阵列中在第一方向上相邻布置的两个和电力去耦电容器子阵列中在第二方向上相邻布置的两个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102543941A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110447057.2
申请日：2011-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L25/065 , H01L27/105
CPC classification number: H01L23/5258 , G01K7/01 , G01K13/10 , H01L23/34 , H01L23/481 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/01019 , H01L2924/01055 , H01L2924/01068
Abstract: 公开了用于在多个半导体层之间稳定地传送信号的采用了堆叠结构的半导体器件、存储器件、系统和方法。所述器件包括至少第一半导体芯片和至少一个贯通衬底通路，该第一半导体芯片包括第一温度传感器电路，该第一温度传感器电路被配置成输出与第一半导体芯片相关的第一温度信息。
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公开(公告)号：CN101114271A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710136795.9
申请日：2007-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F15/167 , G11C7/10
Abstract: 一种可多路径访问半导体存储器件，在处理器之间提供接口功能。该存储器件可包括：存储单元阵列，具有在操作上与两个或多个端口相连的共享存储区，所述两个或多个端口可独立地由两个或多个处理器访问；访问路径形成单元，用于响应于处理器所施加的外部信号，在端口之一和共享存储区之间形成数据访问路径；以及接口单元，具有共享存储区中可由这两个或多个处理器访问的标志区和邮箱区，以便为这两个或多个处理器之间的通信提供接口功能。
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公开(公告)号：CN1385716A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN02121511.1
申请日：2002-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/1359 , G02B5/04 , G11B2007/0006
Abstract: 提供一种形成为单体具有多个反射面的多面反射棱镜,该多面反射棱镜通过使用反射面之间的角度差在高度方向上减小光束的大小在垂直于高度方向的水平方向上来引导经过传输面入射的光束,并通过一个相对于水平方向小于45°角的反射面在高度方向上反射所引导的光束。通过使用该多面反射棱镜,光学系统的高度能被减小而与所使用的波长无关,并不减小光束尺寸,就能实现细小的光拾取器。
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公开(公告)号：CN101114271B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200710136795.9
申请日：2007-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F15/167 , G11C7/10
Abstract: 一种可多路径访问半导体存储器件，在处理器之间提供接口功能。该存储器件可包括：存储单元阵列，具有在操作上与两个或多个端口相连的共享存储区，所述两个或多个端口可独立地由两个或多个处理器访问；访问路径形成单元，用于响应于处理器所施加的外部信号，在端口之一和共享存储区之间形成数据访问路径；以及接口单元，具有共享存储区中可由这两个或多个处理器访问的标志区和邮箱区，以便为这两个或多个处理器之间的通信提供接口功能。
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公开(公告)号：CN101217058A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710087954.0
申请日：2007-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/4078
Abstract: 提供了一种根据外部命令信号和刷新模式而改变存取共享存储区域的存取权限的半导体存储设备及其方法。所述半导体存储设备包括：多个输入/输出端口，用来输入第一或第二模式刷新操作的命令信号；存储阵列，其包括可以通过多个输入/输出端口中的至少两个端口存取的共享存储区域，所述存储阵列划分为多个不同的存储区域；以及授权控制块，用来响应于外部命令信号分配存取所述共享存储区域的存取权限，其中所述授权控制块产生授权控制信号，其用于将存取所述共享存储区域的存取权限优先地分配给用来输入第一模式刷新操作的命令信号的输入/输出端口。能够更高效率地执行所述共享存储区域的刷新操作或普通操作。
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